gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照?qǐng)D7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電壓源，可將vg電壓分成多個(gè)檔位，通過(guò)數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位，達(dá)到t3柵極電壓切換的效果。其中，t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu)，與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu)，是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣，t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關(guān)系。比如：t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右，t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝12ma左右，t4的偏置電流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝2ma左右；t4的偏置電流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申請(qǐng)文件實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，為了說(shuō)明輸入匹配的可控衰減電路設(shè)計(jì)，對(duì)級(jí)間匹配電路進(jìn)行了簡(jiǎn)化處理，實(shí)際的級(jí)間匹配電路是一個(gè)較為復(fù)雜的lccl網(wǎng)絡(luò)。級(jí)間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大，c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，匹配這個(gè)概念針對(duì)的是射頻信號(hào)，c7表示射頻的短路，可在射頻等效電路中省去。此外。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。湖北EMC射頻功率放大器設(shè)計(jì)

    并對(duì)漏級(jí)供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而使偏置電路中漏級(jí)電流、柵級(jí)電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可變衰減電路，在實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)輸入端口的靜電保護(hù)，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種增益控制方法，應(yīng)用于上述實(shí)施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過(guò)通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過(guò)發(fā)送模式控制信號(hào)控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換；輸入匹配電路，使可控衰減電路和驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；驅(qū)動(dòng)放大電路，放大輸入匹配電路輸出的信號(hào)；反饋電路，調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級(jí)間匹配電路，使驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配；功率放大電路，放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；輸出匹配電路，使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中。河北定制開發(fā)射頻功率放大器批發(fā)功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。

    顯示單元404可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及終端的各種圖形用戶接口，這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標(biāo)、視頻和其任意組合來(lái)構(gòu)成。顯示單元404可包括顯示面板，可選的，可以采用液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式來(lái)配置顯示面板。進(jìn)一步的，觸敏表面可覆蓋顯示面板，當(dāng)觸敏表面檢測(cè)到在其上或附近的觸摸操作后，傳送給處理器408以確定觸摸事件的類型，隨后處理器408根據(jù)觸摸事件的類型在顯示面板上提供相應(yīng)的視覺(jué)輸出。雖然在圖4中，觸敏表面與顯示面板是作為兩個(gè)的部件來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入和輸入功能，但是在某些實(shí)施例中，可以將觸敏表面與顯示面板集成而實(shí)現(xiàn)輸入和輸出功能。移動(dòng)終端還可包括至少一種傳感器405，比如光傳感器、運(yùn)動(dòng)傳感器以及其他傳感器。具體地，光傳感器可包括環(huán)境光傳感器及接近傳感器，其中，環(huán)境光傳感器可根據(jù)環(huán)境光線的明暗來(lái)調(diào)節(jié)顯示面板的亮度，接近傳感器可在終端移動(dòng)到耳邊時(shí)，關(guān)閉顯示面板和/或背光。作為運(yùn)動(dòng)傳感器的一種，重力加速度傳感器可檢測(cè)各個(gè)方向上(一般為三軸)加速度的大小，靜止時(shí)可檢測(cè)出重力的大小及方向，可用于識(shí)別手機(jī)姿態(tài)的應(yīng)用。

    所述不同的匹配電阻的電阻值不相等?？蛇x的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊。相應(yīng)的，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置，包括：預(yù)設(shè)單元，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算單元，用于計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值；比較單元，用于比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述計(jì)算單元包括：計(jì)算電阻，所述計(jì)算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接，所述計(jì)算電阻另一端與電源電壓連接；處理器，所述處理器的引腳與所述計(jì)算電阻、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接。此外，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種移動(dòng)終端，包括：存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值，配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值；處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關(guān)閉?？蛇x的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述移動(dòng)終端包括上述的移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。輸入／輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。

    LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號(hào)放大且失真較小。LDMOS管有一個(gè)低且無(wú)變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點(diǎn)，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產(chǎn)生負(fù)反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個(gè)非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發(fā)射機(jī)中的優(yōu)先。LDMOS晶體管也被應(yīng)用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過(guò)100W的LDMOS器件已經(jīng)存在，半導(dǎo)體制造商正在開發(fā)頻率范圍更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAsMESFET）砷化鎵（galliumarsenide），化學(xué)式GaAs，是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬于Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，具有高電子遷移率(是硅的5到6倍)，寬的禁帶寬度（硅是），噪聲低等特點(diǎn)，GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場(chǎng)合。射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率，提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的中心。海南超寬帶射頻功率放大器哪家好

功率放大器在無(wú)線通信系統(tǒng)中是一個(gè)不可缺少的重要組成部分通信體制的發(fā)展功率放大器進(jìn)入了快速發(fā)展的階段。湖北EMC射頻功率放大器設(shè)計(jì)

    每個(gè)主體電路中的功率放大器包括2個(gè)共源共柵放大器；在每個(gè)主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊；在第二主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。可選的，變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容，變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過(guò)電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵(lì)放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵(lì)放大器柵放大器的柵極通過(guò)電阻接第二偏置電壓。可選的，第三變壓器的副邊和第四變壓器的副邊之間還連接有電容，第三變壓器原邊的中端和第四變壓器原邊的中端分別通過(guò)電感連接電源電壓、以及連接接地電容。本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路動(dòng)態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓，提高了射頻功率放大器的線性度。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案。湖北EMC射頻功率放大器設(shè)計(jì)

能訊通信科技（深圳）有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型的公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。能訊通信立足于全國(guó)市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。