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30-500MHz射頻功率放大器定制

來源: 發(fā)布時間:2022-06-10

    這個范圍叫做“放大區(qū)”,集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復雜的非線性器件,如果偏置電壓分配不當,將使其輸出信號失真,即使工作在特定范圍,其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率,如果實際功率大于這一數(shù)值,晶體管的溫度將超出大許可值,使器件性能下降,甚至造成物理損壞??赏ㄟ^高達28伏電源供電工作,工作頻率可達幾個GHz。為了防止由于熱擊穿導致的突發(fā)性故障,晶體管的偏置電壓必須要仔細設計,因為熱擊穿一旦被觸發(fā),整個晶體管都將被立即毀壞。因此,采用這種晶體管技術的放大器必須具有保護電路以防止這種熱擊穿情況發(fā)生。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)MOSFET場效應管屬于單極性晶體管,它的工作方式涉及單一種類載流子的漂移作用。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同,可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常被稱為N型金氧半場效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場效晶體管(PMOSFET),沒有BJT的一些致命缺點,如熱破壞(thermalrunaway)。為了適合大功率運行。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移動電話基站、雷達,應用于 無線電廣播傳輸器以及微波雷達與導航系統(tǒng)。30-500MHz射頻功率放大器定制

    gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照圖7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡,起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實際模擬電路中設計電壓源,可將vg電壓分成多個檔位,通過數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位,達到t3柵極電壓切換的效果。其中,t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu),與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu),是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣,t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3):t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關系。比如:t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右,t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負增益模式下:vcc=,t2的偏置電流ib=12ma左右,t4的偏置電流ib=45ma左右,t3管和t5管的vg=。在負增益模式下:vcc=,t2的偏置電流ib=2ma左右;t4的偏置電流ib=6ma左右;t3管和t5管的vg=。在本申請文件實施例提供的射頻功率放大器電路中,為了說明輸入匹配的可控衰減電路設計,對級間匹配電路進行了簡化處理,實際的級間匹配電路是一個較為復雜的lccl網(wǎng)絡。級間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大,c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是,在本申請實施例中,匹配這個概念針對的是射頻信號,c7表示射頻的短路,可在射頻等效電路中省去。此外。超射頻功率放大器設計在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。

    微控制器控制第五一開關導通、第五二開關關斷,此時可實現(xiàn)低增益;微控制器控制第五一開關和第五二開關均導通,此時反饋電路的等效電阻小,可實現(xiàn)負增益。在一些實施例中,當射頻放大器電路的高增益為30db左右,低增益為15db左右,負增益為-10db左右時,可設置第五三電阻的阻值為5kω,第五一電阻的電阻為1kω,第五二電阻的電阻為100ω。需要說明的是,本實施例對反饋電路的具體形式不做限定??梢姡ㄟ^控制反饋電路中第二開關的通斷,可以改變射頻功率放大器電路的增益大小,實現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個可能的示例中,級間匹配電路104包括:第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8,其中:第三電感的端連接第三mos管的漏級,第三電感的第二端連接第二電壓信號和第七電容的一端,第七電容的端連接第二電壓信號,第七電容的第二端接地,第八電容的端連接第三mos管的漏級。其中,第二電壓信號為vcc。在本申請實施例中,考慮到級間匹配電路的復雜性,將級間匹配電路簡化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個可能的示例率放大電路105包括:第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9,其中:第四mos管的柵級與第八電容的第二端連接。

    第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07,第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout,第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示,主體電路的激勵放大器中,nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個共源共柵放大器,nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個共源共柵放大器;第二主體電路的激勵放大器中,nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個共源共柵放大器,nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個共源共柵放大器。在主體電路中,激勵放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接,激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示,nmos管mn01的柵極和nmos管mn02的柵極分別與變壓器t01的副邊連接,nmos管mn03的漏極連接電容c04,nmos管mn04的漏極連接電容c05。nmos管mn03的漏極和nmos管mn04的漏極為主體電路中激勵放大器的輸出端。在第二主體電路中,激勵放大器中源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接,激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示,nmos管mn09的柵極和nmos管mn10的柵極分別與變壓器t01的副邊連接。阻抗匹配,關系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益;輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標 。

    功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸出端rfout。自適應動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端rfin,自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器。其中,自適應動態(tài)偏置電路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干電容和電阻組成??蛇x的,自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸入端。自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。通過自適應動態(tài)偏置電路動態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓,提高了射頻功率放大器的線性度。圖2示出了本申請一實施例提供的自適應動態(tài)偏置電路的電路原理圖。如圖2所示,在自適應動態(tài)偏置電路中,nmos管mn17的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。nmos管mn17的漏極連接pmos管mp04的源極。nmos管mn17的漏極和pmos管mp04之間hia連接有并聯(lián)的電容c17和電阻r12。nmos管mn17的漏極接電源電壓vdd,pmos管mp04的源極接電源電壓vdd。nmos管mn17的源極接地,pmos管mp04的漏極通過并聯(lián)的電容c18和電阻r16接地。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極連接。第二nmos管mn18的源極接地。具體地,第二nmos管mn18的源極通過電阻r14接地。第二pmos管mp01的源極接電源電壓vdd。微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會產(chǎn)生的諧波分量,輸入、輸出匹配網(wǎng)絡除起到阻抗變換作用外。坪山區(qū)射頻功率放大器定制

射頻功率放大器地用于多種有線和無線應用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。30-500MHz射頻功率放大器定制

    圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的終端(userequipment,ue)來說,射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào),當射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。例如,在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會出現(xiàn)負增益的需求。在應用中,一方面在射頻功率放大器的電路設計中,可以降低功率增益,在不過度影響原有電路匹配的前提下,通過增強驅(qū)動級晶體管的負反饋;另一方面,可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設計,這樣對功率放大器的性能影響較小,降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路,是在高增益模式的電路基礎上,一般通過增強驅(qū)動級的負反饋來降低增益。圖1a為相關技術中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖,圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖,參見圖1a和圖1b,方案。30-500MHz射頻功率放大器定制

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