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廣東品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-12

    需要滿足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情況下,可以計(jì)算得到r20和x20,進(jìn)一步的,在第二電阻和開(kāi)關(guān)的參數(shù)已知的情況下,可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配,因此,輸入端的回波損耗可滿足要求。其中,因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?,所以,電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小,因此在非負(fù)增益模式下,可控衰減電路的頻選特性不明顯,頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下,回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中,驅(qū)動(dòng)放大電路102包括:第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的柵級(jí)與第三電阻的第二端連接,第二mos管的漏級(jí)與第三mos管的源級(jí)連接,第二mos管的源級(jí)接地,第二電容的端連接第三mos管的柵級(jí),第二電容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個(gè)可能的示例中,反饋電路103包括:第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開(kāi)關(guān)k1,其中:第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級(jí),第四電容的第二端連接第四電阻的端,第四電阻的第二段連接第三電容的端。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。廣東品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

    具體地,第二pmos管mp01的源極通過(guò)電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接,第三nmos管mn19的源極接地,第三pmos管mp02的源極接電源電壓,第三nmos管mn19的柵極與漏極連接,第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點(diǎn)a,第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點(diǎn)b,連接點(diǎn)a與第二連接點(diǎn)b連接,第二連接點(diǎn)b通過(guò)電阻r15接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa,輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接,第四nmos管mn20的源極接地,第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd,第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過(guò)電阻r17接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa,第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。陜西EMC射頻功率放大器批發(fā)功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。

    P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計(jì)大部分國(guó)內(nèi)的讀者沒(méi)有用過(guò)RFIC的芯片,筆者也只是看到一些國(guó)外的產(chǎn)品在用。沒(méi)有Datasheet,也沒(méi)有BriefIntroduction,只能從官網(wǎng)上了解到部分?jǐn)?shù)據(jù),其中EPM2428是**高的型號(hào),其典型參數(shù)為:64QAM情況下可達(dá)28dBm@EVM=3%11b情況下可達(dá)32dBm,滿足頻譜模板效率可達(dá)20%@28dBm增益可達(dá)34dB片上輸入/輸出匹配RFMDRFMD(與TriQuint合并以后稱為Qorvo,但筆者還是喜歡稱之為RFMD,Qrovo實(shí)在是太拗口了)作為一家老牌的射頻器件廠商,相信有些讀者比我更了解,但筆者還是決定對(duì)RFMD做個(gè)簡(jiǎn)單介紹;RFMicroDevices公司(簡(jiǎn)稱RFMD)是全球的高性能射頻元件和化合物半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)和制造商。RFMD的產(chǎn)品可用于蜂窩手機(jī),無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施,無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN),CATV/寬頻及航空航天和**市場(chǎng),提供增強(qiáng)的連接性,并支持先進(jìn)的功能。RFMD憑借其多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)以及RF系統(tǒng)專業(yè)技能,成為世界的移動(dòng)設(shè)備,客戶端和通訊設(shè)備制造商的優(yōu)先供應(yīng)商。

    計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值,比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值,所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開(kāi)啟所述射頻功率放大器,所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動(dòng)終端切換射頻頻段啟動(dòng)射頻功率放大器時(shí),能夠通過(guò)對(duì)射頻功率放大器的狀態(tài)檢測(cè),快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法的流程示意圖;圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖;圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。寬帶功率放大器應(yīng)用GaN基器件符合高功率輸出、高效率、高線性度、高工作頻 率的固態(tài)微波功率放大器的要求。

    第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中,射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào),驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p,驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)進(jìn)行差分的操作,并對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),提高輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。參照?qǐng)D7,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中,增加了驅(qū)動(dòng)電路??梢岳斫獾氖?,在圖1~圖6中,也可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理,得到差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n。在具體實(shí)施中,匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容,功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容包括初級(jí)線圈與次級(jí)線圈之間的寄生電容,該寄生電容可以參與功率合成和阻抗轉(zhuǎn)換。寬帶變壓器的阻抗變換主要受匝數(shù)比、耦合系數(shù)k值和寄生電感電容的影響,具有寬帶工作的特點(diǎn),相對(duì)于lc網(wǎng)絡(luò)的阻抗變換網(wǎng)絡(luò)更容易實(shí)現(xiàn)寬帶的阻抗變換,因此適用于寬帶功率放大器。應(yīng)用于高集成度射頻功率放大器的寬帶變壓器,因?yàn)槭軐?shí)現(xiàn)工藝的影響,往往k值比較小(k值較小會(huì)影響能量耦合,即信號(hào)轉(zhuǎn)換效率變低),寄生電感電容影響比較大。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值,單位常用“dB'’。江蘇品質(zhì)射頻功率放大器制定

射頻功率放大器是無(wú)線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。廣東品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

    第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07,第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout,第四變壓器t04的副邊接地。每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2個(gè)共源共柵放大器。如圖3所示,主體電路的激勵(lì)放大器中,nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器,nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器;第二主體電路的激勵(lì)放大器中,nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器,nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在主體電路中,激勵(lì)放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接,激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過(guò)電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示,nmos管mn01的柵極和nmos管mn02的柵極分別與變壓器t01的副邊連接,nmos管mn03的漏極連接電容c04,nmos管mn04的漏極連接電容c05。nmos管mn03的漏極和nmos管mn04的漏極為主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。在第二主體電路中,激勵(lì)放大器中源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接,激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過(guò)電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示,nmos管mn09的柵極和nmos管mn10的柵極分別與變壓器t01的副邊連接。廣東品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

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