EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準(zhǔn)技術(shù)。西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)
對準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯**造，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。北京官方鍵合機(jī)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）
200、100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）
旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）
超音速噴嘴
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域：?4.0mm
材質(zhì)：聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
可選的
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性
材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石
刷的參數(shù)：
材質(zhì)：PVA
可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）
可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）
自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)
掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。
可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）
EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp?等離子活化室
工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）
通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）
真空系統(tǒng)：9x10-2mbar
腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化
腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）
可選功能：
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力
符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)
Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/
Si（熱氧化）
TEOS/TEOS（熱氧化）
絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）
GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。
共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。價(jià)格怎么樣鍵合機(jī)國內(nèi)用戶
鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。
集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 西藏鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場口碑。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶提供良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在儀器儀表深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國市場，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。