EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機，設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設(shè)計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設(shè)計，并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。微流控鍵合機有哪些應(yīng)用
長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。EVG520鍵合機推薦產(chǎn)品EVG服務(wù)：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。
共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。
該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。
而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。EVG520鍵合機芯片堆疊應(yīng)用
同時，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標準。微流控鍵合機有哪些應(yīng)用
EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG®560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng)，用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，并結(jié)合了自動光學(xué)對準和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細信息，請參/閱我們的GEMINI手冊。微流控鍵合機有哪些應(yīng)用
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