采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來(lái)設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類(lèi)似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線(xiàn)極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來(lái)測(cè)試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來(lái)的電流值。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí)，其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號(hào)為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒(méi)有導(dǎo)通，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來(lái)時(shí)，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語(yǔ)在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上，設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對(duì)管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性。在今后具體運(yùn)用過(guò)程中可以通過(guò)對(duì)此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來(lái)滿(mǎn)足具體的需求和設(shè)計(jì)要求。同時(shí)。整流器還用在調(diào)幅(AM)無(wú)線(xiàn)電信號(hào)的檢波。山東單相整流可控硅

    如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經(jīng)N2-P1-N1流出，It21從P1流入經(jīng)N2-P2-N32流出；G極觸發(fā)電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設(shè)計(jì)電路在四個(gè)象限的觸發(fā)導(dǎo)通工作過(guò)程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負(fù)此時(shí)當(dāng)G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無(wú)正偏壓也處于截止?fàn)顟B(tài)，Vg+由P2輸入后經(jīng)R3使Q2的B極和E極之間產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而促使Q3導(dǎo)通，這時(shí)即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)Vt21先反向或撤除才重回截止。當(dāng)G極接Vg為負(fù)，Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止?fàn)顟B(tài)，Q1的B極和E極之間因Vg產(chǎn)生正偏電壓而導(dǎo)通，從而使Q3、Q2導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。T1接電源Vt12正極，T2接通負(fù)電源Vt12的負(fù)極此時(shí)G極接Vg為正，Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止，Q3處于反向截止，Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導(dǎo)通而導(dǎo)致Q4、Q7的導(dǎo)通，從而Q6、Q7導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)Vt12先反向或撤除才重回截止。當(dāng)G極接Vg為負(fù)，Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止，Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導(dǎo)通，從而使Q6導(dǎo)通，繼而Q7、Q6導(dǎo)通并得以保持導(dǎo)通狀態(tài)。3電路制作與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證為了驗(yàn)證所設(shè)計(jì)電路。山東單相整流可控硅業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對(duì)貯存時(shí)間的控制。

    穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1，所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2，所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2，所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦，所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端，電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果：?jiǎn)蜗蚩煽毓璺謩e通過(guò)**的光耦進(jìn)行隔離，提高了單向可控硅的耐受性能，實(shí)現(xiàn)負(fù)載電壓從零伏到電網(wǎng)全電壓的無(wú)級(jí)可調(diào)。

    P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過(guò)流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開(kāi)關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開(kāi)關(guān):外接開(kāi)關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開(kāi)關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無(wú)結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無(wú)腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強(qiáng)度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱(chēng)性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱(chēng)度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。因?yàn)橘A存時(shí)間ts過(guò)長(zhǎng)，電路的振蕩頻率將下降，整機(jī)的工作電流增大易導(dǎo)致三極管的損壞。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過(guò)原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱(chēng)TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫(xiě)，其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。2類(lèi)雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類(lèi)似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。山東單相整流可控硅

如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。山東單相整流可控硅

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱(chēng)為T(mén)hyyistoy，中文簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線(xiàn)路中。1.可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓?、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。山東單相整流可控硅

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