射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)的存儲器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個(gè)或者一個(gè)以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖4中示出的移動終端結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對移動終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置。其中：rf電路401可用于收發(fā)信息或通話過程中，信號的接收和發(fā)送，特別地，將基站的下行信息接收后，交由一個(gè)或者一個(gè)以上處理器408處理；另外，將涉及上行的數(shù)據(jù)發(fā)送給基站。通常，rf電路401包括但不限于天線、至少一個(gè)放大器、調(diào)諧器、一個(gè)或多個(gè)振蕩器、用戶身份模塊(sim，subscriberidentitymodule)卡、收發(fā)信機(jī)、耦合器、低噪聲放大器(lna，lownoiseamplifier)、雙工器等。此外，rf電路401還可以通過無線通信與網(wǎng)絡(luò)和其他設(shè)備通信。所述無線通信可以使用任一通信標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議。乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號周期內(nèi)只有半個(gè)周期存在工作電流，即導(dǎo) 通角0為180度.福建定制開發(fā)射頻功率放大器定制

    需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計(jì)算得到r20和x20，進(jìn)一步的，在第二電阻和開關(guān)的參數(shù)已知的情況下，可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?，所以，電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小，因此在非負(fù)增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下，回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中，驅(qū)動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3，其中：第二mos管的柵級與第三電阻的第二端連接，第二mos管的漏級與第三mos管的源級連接，第二mos管的源級接地，第二電容的端連接第三mos管的柵級，第二電容的第二端接地。其中，第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個(gè)可能的示例中，反饋電路103包括：第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開關(guān)k1，其中：第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級，第四電容的第二端連接第四電阻的端，第四電阻的第二段連接第三電容的端。河南線性射頻功率放大器技術(shù)效率：功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負(fù)載 等因素外，還與輸出匹配電路密切相關(guān)。

4G/5G基礎(chǔ)設(shè)施用RF半導(dǎo)體的市場規(guī)模將達(dá)到16億美元，其中，MIMOPA年復(fù)合增長率將達(dá)到135%，射頻前端模塊的年復(fù)合增長率將達(dá)到119%。預(yù)計(jì)未來5～10年，GaN將成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。根據(jù)Yole預(yù)測，2017年，全球GaN射頻市場規(guī)模約為，在3W以上（不含手機(jī)PA）的RF射頻市場的滲透率超過20%。GaN在基站、雷達(dá)和航空應(yīng)用中，正逐步取代LDMOS。隨著數(shù)據(jù)通訊、更高運(yùn)行頻率和帶寬的要求日益增長，GaN在基站和無線回程中的應(yīng)用持續(xù)攀升。在未來的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，針對載波聚合和大規(guī)模輸入輸出（MIMO）等新技術(shù)，GaN將憑借其高效率和高寬帶性能，相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置。未來5～10年內(nèi)，預(yù)計(jì)GaN將逐步取代LDMOS，并逐漸成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。而GaAs將憑借其得到市場驗(yàn)證的可靠性和性價(jià)比，將確保其穩(wěn)定的市場份額。LDMOS的市場份額則會逐步下降，預(yù)測期內(nèi)將降至整體市場規(guī)模的15%左右。到2023年，GaNRF器件市場規(guī)模達(dá)到13億美元，約占3W以上的RF功率市場的45%。截止2018年底，整個(gè)RFGaN市場規(guī)模接近。未來大多數(shù)低于6GHz的宏網(wǎng)絡(luò)單元實(shí)施將使用GaN器件，無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用占比將進(jìn)一步提高至近43%。RFGaN市場的發(fā)展方向GaN技術(shù)主要以IDM為主。

    第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路；所述第三子濾波電路的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路包括：第三電容；所述第三電容的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路還包括：第三電感；所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間。可選的，所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路；所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級線圈的第二端耦接。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值，單位常用“dB'’。

    比如r53＝5kω、r51＝1kω、r52＝100ω。具體的反饋電路中，每組的電阻兩旁各用一個(gè)電容，原因是開關(guān)兩端在具體電路中需要為零的dc電壓偏置，故用電容先做隔直處理。反饋電路的反饋深度越大，驅(qū)動放大電路增益越低，所用的切換電阻需要越小。這里，反饋電路的切換邏輯如下：高增益模式：開關(guān)k51和k52均關(guān)斷；低增益模式：開關(guān)k51接通，k52關(guān)斷；負(fù)增益模式：開關(guān)k51和k52均接通。假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深度增加，放大系數(shù)af變小，即能實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋電路部分增益的降低。參見圖7，t2的漏極(drain)電流偏置電路由內(nèi)部電流源ib、t6、r6、r7和c12按照圖7所示連接而成。t2和t6的寬長比參數(shù)w/l成比例關(guān)系a(a遠(yuǎn)大于1)，可以使t2的漏極偏置電流近似為a倍的ib。r6、r7和c12組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離rfin端射頻信號的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電流源，可將ib電流分成多個(gè)檔位，通過數(shù)字寄存器控制切換ib檔位，達(dá)到t2漏極電流切換的效果。t3的柵極。微波固態(tài)功率放大器的工作頻率高或微帶電 路對器件結(jié)構(gòu)元器件裝配電路板布線腔體螺釘位置等都 有嚴(yán)格要求。廣西射頻功率放大器前饋

輸出匹配電路主要應(yīng)具備損耗低，諧波抑制度高，改善駐波比，提高輸出功 率及改善非線性等功能。福建定制開發(fā)射頻功率放大器定制

    其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅(qū)動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下，sw1處在導(dǎo)通狀態(tài)，電阻r主要承擔(dān)對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導(dǎo)體層，組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時(shí)，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進(jìn)入可控衰減電路的功率越多，相應(yīng)的進(jìn)入后級功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實(shí)現(xiàn)大幅度的衰減，r有時(shí)需要省略，依靠sw自身的導(dǎo)通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時(shí)，若輸入匹配電路101對應(yīng)的阻抗為：z0＝r0+jx0。福建定制開發(fā)射頻功率放大器定制

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