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云南晶片鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2020-01-30

臨時鍵合系統(tǒng):

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。云南晶片鍵合機(jī)

熔融和混合鍵合系統(tǒng):

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 內(nèi)蒙古鍵合機(jī)有哪些品牌EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。

Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準(zhǔn)問題,實(shí)際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng),鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。

EVG?560自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個鍵合室,并具有各種鍵合室配置選項(xiàng),適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計,并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強(qiáng)的過程控制和自動化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機(jī)器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理,可自動裝卸鍵合卡盤多達(dá)四個鍵合室,用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠(yuǎn)程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機(jī)器人蕞/高鍵合模塊4個。EVG鍵合機(jī)使用直接(實(shí)時)或間接對準(zhǔn)方法,能夠支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。奧地利鍵合機(jī)鍵合精度

自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560,擁有多達(dá)4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。云南晶片鍵合機(jī)

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)云南晶片鍵合機(jī)

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