l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）l輸出電流10A；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃；l保護(hù)有過壓、過流、短路保護(hù)功能。2）直流電容器分為支撐電容、儲能電容，分別用于補償充電和實驗時的大電流放電，滿足動態(tài)測試、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動態(tài)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機(jī)控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機(jī)控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5）補充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。漂移區(qū)的厚度決定了 IGBT 的電壓阻斷能力。本地模塊批發(fā)價格

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。福建品質(zhì)模塊量大從優(yōu)GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大。

    測試溫度范圍Tj=25°及125°。IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進(jìn)行。1）動態(tài)測試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。1）圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義動態(tài)測試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義圖3IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義表格2可測量的IGBT動態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號開通延遲時間td(on)關(guān)斷延遲時間td(off)上升時間tr下降時間tf開通時間ton關(guān)斷時間toff開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff柵極電荷Qg短路電流ISC//可測量的FRD動態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr反向恢復(fù)時間trr反向恢復(fù)損耗Erec*2）動態(tài)測試參數(shù)指標(biāo)表格4IGBT動態(tài)測試參數(shù)指標(biāo)主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vce集射極電壓150～1500V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～1500V±1%±5V；150～1500VIc集射極電流1～1200A1～200A±3%±1A；200～1200A±3%±2A。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。應(yīng)用編輯 你可以看到輸入側(cè)**具有柵極端子的 MOS管，輸出側(cè)**具有集電極和發(fā)射極的 BJT。

IGBT是一種功率晶體管，運用此種晶體設(shè)計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能，使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。在安全上面，主要指的就是電的特性，除了常規(guī)的變壓電流以外，還有RBSOA（反向偏置安全工作區(qū)）和短路時候的保護(hù)。這個是開通和關(guān)斷時候的波形，這個是相關(guān)的開通和關(guān)斷時候的定義。我們做設(shè)計時結(jié)溫的要求，比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi)，做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個參數(shù)以后，結(jié)合選擇的IGBT的芯片，還有封裝和電流，來計算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫，是否滿足安全結(jié)溫的需求。單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右，IGBT模塊的比較大額定電流可以達(dá)到3600A。江蘇國產(chǎn)模塊進(jìn)貨價

硅片加工工藝：外延生長技術(shù)、區(qū)熔硅單晶。本地模塊批發(fā)價格

    ***個和第二個依次緊固額定力矩的1/3，然后反復(fù)多次使其達(dá)到額定力矩，四點安裝和兩點安裝類似。緊固螺絲時，依次對角緊固1/3額定力矩，然后反復(fù)多次使其達(dá)到額定力矩。5）散熱器表面要平整清潔，要求平面度≤150μm，表面光潔度≤6μm，在界面要涂傳熱導(dǎo)電膏，涂層要均勻，厚度約150μm。6）使用帶紋路的散熱器時，IGBT模塊長的方向順著散熱器的紋路，以減少散熱器的變形。兩只模塊在一個散熱器上安裝時，短的方向并排擺放，中間留出足夠的距離，主要是使風(fēng)機(jī)散熱時減少熱量疊加，容易散熱，**大限度發(fā)揮散熱器的效率。GA系列IGBT單開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線圖IGBT驅(qū)動電路下圖為M57962L驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖，采用光耦實現(xiàn)電氣隔離，光耦是快速型的，適合高頻開關(guān)運行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻（約185Ω），可將5V的電壓直接加到輸入側(cè)。它采用雙電源驅(qū)動結(jié)構(gòu)，內(nèi)部集成有2500V高隔離電壓的光耦合器和過電流保護(hù)電路、過電流保護(hù)輸出信號端子和與TTL電平相兼容的輸入接口，驅(qū)動電信號延遲**大為。當(dāng)單獨用M57962L來驅(qū)動IGBT時。有三點是應(yīng)該考慮的。首先。驅(qū)動器的**大電流變化率應(yīng)設(shè)置在**小的RG電阻的限制范圍內(nèi)，因為對許多IGBT來講，使用的RG偏大時，會增大td（on）。本地模塊批發(fā)價格

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