P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強(qiáng)度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整。現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。 可控硅調(diào)整器能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。鹽城逆變器可控硅

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時(shí)具備兩個(gè)條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個(gè)條件缺其中任何一個(gè)都不能輸出觸發(fā)脈沖?？刂菩盘?hào)有效的較早周波檢測(cè)過零，過零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號(hào)有效的時(shí)間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。

性能特點(diǎn)

高可靠的可控硅電壓過零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認(rèn)定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、容性負(fù)載等類型。

一體化結(jié)構(gòu)，接線簡(jiǎn)單，互換性好。

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅。

工作可靠,有非常強(qiáng)的抗干擾能力，適用性強(qiáng)，耐壓高。

鹽城逆變器可控硅輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整。

    焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。總之，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高.效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。é藺左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。

    該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外，也可為干電池充電。其充電電流可調(diào)。充電終止電壓由RP1預(yù)先確定。開始充電時(shí)，電池組兩端電壓較低，不足以使晶體管VT導(dǎo)通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發(fā)電流。移相角度由RP2決定。負(fù)半周時(shí)可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經(jīng)電池組充電。調(diào)整RP2即可調(diào)整充電電流，比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調(diào)節(jié)指示燈的亮度。當(dāng)電池組電壓慢慢升高，快到預(yù)定值時(shí)，三極管開始導(dǎo)通，可控硅的導(dǎo)通角減小，充電電流下降，直至完全截止，這樣充電自動(dòng)停止，并使電池組保持在預(yù)定電壓上。因?yàn)楫?dāng)電壓下降時(shí)，晶體管又趨向截止，可控硅重新啟動(dòng)，不過此時(shí)導(dǎo)通角很小，電流出很小，對(duì)充電電池有保護(hù)作用，防止過充。元器件選擇與制作元器件清單見下表。編號(hào)名稱型號(hào)數(shù)量R1電阻（需調(diào)整）1R2電阻1R3電阻根據(jù)指示燈選用1RP1電位器100K1RP2電位器2K1C滌綸電容1VD1、VD2晶體二極管2CP類2VT晶體三極管3DG類1VS單向可控硅1A/25V1元器件連接完成，檢查無誤，即可進(jìn)行調(diào)整。調(diào)整時(shí)，將電流表串在輸入回路中，先將R3短路，RP2旋至阻值**小處，調(diào)整R1。可控硅調(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。

    控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示。可控硅從導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制G。可控硅的在導(dǎo)通后，及時(shí)將控制信號(hào)去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí)，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí)，光耦導(dǎo)通，此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào)，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí)，光耦截止。觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。靈敏可控硅采購(gòu)

電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。鹽城逆變器可控硅

    2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。（3）用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場(chǎng)效應(yīng)管加上Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極Ｇ，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。鹽城逆變器可控硅

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