長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。聯(lián)電鍵合機應用

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預鍵合室

對準類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 聯(lián)電鍵合機售后服務晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。

EVG®510晶圓鍵合機系統(tǒng)：

用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設備完全兼容。

特色：

EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)應用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設計相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。 EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。半導體鍵合機出廠價

EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面積上，一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準技術(shù)。聯(lián)電鍵合機應用

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。聯(lián)電鍵合機應用

岱美儀器技術(shù)服務（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型公司。公司業(yè)務分為磁記錄，半導體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務為理念，秉持誠信為本的理念，打造儀器儀表良好品牌。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。