門極關(guān)斷晶閘管的檢測1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時，可先按檢測觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導通狀態(tài)，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號時，晶閘管被觸發(fā)導通，其A、K極間電阻值由無窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開A極與G極的短路點后，晶閘管維持低阻導通狀態(tài)，說明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發(fā)信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o窮大，則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常，圖7是關(guān)斷能力的檢測示意圖。也可以電路來檢測門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠)，S為轉(zhuǎn)換開關(guān)，VT為被測晶閘管。當開關(guān)S關(guān)斷時，晶閘管不導通，指示燈不亮。將開關(guān)S的K1觸點接通時。 當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應自動調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。多路可控硅經(jīng)銷

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。無錫可控硅定做業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。

    場效應管檢測一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。。鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。

    **交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓。調(diào)整器具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。南通通用可控硅

可控硅觸發(fā)板用于水泵、風機等軟啟動控制，調(diào)速節(jié)能控制等。多路可控硅經(jīng)銷

    10ms內(nèi)截止輸出過熱保護主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護輸入電源相序錯誤報警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結(jié)海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)?，F(xiàn)以調(diào)壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調(diào)節(jié)過程如下：給定信號(Ug)、電壓反饋信號(Uf)、電流反饋信號(If)當由于某種原因使調(diào)壓器輸出電壓降低時(如電網(wǎng)電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調(diào)壓器輸出電壓U↑***達到Uf與Ug相互平衡，調(diào)壓器輸出穩(wěn)定電壓。。圖2-1恒電壓原理框圖電流環(huán)作用是，在突加負載或負載電流超過限流值時，限制調(diào)壓器的輸出電流在額定電流范圍內(nèi)，確保輸出和調(diào)壓器正常工作。其調(diào)節(jié)過程如下：U0恒定，負載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調(diào)壓器輸出電壓U↓——If↓；同時電壓環(huán)也參與調(diào)節(jié)，使調(diào)壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內(nèi)。多路可控硅經(jīng)銷

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