驅動放大電路和功率放大電路的電路結構一樣，但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結構和dc偏置都需要進行切換，即，通過改變反饋電路中的開關、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實現(xiàn)以上功率模式，以及實現(xiàn)非負增益模式和負增益模式。圖2b是本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖，如圖2b所示，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅動放大電路102、級間匹配電路103、功率放大電路105和輸出匹配電路106，與驅動放大電路102跨接的反饋電路103；可控衰減電路107，用于根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路101，用于使可控衰減電路和驅動放大電路之間阻抗匹配；驅動放大電路102，用于放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路103，用于調節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路104，用于使驅動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配。微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個腔體內，由于頻率高，往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。安徽電臺射頻功率放大器

    本發(fā)明涉及通信技術領域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術：在無線通信中，用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中，用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會隨著工作頻率變化，難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa，每個功率放大器支持一個頻段，需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬，pa很難在整個頻段內實現(xiàn)高線性和高效率，在設計的過程中會存在線性度和效率和折中處理，同時頻段內的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴格的要求。當pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組，nbiot前端模組)，要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能，因此不需要再在pa后增加濾波器。設計一種寬帶功率放大器，在功率頻率范圍內實現(xiàn)一致且良好的性能，成為寬帶pa的設計的重點和難點。廣東射頻功率放大器檢測技術射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。

    第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接?？蛇x的，所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路?？蛇x的，所述lc匹配濾波電路包括：第四電容以及第四電感，其中：所述第四電感，端與所述主次級線圈的第二端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接；所述第四電容，端與所述第四電感的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電感以及第六電感，其中：所述第五電感，串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間；所述第六電感，串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電容、第七電感以及第八電感，其中：所述第五電容，端與所述第六電感的第二端耦接，第二端與所述第七電感的端耦接；所述第七電感，第二端接地；所述第八電感，端與所述第五電容的端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的，所述射頻功率放大器還包括：驅動電路；所述驅動電路的輸入端接收輸入信號，所述驅動電路的輸出端輸出所述差分信號，所述驅動電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設備，包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術相比。

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優(yōu)方案，預計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡單元應用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡建設中扮演很重要的角色。不過，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs等現(xiàn)有技術仍有其優(yōu)勢。與此同時，由于更高的頻率降低了每個基站的覆蓋率，因此需要應用更多的晶體管，預計市場出貨量增長速度將加快。預計到2025年GaN將主導RF功率器件市場，搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2014年基站RF功率器件市場規(guī)模為11億美元，其中GaN占比11%，而橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術（LDMOS）占比88%。2017年，GaN市場份額預估增長到了25%，并且預計將繼續(xù)保持增長。預計到2025年GaN將主導RF功率器件市場。乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號周期內只有半個周期存在工作電流，即導 通角0為180度.

    輸出則是方波信號，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優(yōu)點與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價獲得射頻功率。風冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點脈沖射頻信號放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點和適用的功率和頻率范圍，隨著半導體技術的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實現(xiàn)成為可能并且越來越容易實現(xiàn)。作為EMC領域的常用的射頻微波功率放大器的幾個類別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點和適用的場合。在實際的EMC抗擾度測試中，我們需要根據(jù)實際需求進行合理的選擇。，分別是TESEQ，MILMEGA和IFI，如圖7所示。既有固態(tài)類功放，也有適合于高頻大功率應用的TWT功放。圖7：AMETEK旗下?lián)碛腥齻€品牌的功放產(chǎn)品作為這些不同頻段不同功率的固態(tài)類射頻微波功放產(chǎn)品，采用了以上所述的不同類型的半導體材料制成的晶體管，具有A類，AB類以及C類不同種功率放大器。這些功放的內部都由若干個部分組成，主要包括：輸入驅動模塊，信號分離模塊，功率放大器模塊。射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的。短波射頻功率放大器報價

功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。安徽電臺射頻功率放大器

    在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實施中，差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的輸入信號進行差分處理后得到的。具體的，對輸入信號進行差分處理的原理及過程可以參照現(xiàn)有技術，本發(fā)明實施例不做贅述。在具體實施率合成變壓器可以包括初級線圈11以及次級線圈。在本發(fā)明實施例中，初級線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的差分信號；初級線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的第二差分信號。在本發(fā)明實施例中，次級線圈可以包括主次級線圈121以及輔次級線圈122。主次級線圈121的端接地。安徽電臺射頻功率放大器

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