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湖南低頻射頻功率放大器設(shè)計(jì)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-19

   較小的線圈自感和較大的寄生電容會(huì)額外影響變壓器的輸入輸出阻抗,需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗,進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換),這會(huì)影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位,也會(huì)降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實(shí)施例中,增加輔次級(jí)線圈,可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備,包括上述任一實(shí)施例所提供的射頻功率放大器。通信設(shè)備中還可以存在其他模塊,例如基帶芯片、天線電路等,上述的其他模塊均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的模塊,本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。雖然本發(fā)明披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與修改,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡(jiǎn)化。湖南低頻射頻功率放大器設(shè)計(jì)

   第二端接地??蛇x的,所述子濾波電路包括:電容;所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接,第二端接地。可選的,所述子濾波電路還包括:電感;所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間??蛇x的,所述第二子濾波電路包括:第二電容;所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接,第二端接地。可選的,所述第二子濾波電路還包括:第二電感;所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間??蛇x的,所述輸入端匹配濾波電路還包括:寄生電容;所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間??蛇x的,所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路;所述第三子濾波電路的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路包括:第三電容;所述第三電容的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路還包括:第三電感;所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間。可選的,所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路;所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接。江西4g射頻功率放大器輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。

   寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好,可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器,參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。

將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器。RF系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)市場(chǎng)可分為一級(jí)和二級(jí)SiP封裝:各種RF器件的一級(jí)封裝,如芯片/晶圓級(jí)濾波器、開關(guān)和放大器(包括RDL、RSV和/或凸點(diǎn)步驟);在表面貼裝(SMT)階段進(jìn)行的二級(jí)SiP封裝,其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上。2018年,射頻前端模組SiP市場(chǎng)(包括一級(jí)和二級(jí)封裝)總規(guī)模為33億美元,預(yù)計(jì)2018~2023年期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到,市場(chǎng)規(guī)模到2023年將增長(zhǎng)至53億美元。預(yù)測(cè)2023年,PAMiDSiP組裝預(yù)計(jì)將占RFSiP市場(chǎng)總營(yíng)收的39%。2018年,晶圓級(jí)封裝大約占RFSiP組裝市場(chǎng)總量的9%。移動(dòng)領(lǐng)域各種射頻前端模組的SiP市場(chǎng),包括:PAMiD(帶集成雙工器的功率放大器模塊)、PAM(功率放大器模塊)、RxDM(接收分集模塊)、ASM(開關(guān)復(fù)用器、天線開關(guān)模塊)、天線耦合器(多路復(fù)用器)、LMM(低噪聲放大器-多路復(fù)用器模塊)、MMMBPa(多模、多頻帶功率放大器)和毫米波前端模組。MEMS預(yù)測(cè),到2023年,用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場(chǎng)將分別占SiP市場(chǎng)總量的82%和18%。按蜂窩通信標(biāo)準(zhǔn),支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模組將占到2023年RFSiP市場(chǎng)總量的28%。智能手機(jī)將貢獻(xiàn)射頻前端模組SiP組裝市場(chǎng)的43%。匹配電路是放大器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵一環(huán),可以說放大設(shè)計(jì)主要是匹配設(shè)計(jì)。

   功率合成模塊,定向耦合器,功率監(jiān)測(cè)模塊,保護(hù)電路,電源供電模塊,顯示和控制單元等,如圖8所示。圖8:AMETEK固態(tài)射頻功放的組成結(jié)構(gòu)為了便于裝配,調(diào)試,升級(jí),維修,AMETEK的功放在業(yè)界率先采用了模塊化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),內(nèi)部模塊及各種走線的布局干凈整潔,如圖9所示。圖9:AMETEK固態(tài)射頻功放的模塊化結(jié)構(gòu)AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz,如圖10所示。圖10:AMETEK的功放產(chǎn)品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz不但可以滿足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及醫(yī)療等商用EMC標(biāo)準(zhǔn),還可以滿足諸如MIL461-RS103/CS114,DO-160,MIL-464等航空和EMC標(biāo)準(zhǔn)的抗擾度測(cè)試對(duì)功放的需求,不但可以提供功放產(chǎn)品,還可以提供包括整套系統(tǒng)在內(nèi)的交鑰匙工程。歡迎溝通交流!歡迎各位參與交流,分享!寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。湖南短波射頻功率放大器設(shè)計(jì)

微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個(gè)腔體內(nèi),由于頻率高,往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。湖南低頻射頻功率放大器設(shè)計(jì)

   RF)微波和毫米波應(yīng)用,設(shè)計(jì)和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信,以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐,Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號(hào)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀,從器件級(jí)到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配,覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.(ADI)收購(gòu)合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱,所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA,倒是用過其他頻段GainBlock和PA,查找其官方網(wǎng)站,似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè),HMC408,其性能如下。MicrochipMicrochip(2010年收購(gòu)了SST)是全球的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek(Ralink)的參考設(shè)計(jì)。湖南低頻射頻功率放大器設(shè)計(jì)

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