當(dāng)?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時(shí)，第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此，在具體應(yīng)用中，可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率，選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1，以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配；和/或，選擇相應(yīng)電容值的第二電容c2以及相應(yīng)電感值的第二電感l(wèi)2，以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實(shí)施中，電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容，通過(guò)調(diào)節(jié)電容c1的電容值，能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應(yīng)地，第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容，通過(guò)調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值，能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中，子濾波電路的結(jié)構(gòu)與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)相同。可以理解的是，子濾波電路的結(jié)構(gòu)也可以與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)不同。例如，子濾波電路包括電容c1，第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如，子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1，第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實(shí)施中，輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容，寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實(shí)施中，輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。云南大功率射頻功率放大器研發(fā)

    顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，以下實(shí)施例的描述順序不作為對(duì)實(shí)施例推薦順序的限定。一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示，該方法的具體流程可以如下：101、預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如，移動(dòng)終端在連接一個(gè)頻段時(shí)，需要啟動(dòng)該頻段所對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。云南高頻射頻功率放大器要多少錢微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達(dá)、導(dǎo)航系統(tǒng)的部件之一。

    則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對(duì)r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí)，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時(shí)，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實(shí)部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下，根據(jù)等效阻抗zeq的表達(dá)式可以計(jì)算出xl，進(jìn)而得到電感l(wèi)1的電感值，其中，由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上，所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進(jìn)一步提高電路實(shí)用性，并提高射頻耐壓和靜電保護(hù)能力，本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示)，通過(guò)控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比控制導(dǎo)通的寄生電阻和關(guān)斷的寄生電容以及esd能力。換句話說(shuō)，在做設(shè)計(jì)時(shí)控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比w/l，可以獲得期望的ron，其中：開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的電阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘號(hào)，μ是指電子遷移率，cox是指單位面積的柵氧化層電容，w/l是指cmos器件有效溝道長(zhǎng)度的寬長(zhǎng)比。

    因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來(lái)的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_(kāi)關(guān)sw2，增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于：通過(guò)在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路，在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)高增益模式性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，對(duì)芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負(fù)增益-10db左右。此時(shí)，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大，很小的功率泄漏都會(huì)對(duì)周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。

    第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接?？蛇x的，所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路?？蛇x的，所述lc匹配濾波電路包括：第四電容以及第四電感，其中：所述第四電感，端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接；所述第四電容，端與所述第四電感的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電感以及第六電感，其中：所述第五電感，串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間；所述第六電感，串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電容、第七電感以及第八電感，其中：所述第五電容，端與所述第六電感的第二端耦接，第二端與所述第七電感的端耦接；所述第七電感，第二端接地；所述第八電感，端與所述第五電容的端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的，所述射頻功率放大器還包括：驅(qū)動(dòng)電路；所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端接收輸入信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出所述差分信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備，包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術(shù)相比。由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計(jì)，電路必然產(chǎn)生許多諧波，匹配電路還需要有濾 波功能。河北品質(zhì)射頻功率放大器

丙類狀態(tài)：在信號(hào)周期內(nèi)存在工作電流的時(shí)間不到半個(gè)周期即導(dǎo)通角0 小于18度，丙類功放的優(yōu)點(diǎn)是效率非常高。云南大功率射頻功率放大器研發(fā)

    其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對(duì)后級(jí)驅(qū)動(dòng)放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下，sw1處在導(dǎo)通狀態(tài)，電阻r主要承擔(dān)對(duì)射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開(kāi)關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導(dǎo)體層，組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說(shuō)明的是，r所在的可控衰減電路與后級(jí)的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時(shí)，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進(jìn)入可控衰減電路的功率越多，相應(yīng)的進(jìn)入后級(jí)功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實(shí)現(xiàn)大幅度的衰減，r有時(shí)需要省略，依靠sw自身的導(dǎo)通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過(guò)以下方法得到：在未加入可控衰減電路時(shí)，若輸入匹配電路101對(duì)應(yīng)的阻抗為：z0＝r0+jx0。云南大功率射頻功率放大器研發(fā)

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