厚度測(cè)量產(chǎn)品：我們的膜厚測(cè)量產(chǎn)品可適用于各種應(yīng)用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫(kù)存以便快速交貨。請(qǐng)瀏覽本公司網(wǎng)頁(yè)產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應(yīng)用工程師針對(duì)您的厚度測(cè)量需求提供立即協(xié)助。

單點(diǎn)厚度測(cè)量：

一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺(tái)式測(cè)量系統(tǒng)。 測(cè)量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。

大多數(shù)產(chǎn)品都有庫(kù)存而且可立即出貨。

微米(顯微)級(jí)別光斑尺寸厚度測(cè)量當(dāng)測(cè)量斑點(diǎn)只有1微米（μm）時(shí)，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。 以真空鍍膜為設(shè)計(jì)目標(biāo)，F(xiàn)10-RT 只要單擊鼠標(biāo)即可獲得反射和透射光譜。晶片膜厚儀原理

電介質(zhì)成千上萬(wàn)的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測(cè)量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – **簡(jiǎn)單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無(wú)吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說(shuō)，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長(zhǎng)的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來(lái)做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測(cè)量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對(duì)此薄膜的測(cè)量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測(cè)量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測(cè)量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測(cè)量氮化硅薄膜完整特征!盒厚測(cè)量膜厚儀**測(cè)試樣品厚度范圍: 測(cè)量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測(cè)量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

FSM 360 拉曼光譜系統(tǒng)

FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng), 型號(hào)360

FSM拉曼的應(yīng)用

l  局部應(yīng)力；

l  局部化學(xué)成分

l  局部損傷

紫外光可測(cè)試的深度

***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力

可見光可測(cè)試的深度

良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力

系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)力的精度小于15mpa (0.03cm-1)

全自動(dòng)的200mm和300mm硅片檢查

自動(dòng)檢驗(yàn)和聚焦的能力。

以上的信息比較有限，如果您有更加詳細(xì)的技術(shù)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答。或者訪問(wèn)我們的官網(wǎng)了解更多信息。

    光纖紫外線、可見光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當(dāng)堅(jiān)固的，但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過(guò)。該套件包括指令，以及簡(jiǎn)單的維修工具，新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長(zhǎng)，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。米長(zhǎng)，分叉反射探頭。

通用附件攜帶箱等。手提電腦手提電腦預(yù)裝FILMeasure軟件、XP和Microsoft辦公軟件。

電腦提箱用于攜帶F10、F20、F30和F40系統(tǒng)的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、雙出入孔SMA，并通過(guò)泄漏測(cè)試。LensPaper-CenterHole**開孔鏡頭紙，用于保護(hù)面朝下的樣品，5本各100張。 成功測(cè)量光刻膠要面對(duì)一些獨(dú)特的挑戰(zhàn)， 而 Filmetrics 自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)成功地解決這些問(wèn)題。

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實(shí)例：對(duì)于厚度測(cè)量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來(lái)分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測(cè)試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測(cè)試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長(zhǎng)范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測(cè)器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。F20測(cè)厚范圍：15nm - 70μm；波長(zhǎng)：380-1050nm。臺(tái)積電膜厚儀技術(shù)服務(wù)

當(dāng)測(cè)量斑點(diǎn)只有1微米（μm）時(shí)，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。晶片膜厚儀原理

F60 系列生產(chǎn)環(huán)境的自動(dòng)測(cè)繪Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產(chǎn)品一樣測(cè)繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產(chǎn)環(huán)境的功能。 這些功能包括凹槽自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)基準(zhǔn)確定、全封閉測(cè)量平臺(tái)、預(yù)裝軟件的工業(yè)計(jì)算機(jī)，以及升級(jí)到全自動(dòng)化晶圓傳輸?shù)臋C(jī)型。

不同的 F60-t 儀器根據(jù)波長(zhǎng)范圍加以區(qū)分。 較短的波長(zhǎng) (例如， F60-t-UV) 一般用于測(cè)量較薄的薄膜，而較長(zhǎng)的波長(zhǎng)則可以用來(lái)測(cè)量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 

包含的內(nèi)容：集成平臺(tái)/光譜儀/光源裝置（不含平臺(tái)）4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標(biāo)準(zhǔn)真空泵備用燈 晶片膜厚儀原理

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司以誠(chéng)信為本，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé)，對(duì)員工負(fù)責(zé)，更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度，爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司深耕磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。