第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構成一個匹配網絡。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構成一個共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構成一個共源共柵放大器；第二主體電路的激勵放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構成一個共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構成一個共源共柵放大器。在主體電路中，激勵放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn01的柵極和nmos管mn02的柵極分別與變壓器t01的副邊連接，nmos管mn03的漏極連接電容c04，nmos管mn04的漏極連接電容c05。nmos管mn03的漏極和nmos管mn04的漏極為主體電路中激勵放大器的輸出端。在第二主體電路中，激勵放大器中源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn09的柵極和nmos管mn10的柵極分別與變壓器t01的副邊連接。諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關系。吉林射頻功率放大器5w

    RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網站，似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè)，HMC408，其性能如下。MicrochipMicrochip（2010年收購了SST）是全球的單片機和模擬半導體供應商，為全球數以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek（Ralink）的參考設計。河北低頻射頻功率放大器哪里賣功率放大器在無線通信系統(tǒng)中是一個不可缺少的重要組成部分通信體制的發(fā)展功率放大器進入了快速發(fā)展的階段。

    本發(fā)明實施例的技術方案具有以下有益效果：增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發(fā)明實施例中的一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖2是本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖3是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖4是本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖5是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖6是本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖7是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。具體實施方式如上所述，現(xiàn)有技術中，采用普通結構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優(yōu)點是結構相對簡單，缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器。

    用于使所述可控衰減電路和所述驅動放大電路之間阻抗匹配；所述驅動放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法，應用于上述的射頻功率放大器電路，所述方法包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定所述射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進入所述工作模式；所述可控衰減電路，根據所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；所述輸入匹配電路，用于使所述可控衰減電路和所述驅動放大電路之間阻抗匹配；所述驅動放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。

    主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接；輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接，輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說，在本發(fā)明實施例中，次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成，輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中，匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接，以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中，輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路，其中：子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接，子濾波電路的第二端可以接地；第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接，第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說，在本發(fā)明實施例中，在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設置有對應的濾波電路。阻抗匹配，關系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標 。廣西定制開發(fā)射頻功率放大器生產廠家

射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的。吉林射頻功率放大器5w

    gate)電壓偏置電路由內部電壓源vg、r8、r9和c13按照圖7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網絡，起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實際模擬電路中設計電壓源，可將vg電壓分成多個檔位，通過數字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位，達到t3柵極電壓切換的效果。其中，t4和t5組成的疊管結構，與t2和t3組成的疊管結構，是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣，t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關系。比如：t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右，t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝12ma左右，t4的偏置電流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在負增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝2ma左右；t4的偏置電流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申請文件實施例提供的射頻功率放大器電路中，為了說明輸入匹配的可控衰減電路設計，對級間匹配電路進行了簡化處理，實際的級間匹配電路是一個較為復雜的lccl網絡。級間匹配電路中的c7的電容數值較大，c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是，在本申請實施例中，匹配這個概念針對的是射頻信號，c7表示射頻的短路，可在射頻等效電路中省去。此外。吉林射頻功率放大器5w

能訊通信科技（深圳）有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。能訊通信作為產 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關 LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產品。功放整機 。的企業(yè)之一，為客戶提供良好的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機，無人機干擾功放。能訊通信致力于把技術上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。能訊通信始終關注電子元器件市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。