雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 嚴格控制貯存時間ts并恰當(dāng)調(diào)整整機電路，就可以降低對hFE參數(shù)的依賴程度。小型可控硅芯片廠家

    控制交流負載回路的通斷，通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件，可以實現(xiàn)弱電控制強電的目的。但是在帶電流分斷負載回路時，會產(chǎn)生電弧腐蝕觸點，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應(yīng)時間在ms級別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示。可控硅從導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑趯?dǎo)通后，及時將控制信號去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計單片機控制可控硅回路的通斷時，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計的可控硅控制電路如下圖所示。單片機的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負載。當(dāng)單片機輸出高電平時，光耦導(dǎo)通，此時可控硅的控制極有觸發(fā)信號，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機輸出低電平時，光耦截止。小型可控硅芯片廠家整流器是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測無線電信號等。

可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN 結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。硅材料的禁帶寬度較大，導(dǎo)熱性能良好，適于制作大功率整流器件。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導(dǎo)體開關(guān)，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設(shè)計在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來設(shè)計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向?？煽毓枵{(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。小型可控硅芯片廠家

調(diào)整器主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu)，體積小，重量輕，使用、維護十分方便。小型可控硅芯片廠家

從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)，技術(shù)服務(wù)，技術(shù)咨詢，電子元器件，電子系統(tǒng)設(shè)備，計算機，軟件及輔助設(shè)備（除計算機信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品），電子元器件，可控硅半導(dǎo)體模塊，電子數(shù)碼產(chǎn)品，通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品，通訊器材銷售。將迎來新一輪的創(chuàng)新周期，在新一輪創(chuàng)新周期中，國產(chǎn)替代趨勢有望進一步加強。公司所處的本土電子元器件授權(quán)分銷行業(yè)，近年來進入飛速整合發(fā)展期，產(chǎn)業(yè)集中度不斷提升，規(guī)模化、平臺化趨勢加強。在一些客觀因素如貿(mào)易型的推動下，部分老舊、落后的產(chǎn)能先后退出市場，非重點品種的短缺已經(jīng)非常明顯。在這樣的市場背景下，電子元器件產(chǎn)業(yè)有望迎來高速增長周期，如何填補這一片市場空白，需要理財者把握時勢，精確入局。努力開發(fā)國際從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)，技術(shù)服務(wù)，技術(shù)咨詢，電子元器件，電子系統(tǒng)設(shè)備，計算機，軟件及輔助設(shè)備（除計算機信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品），電子元器件，可控硅半導(dǎo)體模塊，電子數(shù)碼產(chǎn)品，通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品，通訊器材銷售。原廠和國內(nèi)原廠的代理權(quán)，開拓前沿應(yīng)用垂直市場，如數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、新能源、醫(yī)治等領(lǐng)域的重點器件和客戶消息，持續(xù)開展分銷行業(yè)及其上下游的并購及其他方式的擴張。目前國內(nèi)外面臨較為復(fù)雜的經(jīng)濟環(huán)境,傳統(tǒng)電子制造企業(yè)提升自身技術(shù)能力是破局轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵。通過推動和支持傳統(tǒng)電子企業(yè)制造升級和自主創(chuàng)新,可以增強企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈中的重點競爭能力。同時我國層面通過財稅政策的持續(xù)推進,從實質(zhì)上給予可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器創(chuàng)新型企業(yè)以支持,亦將對產(chǎn)業(yè)進步產(chǎn)生更深遠的影響。小型可控硅芯片廠家

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