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高校實(shí)驗(yàn)室引入LIMS系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)
高校實(shí)驗(yàn)室中LIMS系統(tǒng)的應(yīng)用現(xiàn)狀
LIMS應(yīng)用在生物醫(yī)療領(lǐng)域的重要性
LIMS系統(tǒng)在醫(yī)藥行業(yè)的應(yīng)用
LIMS:實(shí)驗(yàn)室信息管理系統(tǒng)的模塊組成
如何選擇一款適合的LIMS?簡(jiǎn)單幾步助你輕松解決
LIMS:解決實(shí)驗(yàn)室管理的痛點(diǎn)
實(shí)驗(yàn)室是否需要采用LIMS軟件?
LIMS系統(tǒng)在化工化學(xué)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)
對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種kelvin連接示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測(cè)電流與工作電流的曲線圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體功率模塊的連接示意圖。圖標(biāo):1-電流傳感器;10-工作區(qū)域;101-第1發(fā)射極單元。4單元的全橋IGBT拓?fù)?以F4開(kāi)頭。這個(gè)目前已經(jīng)停產(chǎn),大家不要選擇。福建好的英飛凌IGBT銷(xiāo)售價(jià)格
廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中,如軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域。此外,半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd,在實(shí)際應(yīng)用中,為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作,通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器,以對(duì)半導(dǎo)體功率模塊中的器件進(jìn)行過(guò)電流和溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)控,方便電路進(jìn)行保護(hù)?,F(xiàn)有技術(shù)中主要通過(guò)在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器,并利用鏡像電流檢測(cè)原理實(shí)現(xiàn)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控,例如,對(duì)于圖2中的電流敏感器件,在igbt器件芯片有源區(qū)內(nèi)按照一定面積比如1:1000,隔離開(kāi)1/1000的源區(qū)金屬電極作為電流檢測(cè)的電流傳感器1,該電流傳感器1的集電極和柵極與主工作區(qū)是共用,發(fā)射極則是分開(kāi)的,因此,在電流傳感器1的源區(qū)金屬上引出電流以測(cè)試電極,并在外電路中檢測(cè)測(cè)試電極中的電流,從而檢測(cè)器件工作中電流狀態(tài)。但是,在上述鏡像電流檢測(cè)中,受發(fā)射極引線的寄生電阻和電感產(chǎn)生的阻抗的影響,電流檢測(cè)精度會(huì)降低,因此,現(xiàn)有方法主要采用kelvin連接,如圖3所示,當(dāng)柵極高電平時(shí),電流傳感器1與主工作區(qū)分別流過(guò)電流,電流傳感器1的電流流過(guò)檢測(cè)電阻40到主工作區(qū)發(fā)射區(qū)金屬后通過(guò)主工作區(qū)發(fā)射極引線到地。加工英飛凌IGBT供應(yīng)第四代IGBT命名的后綴為:T4,S4,E4,P4。
MOS管和IGBT管作為開(kāi)關(guān)元件,在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似,相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,而有的卻需要用到IGBT管?它們之間有何區(qū)別呢?接下來(lái)冠華偉業(yè)為你解惑!何為MOS管?MOS管即MOSFET,中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型”的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,作用是防止VDD過(guò)壓的情況下,燒壞mos管,因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一,畫(huà)原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào),這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒(méi)有體二極管,圖上沒(méi)有標(biāo)出并不表示一定沒(méi)有,除非官方資料有特別說(shuō)明,否則這個(gè)二極管都是存在的。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的。
可控硅可控硅簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。.近,電動(dòng)汽車(chē)概念也火的一塌糊涂,Infineon推出了650V等級(jí)的IGBT,專(zhuān)門(mén)用于電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)。
晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí),會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,稱(chēng)為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”。多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子。2.晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí),管子不會(huì)導(dǎo)通,但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),沒(méi)有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)特性。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開(kāi)關(guān)元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,門(mén)極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,必須使陽(yáng)極電流《維持電流,對(duì)于電阻負(fù)載,只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后,加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1.正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門(mén)極觸發(fā)電流IGT,門(mén)極觸發(fā)電壓UGT,(受溫度變化)4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降5.維持電流IH與掣住電流IL6.開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT(AV)=A。通常IGBT模塊的工作電壓(600V、1200V、1700V)均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。福建好的英飛凌IGBT銷(xiāo)售價(jià)格
交流380V供電,使用1200V的IGBT。福建好的英飛凌IGBT銷(xiāo)售價(jià)格
當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類(lèi)似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開(kāi)關(guān)電源中的IGBT通過(guò)UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態(tài)交替工作。(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大。福建好的英飛凌IGBT銷(xiāo)售價(jià)格
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落在昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,是一家專(zhuān)業(yè)的一般項(xiàng)目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷(xiāo)售;電力電子元器件銷(xiāo)售;電子設(shè)備銷(xiāo)售;電子測(cè)量?jī)x器銷(xiāo)售;機(jī)械電氣設(shè)備銷(xiāo)售;風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷(xiāo)售;電氣設(shè)備銷(xiāo)售;光電子器件銷(xiāo)售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷(xiāo)售;半導(dǎo)體照明器件銷(xiāo)售;半導(dǎo)體器件設(shè)備銷(xiāo)售;半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售;集成電路銷(xiāo)售;五金產(chǎn)品批發(fā);五金產(chǎn)品零售;模具銷(xiāo)售;電器輔件銷(xiāo)售;電力設(shè)施器材銷(xiāo)售;電工儀器儀表銷(xiāo)售;電工器材銷(xiāo)售;儀器儀表銷(xiāo)售;辦公設(shè)備銷(xiāo)售;辦公設(shè)備耗材銷(xiāo)售;辦公用品銷(xiāo)售;日用百貨銷(xiāo)售;機(jī)械設(shè)備銷(xiāo)售;超導(dǎo)材料銷(xiāo)售;密封用填料銷(xiāo)售;密封件銷(xiāo)售;高性能密封材料銷(xiāo)售;橡膠制品銷(xiāo)售;塑料制品銷(xiāo)售;文具用品批發(fā);文具用品零售;金屬材料銷(xiāo)售;金屬制品銷(xiāo)售;金屬工具銷(xiāo)售;環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷(xiāo)售;生態(tài)環(huán)境材料銷(xiāo)售;集成電路設(shè)計(jì);集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))公司。目前我公司在職員工以90后為主,是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。公司以誠(chéng)信為本,業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器,我們本著對(duì)客戶(hù)負(fù)責(zé),對(duì)員工負(fù)責(zé),更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,爭(zhēng)取做到讓每位客戶(hù)滿(mǎn)意。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶(hù)為中心、IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶(hù)之所想,急用戶(hù)之所急,全力以赴滿(mǎn)足客戶(hù)的一切需要。