這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號(hào)失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率，如果實(shí)際功率大于這一數(shù)值，晶體管的溫度將超出大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理損壞?？赏ㄟ^高達(dá)28伏電源供電工作，工作頻率可達(dá)幾個(gè)GHz。為了防止由于熱擊穿導(dǎo)致的突發(fā)性故障，晶體管的偏置電壓必須要仔細(xì)設(shè)計(jì)，因?yàn)闊釗舸┮坏┍挥|發(fā)，整個(gè)晶體管都將被立即毀壞。因此，采用這種晶體管技術(shù)的放大器必須具有保護(hù)電路以防止這種熱擊穿情況發(fā)生。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極性晶體管，它的工作方式涉及單一種類載流子的漂移作用。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其溝道極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場(chǎng)效晶體管（PMOSFET），沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermalrunaway）。為了適合大功率運(yùn)行。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大，很小的功率泄漏都會(huì)對(duì)周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。福建V段射頻功率放大器批發(fā)

    對(duì)于各個(gè)電路和具體的增益控制方法的介紹，可參見前面的實(shí)施例的描述，此處不再詳述。應(yīng)理解，說明書通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說明書各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外，這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。應(yīng)理解，在本申請(qǐng)的各種實(shí)施例中，上述各過程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。上述本申請(qǐng)實(shí)施例序號(hào)為了描述，不實(shí)施例的優(yōu)劣。需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者裝置不包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者裝置所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括該要素的電路中還存在另外的相同要素。以上所述，為本申請(qǐng)的實(shí)施方式，但本申請(qǐng)的保護(hù)范圍并不局限于此。湖南電視射頻功率放大器功率放大器在無線通信系統(tǒng)中是一個(gè)不可缺少的重要組成部分通信體制的發(fā)展功率放大器進(jìn)入了快速發(fā)展的階段。

    因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關(guān)sw2，增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于：通過在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路，在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)高增益模式性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡潔，對(duì)芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負(fù)增益-10db左右。此時(shí)，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。

    即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開啟，移動(dòng)終端開啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí)，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)，包括兩種情況：全部是關(guān)閉狀態(tài)或者部分關(guān)閉，部分開啟。頻段切換時(shí)，移動(dòng)終端會(huì)對(duì)所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化，則不作操作，否則按當(dāng)前指令的電阻值進(jìn)行射頻功率放大器的相關(guān)配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即移動(dòng)終端切換頻段時(shí)，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值。微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達(dá)、導(dǎo)航系統(tǒng)的部件之一。

    1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形式)，以及t3和t5組成電壓偏置電路，在圖1b中缺省。該方案(1)能較好的保證功率放大器在增益降低后的帶寬和線性度等性能，但是，單純依靠反饋電路提供的負(fù)反饋，能降低增益但不能將增益變?yōu)樨?fù)。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。在窄帶物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，終端，如水電表等，在其內(nèi)部有射頻收發(fā)器、通信模組、微控制器、射頻功率放大器電路和天線等；其中：射頻收發(fā)器用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行混頻；通信模組，用于與基站進(jìn)行通信，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化抄表；微控制器，用于對(duì)射頻功率放大器電路進(jìn)行控制，以得到一定的輸出功率。交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。浙江低頻射頻功率放大器值得推薦

輸出匹配電路主要應(yīng)具備損耗低，諧波抑制度高，改善駐波比，提高輸出功 率及改善非線性等功能。福建V段射頻功率放大器批發(fā)

    射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計(jì)算單元302計(jì)算單元302，用于計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值。例如，移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換時(shí)，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，通過計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，從而獲取此時(shí)射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計(jì)算單元還包括計(jì)算電阻和處理器，計(jì)算電阻一端與射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接，計(jì)算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計(jì)算電阻和射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即移動(dòng)終端頻段切換時(shí)的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測(cè)模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動(dòng)終端開啟此射頻功率放大器。福建V段射頻功率放大器批發(fā)

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