氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開(kāi)始普遍應(yīng)用在EMC領(lǐng)域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類(lèi)放大器有不同種的分類(lèi)方法，習(xí)慣上基于放大器件在一個(gè)完整的信號(hào)擺動(dòng)周期中工作的時(shí)間量，也就是導(dǎo)電角的不同進(jìn)行分類(lèi)，通過(guò)對(duì)放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領(lǐng)域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類(lèi)，AB類(lèi)和C類(lèi)。A類(lèi)放大器A類(lèi)放大器的有源器件在輸入正弦信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)都導(dǎo)通，普遍認(rèn)為，A類(lèi)和線性放大器是同義詞，輸出信號(hào)是對(duì)輸入信號(hào)的線性放大，在無(wú)線通信應(yīng)用領(lǐng)域必須要考慮到針對(duì)復(fù)雜調(diào)制信號(hào)時(shí)的情況。在EMC應(yīng)用領(lǐng)域，輸入信號(hào)相對(duì)簡(jiǎn)單，放大器必須工作在功率壓縮閾值的情況下。A類(lèi)放大器是EMC領(lǐng)域常用的功率放大器，其工作原理圖如圖4所示。圖4：A類(lèi)放大器的工作原理圖不管是否有射頻輸入信號(hào)存在，A類(lèi)放大器的偏置設(shè)置使得晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)位于器件電流的中心位置。功率放大器因此要盡量采用典型可 靠的電路、合理分配增益、減少放大器的級(jí)數(shù)，以降低故障概率。浙江寬帶射頻功率放大器研發(fā)

    是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是無(wú)線連接，也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本申請(qǐng)中的具體含義。此外，下面所描述的本申請(qǐng)不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請(qǐng)參考圖1，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。江蘇寬帶射頻功率放大器諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號(hào)同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號(hào)大小呈一定的比例關(guān)系。

    因?yàn)檫@些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無(wú)線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達(dá)Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設(shè)計(jì)的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內(nèi)的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時(shí)，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導(dǎo)、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實(shí)現(xiàn)頻率達(dá)40GHz，功率達(dá)幾W的功率放大器。在EMC領(lǐng)域，采用此種材料可以實(shí)現(xiàn)，功率達(dá)200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術(shù)，與GaAs和Si基半導(dǎo)體技術(shù)相比。

    較小的線圈自感和較大的寄生電容會(huì)額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來(lái)調(diào)節(jié)阻抗，進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會(huì)影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會(huì)降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實(shí)施例中，增加輔次級(jí)線圈，可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì)，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備，包括上述任一實(shí)施例所提供的射頻功率放大器。通信設(shè)備中還可以存在其他模塊，例如基帶芯片、天線電路等，上述的其他模塊均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的模塊，本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。

    本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù)：在無(wú)線通信中，用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動(dòng)通信(lte)中，用戶設(shè)備需要支持40多個(gè)工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會(huì)隨著工作頻率變化，難以實(shí)現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個(gè)pa，每個(gè)功率放大器支持一個(gè)頻段，需要三個(gè)寬帶pa。尤其是lb的相對(duì)頻率帶寬，pa很難在整個(gè)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)高線性和高效率，在設(shè)計(jì)的過(guò)程中會(huì)存在線性度和效率和折中處理，同時(shí)頻段內(nèi)的不同頻點(diǎn)的性能也不同。無(wú)線通信對(duì)發(fā)射頻譜的雜散有嚴(yán)格的要求。當(dāng)pa后連接的濾波器對(duì)諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時(shí)要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組，nbiot前端模組)，要求pa的匹配濾波電路同時(shí)具有很高的諧波抑制性能，因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計(jì)一種寬帶功率放大器，在功率頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)一致且良好的性能，成為寬帶pa的設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。對(duì)整個(gè)放大器進(jìn)行特性分析如果特性不滿足預(yù)定要求，具 體電路則用多級(jí)阻抗變換，短截線等微帶線電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。遼寧U段射頻功率放大器

功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。浙江寬帶射頻功率放大器研發(fā)

電子元器件行業(yè)位于產(chǎn)業(yè)鏈的中游，介于電子整機(jī)行業(yè)和電子原材料行業(yè)之間，其發(fā)展的快慢，所達(dá)到的技術(shù)水平和生產(chǎn)規(guī)模，不僅直接影響著整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而且對(duì)發(fā)展信息技術(shù)，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高現(xiàn)代化裝備水平，促進(jìn)科技進(jìn)步都具有重要意義。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力、市場(chǎng)影響力、企業(yè)管理能力以及企業(yè)經(jīng)營(yíng)規(guī)模實(shí)力等方面，繼續(xù)做大做強(qiáng)，不斷強(qiáng)化公司在國(guó)內(nèi)產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類(lèi)開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。授權(quán)分銷(xiāo)行業(yè)的優(yōu)先地位。因?yàn)樾袠I(yè)產(chǎn)值的天花板仍很高，在這個(gè)領(lǐng)域內(nèi)繼續(xù)整合的空間還很大。眼下，市場(chǎng)缺口較大的，還是LCD領(lǐng)域，由于LCD價(jià)格逐漸提高，同時(shí)也開(kāi)始向新的生產(chǎn)型方向發(fā)展，相應(yīng)的電子元器件產(chǎn)能并沒(méi)有及時(shí)跟進(jìn)。因此，對(duì)于理財(cái)者來(lái)說(shuō)，從這一方向入手，有望把握下**業(yè)增長(zhǎng)的紅利。5G時(shí)代天線、射頻前端和電感等電子元件需求將明顯提升,相關(guān)射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放公司如信維通信、碩貝德、順絡(luò)電子等值的關(guān)注。提升傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品中**供給體系質(zhì)量,增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力:在傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)產(chǎn)品上,中國(guó)消費(fèi)電子企業(yè)在產(chǎn)業(yè)全球化趨勢(shì)下作為關(guān)鍵供應(yīng)鏈和主要市場(chǎng)的地位已經(jīng)確立,未來(lái)供應(yīng)體系向中**產(chǎn)品傾斜有利于增強(qiáng)企業(yè)贏利能力。浙江寬帶射頻功率放大器研發(fā)

能訊通信科技（深圳）有限公司總部位于南頭街道馬家龍社區(qū)南山大道3186號(hào)明江大廈C501，是一家產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類(lèi)開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。的公司。能訊通信擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放。能訊通信致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。能訊通信始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。