因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時輸出訊號功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中，可實現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN器件比Si和GaAs有更強抗輻照能力，同時GaN又是高熔點材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。相較于基于Si的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（SiLDMOS。在射頻／微波 IC中一般用方形螺旋電感。海南射頻功率放大器原理

    主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接，輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說，在本發(fā)明實施例中，次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成，輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中，匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接，以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中，輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路，其中：子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接，子濾波電路的第二端可以接地；第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接，第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說，在本發(fā)明實施例中，在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設(shè)置有對應(yīng)的濾波電路。射頻功率放大器批發(fā)噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值，單位常用“dB'’。

    射頻功率放大器電路，用于根據(jù)微控制器的控制，對射頻收發(fā)器的輸出信號進行放大或衰減；天線，用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠(yuǎn)的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大；而距離基站近的終端，其信道衰減量小，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，從而控制其輸出功率，使其輸出功率滿足要求。例如，基站使用預(yù)先確定的通信資源發(fā)送同步信號(synchronizationchannel，sch)和廣播信號(broadcastchannel，bch)。然后，終端首先捕捉sch，從而確保與基站之間的同步。然后，終端通過讀取bch而獲取基站特定的參數(shù)(如頻率、帶寬等)。終端在獲取到基站特定的參數(shù)之后，通過對基站進行連接請求，建立與基站的通信?；靖鶕?jù)需要對建立了通信的終端通過物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道發(fā)送控制信息。終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，控制輸出功率，使其滿足要求。基站在與終端的通信過程中，根據(jù)路徑損耗(pathloss，pl)確定鏈路預(yù)算(linkbudget，lb)。

    此時信號將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實現(xiàn)線性輸出，此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺的要求，這樣可保證應(yīng)用端配置的靈活性。比如同樣功率等級下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號覆蓋要求。參見圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經(jīng)加強負(fù)反饋基礎(chǔ)上(引入負(fù)反饋電路)，調(diào)節(jié)各級晶體管的偏置電路(例如調(diào)節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調(diào)節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引入可控衰減電路，可以進一步降低增益。從理論來講，可控衰減電路通過設(shè)計可以滿足負(fù)增益的需求。這里，可控衰減電路需要考慮盡量降低其對放大器輸入匹配電路的影響，它好可以與輸入匹配電路的設(shè)計融合。另外，需要射頻功率放大器電路在沒有處于負(fù)增益工作模式下時，具有適當(dāng)?shù)纳漕l傳導(dǎo)功率容量和靜電保護能力(electro-staticdischarge，esd)。本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路，如圖2所示，與圖1a相比，在輸入端口和輸入匹配電路之間插入可控衰減電路。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

    溫度每升高10°C將會導(dǎo)致內(nèi)部功率器件的平均無故障工作時間（MTBF）縮短。AB類放大器在討論AB類放大器之前，讓我們簡單地說一說B類放大器。B類放大器的晶體管偏置使得器件在輸入信號的半個周期內(nèi)導(dǎo)通，在另半個周期截止，為了復(fù)現(xiàn)整個周期的信號，可采用雙管B類推挽電路，如圖所示。B類放大器的偏置設(shè)置使得當(dāng)在沒有輸入信號的情況下器件的輸出電流為零，每個器件只在特定的信號半周期內(nèi)工作，因此，B類放大器具有高的效率，理論上可以達(dá)到。但由于兩個管子交替著開啟關(guān)閉引起的交越失真使得線性度不好。這種交越失真的存在使它不適合商用電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用。AB類放大器也是EMC領(lǐng)域常用的功率放大器，其工作原理圖如圖5所示。圖5：AB類放大器的工作原理圖AB類放大器試圖使得工作效率與B類放大器接近，而線性度與A類放大器接近。通過調(diào)整對偏置電壓的設(shè)置，使得AB類放大器中的每個管子都可以像B類放大器一樣分別在輸入信號的半個周期內(nèi)導(dǎo)通，但在兩個半周期中每個管子都會有同時導(dǎo)通的一個很小的區(qū)域，這就避免了兩個管子同時關(guān)閉的區(qū)間，結(jié)果是，當(dāng)來自兩個器件的波形進行組合時，交叉區(qū)域?qū)е碌慕辉绞д姹粶p少或完全消除。通過對靜態(tài)工作點的精確設(shè)置。乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號周期內(nèi)只有半個周期存在工作電流，即導(dǎo) 通角0為180度.對于AM。海南射頻功率放大器原理

射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關(guān)放大 器包括D類、E類和F類等。海南射頻功率放大器原理

    所述不同的匹配電阻的電阻值不相等?？蛇x的，在本申請的一些實施例中，所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測模塊。相應(yīng)的，本申請實施例還提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置，包括：預(yù)設(shè)單元，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計算單元，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較單元，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。可選的，在本申請的一些實施例中，所述計算單元包括：計算電阻，所述計算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測模塊連接，所述計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器，所述處理器的引腳與所述計算電阻、所述射頻功率放大器檢測模塊連接。此外，本申請實施例還提供了一種移動終端，包括：存儲器，用于存儲射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值，配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關(guān)閉?？蛇x的，在本申請的一些實施例中，所述移動終端包括上述的移動終端射頻功率放大器檢測裝置。本申請實施例提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。海南射頻功率放大器原理