LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實(shí)現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時(shí)代的到來，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會(huì)對(duì)集成度要求越來越高，GaN自有的先天優(yōu)勢(shì)會(huì)加速功率器件集成化的進(jìn)程。5G會(huì)帶動(dòng)GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場(chǎng)發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測(cè)未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢(shì)更明顯。就電信市場(chǎng)而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。上海線性射頻功率放大器

    射頻前端集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù)：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下：一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓；功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端，功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端；自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器；其中，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路至少由若干個(gè)nmos、若干個(gè)pmos管、若干個(gè)電容和電阻組成?？蛇x的。遼寧EMC射頻功率放大器系列發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。

    用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的的示意圖。

    實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動(dòng)放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照?qǐng)D7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號(hào)的作用。第二mos管的寬長(zhǎng)比w/l是第六mos管的寬長(zhǎng)比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍，因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍，實(shí)現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個(gè)可調(diào)節(jié)檔位，通過微處理器發(fā)出的第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)，控制電流源檔位的切換，可切換第二mos管的漏極電流，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照?qǐng)D7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個(gè)可調(diào)節(jié)檔位。穩(wěn)定性是指放大器在環(huán)境(如溫度、信號(hào)頻率、源及負(fù)載等)變化比較大的情況 下依1日保持正常工作特性的能力。

    當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對(duì)射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入功率放大器進(jìn)行放大(在加強(qiáng)了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號(hào))。本申請(qǐng)實(shí)施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，整個(gè)電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來從rfin端進(jìn)入電路的輸入信號(hào)，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個(gè)電路的負(fù)增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動(dòng)級(jí)的反饋電路向反饋增強(qiáng)切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時(shí)滿足時(shí)，從設(shè)計(jì)看整體電路增益低實(shí)現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負(fù)增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會(huì)產(chǎn)生的諧波分量，輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)除起到阻抗變換作用外。安徽線性射頻功率放大器要多少錢

功率放大器的放大原理主要是將電源的直流功率轉(zhuǎn)化成交流信號(hào)功率輸出。上海線性射頻功率放大器

    Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場(chǎng)包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多，也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中，近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯(cuò)的話，LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。上海線性射頻功率放大器

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