EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)：
可用模塊：旋涂/ OmniSpray ® /開(kāi)發(fā)
分配選項(xiàng)：
各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達(dá)52000 cP的粘度；
液體底漆/預(yù)濕/洗盤(pán)；
去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）；
恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)。
智能過(guò)程控制和數(shù)據(jù)分析功能（框架軟件平臺(tái)）
用于過(guò)程和機(jī)器控制的集成分析功能
并行任務(wù)/排隊(duì)任務(wù)處理功能，提高效率
設(shè)備和過(guò)程性能跟/蹤功能：智能處理功能；事/故和警報(bào)分析/智能維護(hù)管理和跟/蹤
晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米
EVG在1985年發(fā)明了世界上第/一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可以在頂部和雙面光刻。江西官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)
EVG鍵合機(jī)掩模對(duì)準(zhǔn)系列產(chǎn)品，使用**/先進(jìn)的工程技術(shù)。
用戶對(duì)接近式對(duì)準(zhǔn)器的主要需求由幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定。亞微米對(duì)準(zhǔn)精度，掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙，以及對(duì)應(yīng)于抗蝕劑靈敏度的已經(jīng)明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標(biāo)準(zhǔn)。此外，整個(gè)晶圓表面的高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷增強(qiáng)EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。創(chuàng)新推動(dòng)了我們的日常業(yè)務(wù)的發(fā)展和提升我們的理念，使我們能夠跳出思維框架，創(chuàng)造更先進(jìn)的系統(tǒng)。 掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)售后服務(wù)可在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中找到EVG的設(shè)備應(yīng)用，包括高級(jí)封裝，化合物半導(dǎo)體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。
EVG6200 NT附加功能：
鍵對(duì)準(zhǔn)
紅外對(duì)準(zhǔn)
納米壓印光刻（NIL）
EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù)：
曝光源
汞光源/紫外線LED光源
先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能
手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)
動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)
對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法
EVG6200 NT產(chǎn)能：
全自動(dòng)：第/一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片
全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓
晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米
對(duì)準(zhǔn)方式：
上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 μm
底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0 μm
紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基板材料
鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 μm
NIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0 μm
曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制
曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光
系統(tǒng)控制
操作系統(tǒng)：Windows
文件共享和備份解決方案/無(wú)限制 程序和參數(shù)
多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR
實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除
工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理
納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL
HERCULES 光刻軌道系統(tǒng)特征：
生產(chǎn)平臺(tái)以**小的占地面積結(jié)合了EVG精密對(duì)準(zhǔn)和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢(shì)；
多功能平臺(tái)支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤(pán)的全自動(dòng)處理；
高達(dá)52,000 cP的涂層可制造高度高達(dá)300微米的超厚光刻膠特征；
CoverSpin TM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性；
OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的優(yōu)化的涂層；
納流®涂布，并通過(guò)結(jié)構(gòu)的保護(hù)；
自動(dòng)面膜處理和存儲(chǔ)；
光學(xué)邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；
使用橋接工具系統(tǒng)對(duì)多種尺寸的晶圓進(jìn)行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)；
多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）。 整個(gè)晶圓表面高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷提高EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。
EVG ® 105—晶圓烘烤模塊
設(shè)計(jì)理念：?jiǎn)螜C(jī)EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過(guò)程而設(shè)計(jì)。
特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過(guò)程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)?？删幊痰慕咏N可提供對(duì)光刻膠硬化過(guò)程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300 mm的晶圓尺寸或4個(gè)100 mm的晶圓。
特征
**烘烤模塊
晶片尺寸**/大為300毫米，或同時(shí)**多四個(gè)100毫米晶片
溫度均勻性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤溫度
用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷
烘烤定時(shí)器
基材真空（直接接觸烘烤）
N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
不規(guī)則形狀的基材
技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米
烤盤(pán)：
溫度范圍：≤250°C
手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙
EVG的CoverSpin TM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗，并提高光刻膠涂層的均勻性。半導(dǎo)體光刻機(jī)推薦產(chǎn)品
EVG100光刻膠處理系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300 mm。江西官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)
EVG ® 150光刻膠處理系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù)：
模塊數(shù)：
工藝模塊：6
烘烤/冷卻模塊：**多20個(gè)
工業(yè)自動(dòng)化功能：
Ergo裝載盒式工作站/ SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口
智能過(guò)程控制和數(shù)據(jù)分析功能（框架軟件平臺(tái)）
用于過(guò)程和機(jī)器控制的集成分析功能
并行任務(wù)/排隊(duì)任務(wù)處理功能
設(shè)備和過(guò)程性能跟/蹤功能
智能處理功能
事/故和警報(bào)分析/智能維護(hù)管理和跟/蹤
晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米
可用模塊：
旋涂/ OmniSpray ® /開(kāi)發(fā)
烘烤/冷卻
晶圓處理選項(xiàng)：
單/雙EE /邊緣處理/晶圓翻轉(zhuǎn)
彎曲/翹曲/薄晶圓處理
江西官方授權(quán)經(jīng)銷光刻機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型的公司。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶提供良好的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念，在儀器儀表深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術(shù)服務(wù)秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。