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山東線性射頻功率放大器設(shè)計(jì)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-09

    輸出則是方波信號(hào),產(chǎn)生的諧波較大,屬于非線性功率放大器,適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào),輸入信號(hào)通常是脈沖串類(lèi)的信號(hào)。C類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類(lèi)放大器相比,功率效率提高。與A類(lèi)放大器相比,可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可,他們使用的冷卻器比A類(lèi)更輕。C類(lèi)放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過(guò)以上介紹可以看出,作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料,有許多種類(lèi),每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來(lái)越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類(lèi)別,每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)合。在實(shí)際的EMC抗擾度測(cè)試中,我們需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行合理的選擇。,分別是TESEQ,MILMEGA和IFI,如圖7所示。既有固態(tài)類(lèi)功放,也有適合于高頻大功率應(yīng)用的TWT功放。圖7:AMETEK旗下?lián)碛腥齻€(gè)品牌的功放產(chǎn)品作為這些不同頻段不同功率的固態(tài)類(lèi)射頻微波功放產(chǎn)品,采用了以上所述的不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料制成的晶體管,具有A類(lèi),AB類(lèi)以及C類(lèi)不同種功率放大器。這些功放的內(nèi)部都由若干個(gè)部分組成,主要包括:輸入驅(qū)動(dòng)模塊,信號(hào)分離模塊,功率放大器模塊。丙類(lèi)狀態(tài):在信號(hào)周期內(nèi)存在工作電流的時(shí)間不到半個(gè)周期即導(dǎo)通角0 小于18度,丙類(lèi)功放的優(yōu)點(diǎn)是效率非常高。山東線性射頻功率放大器設(shè)計(jì)

    寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好,可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過(guò)增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器,參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。廣西高頻射頻功率放大器技術(shù)諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號(hào)同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號(hào)大小呈一定的比例關(guān)系。

    其中:串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容,減少對(duì)后級(jí)驅(qū)動(dòng)放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下,sw1處在導(dǎo)通狀態(tài),電阻r主要承擔(dān)對(duì)射頻輸入功率分流后的衰減,sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低,r也可以省略,用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開(kāi)關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn),如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor,cmos),絕緣體上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,pin二極管等,其中,pin表示:在p和n半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導(dǎo)體層,組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說(shuō)明的是,r所在的可控衰減電路與后級(jí)的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時(shí),r越小,可控衰減電路分得電流越大,得到的功率越多。故r越小,進(jìn)入可控衰減電路的功率越多,相應(yīng)的進(jìn)入后級(jí)功率放大電路的功率就越少,衰減就越大。所以,為了實(shí)現(xiàn)大幅度的衰減,r有時(shí)需要省略,依靠sw自身的導(dǎo)通電阻ron。其中,串聯(lián)電感l(wèi)1的通過(guò)以下方法得到:在未加入可控衰減電路時(shí),若輸入匹配電路101對(duì)應(yīng)的阻抗為:z0=r0+jx0。

    在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào),功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定,且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中,差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器的輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理后得到的。具體的,對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理的原理及過(guò)程可以參照現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。在具體實(shí)施率合成變壓器可以包括初級(jí)線圈11以及次級(jí)線圈。在本發(fā)明實(shí)施例中,初級(jí)線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào);初級(jí)線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。在本發(fā)明實(shí)施例中,次級(jí)線圈可以包括主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈122。主次級(jí)線圈121的端接地。微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個(gè)腔體內(nèi),由于頻率高,往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。

    第三子濾波電路的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接,第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中,第三子濾波電路可以包括第三電容c3;第三電容c3的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接,第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中,第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3,第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照?qǐng)D3,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言,圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過(guò)增加第三電感l(wèi)3,可以進(jìn)一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實(shí)施中,輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實(shí)施例中,第四子濾波電路的端可以與主次級(jí)線圈121的第二端耦接,第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路,lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路,也可以為多階匹配濾波電路。當(dāng)lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時(shí),其可以包括一個(gè)串聯(lián)電感以及一個(gè)到地電容;當(dāng)lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時(shí),其可以包括兩個(gè)串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個(gè)到地電容或更多個(gè)到地電容。對(duì)于AM.AM失真,它與晶體管是否工作于飽和區(qū)密切相關(guān)。為減小 AM—AM失真,應(yīng)降低工作點(diǎn),常稱(chēng)為增益回退。河南高頻射頻功率放大器技術(shù)

功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真,出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。山東線性射頻功率放大器設(shè)計(jì)

    第二端接地。可選的,所述子濾波電路包括:電容;所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接,第二端接地??蛇x的,所述子濾波電路還包括:電感;所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的,所述第二子濾波電路包括:第二電容;所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接,第二端接地。可選的,所述第二子濾波電路還包括:第二電感;所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間??蛇x的,所述輸入端匹配濾波電路還包括:寄生電容;所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間。可選的,所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路;所述第三子濾波電路的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路包括:第三電容;所述第三電容的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路還包括:第三電感;所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間??蛇x的,所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路;所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接。山東線性射頻功率放大器設(shè)計(jì)

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