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以對輸入至功率合成變壓器的信號進(jìn)行對應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實施中,子濾波電路可以包括電容c1,電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1,電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照圖2,給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中,子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1,電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中,第二子濾波電路可以包括第二電容c2,第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2,第二電感l(wèi)2可以設(shè)置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2,第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2,第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實施中,串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說,當(dāng)子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時,電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應(yīng)地。射頻放大器的穩(wěn)定性問題非常重要,是保證設(shè)備安全可靠運行的必要條件。深圳高頻射頻功率放大器
由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中,頻段與射頻功率放大器的對應(yīng)情況包括兩種:一個頻段對應(yīng)一個射頻功率放大器或多個頻段對應(yīng)一個射頻功率放大器。移動終端在進(jìn)行頻段切換前,移動終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài),移動終端在進(jìn)行頻段切換時,需要開啟一個或多個射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態(tài)即移動終端在進(jìn)行頻段切換時,此時移動終端的射頻功率放大器的狀態(tài)。其中,由于射頻功率放大器的開啟狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)所對應(yīng)的電阻值不同,預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)即預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。因此,射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。其中,每個射頻功率放大器配置一個匹配電阻,關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為射頻功率放大器的電阻值,開啟狀態(tài)的電阻值為匹配電阻的電阻值。不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻,不同的匹配電阻的電阻值不相等,并且滿足若干個并聯(lián)后不相等。本申請對于射頻功率放大器的個數(shù)不作限定,匹配電阻的個數(shù)與射頻功率放大器的個數(shù)相同。其中,檢測到射頻功率放大器關(guān)閉時,其匹配電阻不生效。韶關(guān)射頻功率放大器報價目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。
通過微處理器發(fā)出的第五控制信號和第六控制信號,控制電壓源檔位的切換,可切換第三mos管的柵極電壓,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。通過調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級供電,其中,通過微處理器控制vcc的大小。在一些實施例中,當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時,微控制器控制vcc為,控制電流源為12ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制vcc為,控制電流源為2ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然,可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位,通過切換不同的電壓源檔位、電流源檔位,并對第二mos管和第三mos管的漏級的供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而實現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說明的是,第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同,其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同,當(dāng)?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時,微控制器控制第四mos管對應(yīng)的電流源為45ma,控制第五mos管對應(yīng)的電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制第四mos管對應(yīng)的電流為6ma,控制第五mos管對應(yīng)的電壓源為。
用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路,用于放大所述級間匹配電路輸出的信號;所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法,應(yīng)用于上述的射頻功率放大器電路,所述方法包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定所述射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進(jìn)入所述工作模式;所述可控衰減電路,根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路,用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路。甲類工作狀態(tài):功放大器在信號周期內(nèi)始終存在工作電流,即導(dǎo)通角0為360度。
且串聯(lián)電感的個數(shù)比到地電容的個數(shù)多1。在具體實施中,當(dāng)lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時,參照圖4,給出了本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中,lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4,其中:第四電感l(wèi)4的端與主次級線圈121的第二端耦接,第四電感l(wèi)4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;第四電容c4的端與第四電感l(wèi)4的第二端耦接,第四電容c4的第二端接地。參照圖5,給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖4相比,圖5中,lc匹配濾波電路還包括第五電感l(wèi)5以及第六電感l(wèi)6,其中:第五電感l(wèi)5串聯(lián)在第四電容c4的第二端與地之間,第六電感l(wèi)6串聯(lián)在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照圖6,給出了本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖5相比,lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l(wèi)7以及第八電感l(wèi)8,其中:第五電容c5的端與第六電感l(wèi)6的第二端耦接,第五電容c5的第二端與第七電感l(wèi)7的端耦接;第七電感l(wèi)7的端與第五電容c5的第二端耦接,第七電感l(wèi)7的第二端接地;第八電感l(wèi)8的端與第五電容c5的端耦接,第八電感l(wèi)8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質(zhì)等要求來確定。廣州超射頻功率放大器
射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵,砷化鎵,LDMOS管電路運用。深圳高頻射頻功率放大器
第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接??蛇x的,所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路。可選的,所述lc匹配濾波電路包括:第四電容以及第四電感,其中:所述第四電感,端與所述主次級線圈的第二端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接;所述第四電容,端與所述第四電感的第二端耦接,第二端接地。可選的,所述lc匹配電路還包括:第五電感以及第六電感,其中:所述第五電感,串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間;所述第六電感,串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間??蛇x的,所述lc匹配電路還包括:第五電容、第七電感以及第八電感,其中:所述第五電容,端與所述第六電感的第二端耦接,第二端與所述第七電感的端耦接;所述第七電感,第二端接地;所述第八電感,端與所述第五電容的端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的,所述射頻功率放大器還包括:驅(qū)動電路;所述驅(qū)動電路的輸入端接收輸入信號,所述驅(qū)動電路的輸出端輸出所述差分信號,所述驅(qū)動電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設(shè)備,包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術(shù)相比。深圳高頻射頻功率放大器
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