實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式;其中,偏置電路與驅(qū)動放大電路連接,第二偏置電路與功率放大電路連接。其中,如圖7所示,偏置電路1020包括:第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍,因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍,實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位,通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號,控制電流源檔位的切換,可切換第二mos管的漏極電流,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.福建寬帶射頻功率放大器技術(shù)
第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端,第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端,第五電阻的第二端連接第五電容的端,第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端;其中,第二開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式;還用于響應(yīng)第八控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式。需要說明的是,假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數(shù)為a,反饋電路的反饋系數(shù)為f,則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af=a/(1+af),隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低,反饋系數(shù)f變大,反饋深度增加,放大系數(shù)af變小,有利于射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。其中,第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式;第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第八控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。在一些實施例中,反饋電路還可如圖6所示。云南超寬帶射頻功率放大器值得推薦在通信和雷達系統(tǒng)率放大器是極其重要的組成部分主要參數(shù)有最大輸出功率、效率、線性度和增益等。
射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段,預(yù)設(shè)該頻段對應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài),由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302,用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如,移動終端進行頻段切換時,射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值,通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中,計算單元還包括計算電阻和處理器,計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接,計算電阻另一端與電源電壓連接;處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303,用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如,將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較,可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中,射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同,則表示射頻功率放大器還沒有開啟,移動終端開啟此射頻功率放大器。
所述不同的匹配電阻的電阻值不相等??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測模塊。相應(yīng)的,本申請實施例還提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置,包括:預(yù)設(shè)單元,用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計算單元,用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較單元,用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。可選的,在本申請的一些實施例中,所述計算單元包括:計算電阻,所述計算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測模塊連接,所述計算電阻另一端與電源電壓連接;處理器,所述處理器的引腳與所述計算電阻、所述射頻功率放大器檢測模塊連接。此外,本申請實施例還提供了一種移動終端,包括:存儲器,用于存儲射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值,配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;處理器,用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關(guān)閉??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述移動終端包括上述的移動終端射頻功率放大器檢測裝置。本申請實施例提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真,出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡單、易于集成和實現(xiàn)等優(yōu)點。
因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V,優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency,輸出訊號功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時輸出訊號功率的頻率),擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板,開啟了一系列全新的可能應(yīng)用,尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中,可實現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝,主要包括如下環(huán)節(jié):外延生長-器件隔離-歐姆接觸(制作源極、漏極)-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物,具有強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高的、化學(xué)穩(wěn)定性好,使得GaN器件比Si和GaAs有更強抗輻照能力,同時GaN又是高熔點材料,熱傳導(dǎo)率高,GaN功率器件通常采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底,因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫,能在高溫環(huán)境下工作。GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率,已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。相較于基于Si的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(SiLDMOS。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移動電話基站、雷達,應(yīng)用于 無線電廣播傳輸器以及微波雷達與導(dǎo)航系統(tǒng)。優(yōu)勢射頻功率放大器檢測技術(shù)
微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。福建寬帶射頻功率放大器技術(shù)
用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路,用于放大所述級間匹配電路輸出的信號;所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法,應(yīng)用于上述的射頻功率放大器電路,所述方法包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定所述射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進入所述工作模式;所述可控衰減電路,根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路,用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號;所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級間匹配電路,用于使所述驅(qū)動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路。福建寬帶射頻功率放大器技術(shù)
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