功率放大電路105，用于放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對(duì)應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時(shí)，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時(shí)處于負(fù)增益模式下，輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號(hào)；當(dāng)終端與基站的距離較遠(yuǎn)時(shí)，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時(shí)處于非負(fù)增益模式下，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號(hào)。在一個(gè)可能的示例中，模式控制信號(hào)包括控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，其中：控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)控制信號(hào)，控制自身處于無衰減狀態(tài)；第二控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，控制自身處于衰減狀態(tài)。其中，當(dāng)可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路不工作；當(dāng)可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路工作。微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達(dá)、導(dǎo)航系統(tǒng)的部件之一。北京品質(zhì)射頻功率放大器供應(yīng)商

    驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路的電路結(jié)構(gòu)一樣，但二者對(duì)應(yīng)的各個(gè)器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號(hào)的效率，驅(qū)動(dòng)放大電路更加注重放大信號(hào)的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結(jié)構(gòu)和dc偏置都需要進(jìn)行切換，即，通過改變反饋電路中的開關(guān)、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實(shí)現(xiàn)以上功率模式，以及實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式和負(fù)增益模式。圖2b是本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2b所示，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大電路102、級(jí)間匹配電路103、功率放大電路105和輸出匹配電路106，與驅(qū)動(dòng)放大電路102跨接的反饋電路103；可控衰減電路107，用于根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換；輸入匹配電路101，用于使可控衰減電路和驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；驅(qū)動(dòng)放大電路102，用于放大輸入匹配電路輸出的信號(hào)；反饋電路103，用于調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級(jí)間匹配電路104，用于使驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配。浙江射頻功率放大器哪里賣輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。

    通過微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)和第六控制信號(hào)，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號(hào)vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級(jí)供電，其中，通過微處理器控制vcc的大小。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時(shí)，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然，可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位，通過切換不同的電壓源檔位、電流源檔位，并對(duì)第二mos管和第三mos管的漏級(jí)的供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而實(shí)現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說明的是，第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同，其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同，當(dāng)?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時(shí)，微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流源為45ma，控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流為6ma，控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為。

    顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。需說明的是，以下實(shí)施例的描述順序不作為對(duì)實(shí)施例推薦順序的限定。一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示，該方法的具體流程可以如下：101、預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如，移動(dòng)終端在連接一個(gè)頻段時(shí)，需要啟動(dòng)該頻段所對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。

    70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長(zhǎng)度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達(dá)1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：這是為了減短溝道長(zhǎng)度的一種橫向?qū)щ奙OSFET，通過兩次擴(kuò)散而制作的器件稱為L(zhǎng)DMOS，在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。與晶體管相比，LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、散熱性能等方面優(yōu)勢(shì)很明顯，由于更容易與CMOS工藝兼容而被采用。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而不被破壞；它較能承受輸入信號(hào)的過激勵(lì)，具有較高的瞬時(shí)峰值功率。為減小 AM—AM失真，應(yīng)降低工作點(diǎn)，常稱為增益回退。湖南EMC射頻功率放大器價(jià)格

功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真，出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。北京品質(zhì)射頻功率放大器供應(yīng)商

    且串聯(lián)電感的個(gè)數(shù)比到地電容的個(gè)數(shù)多1。在具體實(shí)施中，當(dāng)lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時(shí)，參照?qǐng)D4，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中，lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4，其中：第四電感l(wèi)4的端與主次級(jí)線圈121的第二端耦接，第四電感l(wèi)4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；第四電容c4的端與第四電感l(wèi)4的第二端耦接，第四電容c4的第二端接地。參照?qǐng)D5，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖4相比，圖5中，lc匹配濾波電路還包括第五電感l(wèi)5以及第六電感l(wèi)6，其中：第五電感l(wèi)5串聯(lián)在第四電容c4的第二端與地之間，第六電感l(wèi)6串聯(lián)在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照?qǐng)D6，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖5相比，lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l(wèi)7以及第八電感l(wèi)8，其中：第五電容c5的端與第六電感l(wèi)6的第二端耦接，第五電容c5的第二端與第七電感l(wèi)7的端耦接；第七電感l(wèi)7的端與第五電容c5的第二端耦接，第七電感l(wèi)7的第二端接地；第八電感l(wèi)8的端與第五電容c5的端耦接，第八電感l(wèi)8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。北京品質(zhì)射頻功率放大器供應(yīng)商

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