UV-NIL / SmartNIL 納米壓印系統(tǒng)

EV Group為基于紫外線的納米壓印光刻（UV-NIL）提供完整的產品線，包括不同的單步壓印系統(tǒng)，大面積壓印機以及用于高 效母版制作的分步重復系統(tǒng)。除了柔軟的UV-NIL，EVG還提供其專有的SmartNIL技術以及多種用途的聚合物印模技術。高 效，強大的SmartNIL工藝可提供高圖案保真度，高度均勻的圖案層和**少的殘留層，并具有易于調整的晶圓尺寸和產量。EVG的SmartNIL兌現了納米壓印的長期承諾，即納米壓印是一種用于大規(guī)模生產微米和納米級結構的高性能，低成本和具有批量生產能力的技術。

這個系列的型號包括：EVG®610；EVG®620NT；EVG®6200NT；EVG®720；EVG®7200；EVG®7200LA；HERCULES®NIL；EVG®770；IQAligner®。 SmartNIL集成了多次使用的軟標記處理功能，因此還可以實現****的吞吐量。中國澳門納米壓印現場服務

       EVG公司技術開發(fā)和IP總監(jiān)Markus Wimplinger補充說：“我們開發(fā)新技術和工藝以應對*復雜的挑戰(zhàn)，幫助我們的客戶成功地將其新產品創(chuàng)意商業(yè)化。技術，我們創(chuàng)建了我們的NILPhotonics能力中心?！霸诰哂斜Ｗo客戶IP的強大政策的框架內，我們?yōu)榭蛻籼峁┝藦目尚行缘缴a階段的產品開發(fā)和商業(yè)化支持。這正是我們***與AR領域的**者WaveOptics合作所要做的，以為*終客戶提供真正可擴展的解決方案?！?

      EVG的NILPhotonics®能力中心框架內的協作開發(fā)工作旨在支持WaveOptics的承諾，即在工業(yè)，企業(yè)和消費者等所有主要市場領域釋放AR在大眾市場的應用，并遵循公司模塊計劃的推出。 全域納米壓印國內用戶EVG的納米壓印光刻（NIL） - SmartNIL ? 是用于大批量生產的大面積軟UV納米壓印光刻工藝。

納米壓印設備哪個好？預墨印章用于將材料以明顯的圖案轉移到基材上。該技術用于表面化學的局部修飾或捕獲分子在生物傳感器制造中的精確放置。

納米壓印設備可以進行熱壓花、加壓加熱、印章、聚合物、基板、附加沖壓成型脫模。

將聚合物片或旋涂聚合物加熱到其玻璃化轉變溫度以上，從而將材料轉變?yōu)檎承誀顟B(tài)。然后以足夠的力將壓模壓入聚合物中。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯系我們，探討納米壓印光刻的相關知識。我們愿意與您共同進步。

EVG ® 6200 NT是SmartNIL

UV納米壓印光刻系統(tǒng)。

用UV納米壓印能力設有EVG's專有SmartNIL通用掩模對準系統(tǒng)®技術范圍達150m。這些系統(tǒng)以其自動化的靈活性和可靠性而著稱，以**小的占地面積提供了**

新的掩模對準技術。操作員友好型軟件，**短的掩模和工具更換時間以及高 效的全球服務和支持使它們成為任何研發(fā)環(huán)境（半自動批量生產）的理想解決方案。該工具支持多種標準光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并且可以選擇背面對準。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對準和納米壓印光刻。此外，半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。

IQ Aligner?是EVG的可用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)。

    據外媒報道，美國威斯康星大學麥迪遜分校（UWMadison）的研究人員們，已經同合作伙伴聯手實現了一種突破性的方法。不僅**簡化了低成本高性能、無線靈活的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的制造工藝，還克服了許多使用標準技術制造設備時所遇到的操作上的問題。該技術可用于制造大卷的柔性塑料印刷線路板，并在可穿戴電子設備和彎曲傳感器等領域派上大用場。研究人員稱，這項突破性的納米壓印平板印刷制造工藝，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶體管。由于出色的低電流需求和更好的高頻性能，MOSFET已經迅速取代了電子電路中常見的雙極晶體管。為了滿足不斷縮小的集成電路需求，MOSFET尺寸也在不斷變小，然而這也引發(fā)了一些問題。EVG的SmartNIL技術是基于紫外線曝光的全場壓印技術，可提供功能強大的下一代光刻技術。山東芯片納米壓印

SmartNIL集成多次使用的軟標記處理功能，并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢，同時保留可擴展性和易于維護的特點。中國澳門納米壓印現場服務

    具體說來就是，MOSFET能夠有效地產生電流流動，因為標準的半導體制造技術旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應”區(qū)域，并導致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學麥迪遜分校已經同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學、德克薩斯大學、以及加州大學伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導體品質的新技術。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產過程。（來自網絡。中國澳門納米壓印現場服務

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