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來源: 發(fā)布時間:2023-05-17

    相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調(diào)壓方式存在一致命缺陷,由于斬波,使電壓無法實現(xiàn)正弦波輸出,還會出現(xiàn)大量諧波,形成對電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染,危害極大,不能用在有電容補償電路中。(現(xiàn)代照明設計要求規(guī)定,照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到,而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,所以都設計用電容補償功率因數(shù))在國外發(fā)達國家,已有明文規(guī)定對電氣設備諧波含量的限制,在國內(nèi),北京、上海、廣州等大城市,已對諧波含量超標的設備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術對照明系統(tǒng)進行照度控制時,可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來,許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應用:可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領域的主流設備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實質(zhì)上就是一個交流調(diào)壓器,老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的,如下圖所示。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中。反應極快,在微秒級內(nèi)開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。福建貿(mào)易可控硅值得推薦

    可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣的應用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。福建貿(mào)易可控硅值得推薦實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。

    4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等??煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r,我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成,如下圖所示。當陽極A端加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),此時由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號,使得BG2管有基極電流ib2通過,經(jīng)過BG2管的放大后,其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,故有ib1=ic2,電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極,使得BG2的基極電流ib2增大,從而形成正向反饋使電流劇增,進而使得可控硅飽和并導通。由于在電路中形成了正反饋,所以可控硅一旦導通后無法關斷,即使控制極G端的電流消失,可控硅仍能繼續(xù)維持這種導通的狀態(tài)。

    晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰??刂茦O觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

    表針應向右偏并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示,否則說明單向可控硅已損壞。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個引腳分別是控制極G,主電極T1和主電極T2,如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個主電極是對稱的,因此使用中可以任意互換。檢測時,萬用表置于Rx1Ω檔,先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,均應為較小阻值。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻,均應為無窮大,如下圖所示。四、檢測雙向可控硅的導通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接雙向可控硅主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應為無窮大,這是將控制極G與主電極T2短接一下,表針應向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示。否則說明該雙向可控硅已壞。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。福建貿(mào)易可控硅值得推薦

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多。福建貿(mào)易可控硅值得推薦

    可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動晶閘管的移相型電力控制器,其部件采用高性能、高可靠性的單片機。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性,且不隨環(huán)境溫度變化,使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整?,F(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。接線簡單,操作方便,可接受信:,手動電位器10K,自帶限幅可調(diào)電位器,軟起時間可設定,功能多樣化。一般分為單相可控硅觸發(fā)板,三相可控硅觸發(fā)板。雙向可控硅觸發(fā)板等,輔助功能有:常用的開環(huán)觸發(fā)板比較多,有閉環(huán)的,含恒流,恒壓,限壓,限流,軟起動,限幅等。觸發(fā)類型上分:光電隔離型觸發(fā)板,脈沖變壓型觸發(fā)板,變壓器隔離型觸發(fā)板,還有模擬觸發(fā)電路型等。它可的應用于工業(yè)各領域的電壓電流調(diào)節(jié),適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*整流變壓器、調(diào)功機(純電感線圈)、電爐變壓器一次側、升磁/退磁調(diào)節(jié)、直流電機控制。*電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級平滑調(diào)節(jié)。福建貿(mào)易可控硅值得推薦

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