全自動金相切割機的切割精度與穩(wěn)定性分析-全自動金相切割機
全自動顯微維氏硬度計在電子元器件檢測中的重要作用
全自動顯微維氏硬度計:提高材料質(zhì)量評估的關(guān)鍵工具
全自動維氏硬度計對現(xiàn)代制造業(yè)的影響?-全自動維氏硬度計
跨越傳統(tǒng)界限:全自動顯微維氏硬度計在復(fù)合材料檢測中的應(yīng)用探索
從原理到實踐:深入了解全自動顯微維氏硬度計的工作原理
全自動金相切割機在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用前景-全自動金相切割機
全自動金相切割機的工作原理及優(yōu)勢解析-全自動金相切割機
全自動洛氏硬度計在材料科學(xué)研究中的應(yīng)用?-全自動洛氏硬度計
全自動維氏硬度計在我國市場的發(fā)展現(xiàn)狀及展望-全自動維氏硬度計
Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設(shè)計能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計中,近期的參考設(shè)計就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計中。發(fā)射機的前級電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。上海高頻射頻功率放大器檢測技術(shù)
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù):在無線通信中,用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中,用戶設(shè)備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會隨著工作頻率變化,難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa,每個功率放大器支持一個頻段,需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬,pa很難在整個頻段內(nèi)實現(xiàn)高線性和高效率,在設(shè)計的過程中會存在線性度和效率和折中處理,同時頻段內(nèi)的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴(yán)格的要求。當(dāng)pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設(shè)計的重點和難點。山東高頻射頻功率放大器聯(lián)系電話丙類狀態(tài):在信號周期內(nèi)存在工作電流的時間不到半個周期即導(dǎo)通角0 小于18度,丙類功放的優(yōu)點是效率非常高。
控制信號vgg通過電阻與開關(guān)連接,同時通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同,開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單開關(guān)的寄生電阻值相同。開關(guān)和備用開關(guān)的控制邏輯相同:非負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時關(guān)斷;負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時打開,不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中,開關(guān)和備用開關(guān)均為n型mos管,其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管,也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管。可見,在本申請實施例中,因為使用了疊管設(shè)計,將開關(guān)和備用開關(guān)疊加,使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升,相對于單mos管,能在大電流下更好的保護開關(guān)和備用開關(guān),使其不被損壞。在一個可能的示例中,輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2,第二電感的端連接第二電阻的第二端,第二電感的第二端連接電容的端,電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中,假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin=r0-jx0,可控衰減電路的等效阻抗為z20=r20+jx20,輸入匹配電路的等效阻抗為z30=r30+jx30,為了實現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。
因為柵長l固定,因此可以通過設(shè)計柵寬w得到寄生電阻大小為ron的mos管。寄生電容coff=fom/ron,fom為半導(dǎo)體工藝商提供的參數(shù),單位為fs(飛秒),在寄生電阻ron確定后,可確定寄生電容coff的大小,如此,即可確定可控衰減電路中開關(guān)的相關(guān)參數(shù)。在一個可能的示例中,可控衰減電路包括電阻、備用電阻rn、電感、開關(guān)和備用開關(guān)tn,開關(guān)的柵級與電阻的端連接,電阻的第二端連接電壓信號,開關(guān)的漏級與備用開關(guān)的源級連接,開關(guān)的源級接地,備用開關(guān)的柵級連接備用電阻的端,備用電阻的第二端連接電壓信號,備用開關(guān)的漏級連接電感的端,電感的第二端連接輸入信號;其中,開關(guān)和備用開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式;還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài),實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式;其中,控制信號為具有電壓值的電壓信號,第二控制信號為具有第二電壓值的電壓信號,電壓值與第二電壓值不同。其中,為進一步提高耐壓能力和靜電保護能力,可采用如圖9所示的可控衰減電路,將第二電阻替換成備用開關(guān)和備用電阻。對整個放大器進行特性分析如果特性不滿足預(yù)定要求,具 體電路則用多級阻抗變換,短截線等微帶線電路來實現(xiàn)。
射頻前端集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù):射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數(shù)。諸如lte和,要求射頻前端模塊具有極高的線性度,射頻功率放大器作為一個發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分,對整個系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成,但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實現(xiàn)要素:為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題,本申請?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下:一方面,本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器,包括功率放大器、激勵放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動態(tài)偏置電路,自適應(yīng)動態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓;功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵放大器連接射頻輸入端,功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端;自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端,自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器;其中,自適應(yīng)動態(tài)偏置電路至少由若干個nmos、若干個pmos管、若干個電容和電阻組成。可選的。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。浙江V段射頻功率放大器經(jīng)驗豐富
GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.上海高頻射頻功率放大器檢測技術(shù)
計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值,所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器,所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時,能夠通過對射頻功率放大器的狀態(tài)檢測,快速設(shè)置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本申請的一些實施例,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法的流程示意圖;圖2為本申請實施例提供的一種射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖;圖3是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本申請實施例提供的移動終端的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。上海高頻射頻功率放大器檢測技術(shù)
能訊通信科技(深圳)有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型的公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細(xì)節(jié),公司旗下射頻功放,寬帶射頻功率放大器,射頻功放整機,無人機干擾功放深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗,為客戶成功提供堅實有力的支持。