EVG620 NT或完全容納的EVG620

NT Gen2掩模對準系統配備了集成的振動隔離功能，可在各種應用中實現出色的曝光效果，例如，對薄而厚的光刻膠進行曝光，對深腔進行構圖并形成可比的形貌，以及對薄而易碎的材料（例如化合物半導體）進行加工。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。

EVG620 NT特征：

晶圓/基板尺寸從小到150 mm /

6''

系統設計支持光刻工藝的多功能性

易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列 HERCULES對準精度：上側對準：≤±0.5 μm；底側對準：≤±1,0 μm；紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基材。重慶光刻機微流控應用

EVG101光刻膠處理系統的技術數據：

可用模塊：旋涂/ OmniSpray ® /開發(fā)

分配選項：

各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000 cP的粘度；

液體底漆/預濕/洗盤；

去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）；

恒壓分配系統/注射器分配系統。

智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能，提高效率

設備和過程性能跟/蹤功能：智能處理功能；事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤

晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米

傳感器光刻機功率器件應用EVG通過不斷開發(fā)掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高**重要的光刻技術的水平。

EVG6200 NT附加功能：

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻（NIL）

EVG6200 NT技術數據：

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

先進的對準功能

手動對準/原位對準驗證

自動對準

動態(tài)對準/自動邊緣對準

對準偏移校正算法

EVG6200 NT產能：

全自動：第/一批生產量：每小時180片

全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米

對準方式：

上側對準：≤±0.5 μm

底側對準：≤±1,0 μm

紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對準：≤±2,0 μm

NIL對準：≤±3.0 μm

曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償：全自動軟件控制

曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

系統控制

操作系統：Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

實時遠程訪問，診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術：SmartNIL

HERCULES 光刻軌道系統

所述HERCULES ®是一個高容量的平臺整合整個光刻工藝流在一個系統中，縮小處理工序和操作者支持。

HERCULES基于模塊化平臺，將EVG建立的光學掩模對準技術與集成的晶圓清洗，光刻膠涂層，烘烤和光刻膠顯影模塊相結合。HERCULES支持各種晶片尺寸的盒到盒處理。HERCULES安全地處理厚，彎曲度高，矩形，小直徑的晶圓，甚至可以處理設備托盤。精密的頂側和底側對準以及亞微米至超厚（**/大300微米）光刻膠的涂層可用于夾層和鈍化應用。出色的對準臺設計可實現高產量的高精度對準和曝光結果。

HERCULES以**小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優(yōu)勢。

EVG光刻機簡介

EVG在1985年發(fā)明了世界上第/一個底部對準系統，可以在頂部和雙面光刻，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創(chuàng)并建立了行業(yè)標準。EVG通過不斷開發(fā)掩模對準器來為這些領域做出貢獻，以增強**重要的光刻技術。EVG的掩模對準目標是容納高達300 mm的不同的尺寸，形狀和厚度的晶圓和基片，同時為高級應用提供高科技含量的有效解決方案，并為研發(fā)提供充分的靈活可選性。EVG光刻機的掩模對準器和工藝能力經過現場驗證，安裝并完美集成在全球各地的用戶系統中，可在眾多應用場景中找到，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。 EVG的CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗，并提高光刻膠涂層的均勻性。晶片光刻機要多少錢

只有以客戶的需求為導向，研發(fā)才具有價值，也是我們不斷前進的動力。重慶光刻機微流控應用

EVG曝光光學：專門開發(fā)的分辨率增強型光學元件（REO）可提供高出50％的強度，并顯著提高/分辨率，在接近模式下可達到小于3μm的分辨率。REO的特殊設計有助于控制干涉效應以獲得分辨率。EVG**/新的曝光光學增強功能是LED燈設置。低能耗和長壽命是UV-LED光源的**/大優(yōu)勢，因為不需要預熱或冷卻。在用戶軟件界面中可以輕松、實際地完成曝光光譜設置。此外，LED需要*在曝光期間供電，并且該技術消除了對汞燈經常需要的額外設施（廢氣，冷卻氣體）和更換燈的需要。這種理想的組合不僅可以**/大限度地降低運行和維護成本，還可以增加操作員的安全性和環(huán)境友好性。重慶光刻機微流控應用

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