寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結構，采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結構優(yōu)點是結構較簡單，插損較?。蝗秉c是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級或多級lc結構，采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結構優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。采用普通結構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優(yōu)點是結構相對簡單，缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結構優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明實施例解決的是如何實現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內實現(xiàn)一致性的同時，具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供一種射頻功率放大器。諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關系。山西射頻功率放大器批發(fā)

    則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關斷時，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數值已知的情況下，根據等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl，進而得到電感l(wèi)1的電感值，其中，由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上，所以電感l(wèi)的品質因數q值一般不大于5。為了進一步提高電路實用性，并提高射頻耐壓和靜電保護能力，本申請實施例的進一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示)，通過控制sw1和sw2的柵極的寬長比控制導通的寄生電阻和關斷的寄生電容以及esd能力。換句話說，在做設計時控制sw1和sw2的柵極的寬長比w/l，可以獲得期望的ron，其中：開關導通的電阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘號，μ是指電子遷移率，cox是指單位面積的柵氧化層電容，w/l是指cmos器件有效溝道長度的寬長比。湖北EMC射頻功率放大器價格多少微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質等要求來確定。

    此時信號將產生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實現(xiàn)線性輸出，此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊，這是窄帶物聯(lián)網技術平臺的要求，這樣可保證應用端配置的靈活性。比如同樣功率等級下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號覆蓋要求。參見圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經加強負反饋基礎上(引入負反饋電路)，調節(jié)各級晶體管的偏置電路(例如調節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引入可控衰減電路，可以進一步降低增益。從理論來講，可控衰減電路通過設計可以滿足負增益的需求。這里，可控衰減電路需要考慮盡量降低其對放大器輸入匹配電路的影響，它好可以與輸入匹配電路的設計融合。另外，需要射頻功率放大器電路在沒有處于負增益工作模式下時，具有適當的射頻傳導功率容量和靜電保護能力(electro-staticdischarge，esd)。本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路，如圖2所示，與圖1a相比，在輸入端口和輸入匹配電路之間插入可控衰減電路。

    能夠快速設置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成?？蛇x的，在本申請的一些實施例中，所述預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，包括：所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值；所述射頻功率放大器設置匹配電阻；所述關閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值；所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值。可選的，在本申請的一些實施例中，所述計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，包括：rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；其中，rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。可選的，在本申請的一些實施例中，所述匹配電阻包括：不同的射頻功率放大器設置不同的匹配電阻。阻抗匹配，關系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標 。

    用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖圖3為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。功率放大器線性化技術一一功率回退、前饋、反饋、預失真，出于射頻 預失真結構簡單、易于集成和實現(xiàn)等優(yōu)點。福建超寬帶射頻功率放大器報價

微波固態(tài)功率放大器的電路設計應盡可能合理簡化。山西射頻功率放大器批發(fā)

    驅動放大電路和功率放大電路的電路結構一樣，但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結構和dc偏置都需要進行切換，即，通過改變反饋電路中的開關、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實現(xiàn)以上功率模式，以及實現(xiàn)非負增益模式和負增益模式。圖2b是本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖，如圖2b所示，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅動放大電路102、級間匹配電路103、功率放大電路105和輸出匹配電路106，與驅動放大電路102跨接的反饋電路103；可控衰減電路107，用于根據終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路101，用于使可控衰減電路和驅動放大電路之間阻抗匹配；驅動放大電路102，用于放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路103，用于調節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路104，用于使驅動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配。山西射頻功率放大器批發(fā)

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