包括但不限于全球移動通訊系統(tǒng)(gsm，globalsystemofmobilecommunication)、通用分組無線服務(gprs，generalpacketradioservice)、碼分多址(cdma，codedivisionmultipleaccess)、寬帶碼分多址(wcdma，widebandcodedivisionmultipleaccess)、長期演進(lte，longtermevolution)、電子郵件、短消息服務(sms，shortmessagingservice)等。存儲器402可用于存儲軟件程序以及模塊，處理器408通過運行存儲在存儲器402的軟件程序以及模塊，從而執(zhí)行各種功能應用以及數(shù)據(jù)處理。存儲器402可主要包括存儲程序區(qū)和存儲數(shù)據(jù)區(qū)，其中，存儲程序區(qū)可存儲操作系統(tǒng)、至少一個功能所需的應用程序(比如聲音播放功能、圖像播放功能等)等；存儲數(shù)據(jù)區(qū)可存儲根據(jù)移動終端的使用所創(chuàng)建的數(shù)據(jù)(比如音頻數(shù)據(jù)、電話本等)等。此外，存儲器402可以包括高速隨機存取存儲器，還可以包括非易失性存儲器，例如至少一個磁盤存儲器件、閃存器件、或其他易失性固態(tài)存儲器件。相應地，存儲器402還可以包括存儲器控制器，以提供處理器408和輸入單元403對存儲器402的訪問。在本申請實施例中，存儲器402用于存儲射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值，配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大，很小的功率泄漏都會對周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。上海EMC射頻功率放大器設計

    其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態(tài)，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現(xiàn)，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導體層，組成的這種p-i-n結構的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關系是并聯(lián)關系。并聯(lián)關系在于電壓相同時，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進入可控衰減電路的功率越多，相應的進入后級功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實現(xiàn)大幅度的衰減，r有時需要省略，依靠sw自身的導通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時，若輸入匹配電路101對應的阻抗為：z0＝r0+jx0。廣東射頻功率放大器參數(shù)微波固態(tài)功率放大器的工作頻率高或微帶電 路對器件結構元器件裝配電路板布線腔體螺釘位置等都 有嚴格要求。

    是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本申請中的具體含義。此外，下面所描述的本申請不同實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成就可以相互結合。請參考圖1，其示出了本申請實施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結構示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵放大器、匹配網(wǎng)絡和自適應動態(tài)偏置電路。自適應動態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡和激勵放大器連接射頻輸入端rfin。

    第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接?？蛇x的，所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路?？蛇x的，所述lc匹配濾波電路包括：第四電容以及第四電感，其中：所述第四電感，端與所述主次級線圈的第二端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接；所述第四電容，端與所述第四電感的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電感以及第六電感，其中：所述第五電感，串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間；所述第六電感，串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電容、第七電感以及第八電感，其中：所述第五電容，端與所述第六電感的第二端耦接，第二端與所述第七電感的端耦接；所述第七電感，第二端接地；所述第八電感，端與所述第五電容的端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的，所述射頻功率放大器還包括：驅動電路；所述驅動電路的輸入端接收輸入信號，所述驅動電路的輸出端輸出所述差分信號，所述驅動電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設備，包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術相比。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

    Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設計能力。Microsemi公司所服務的主要市場包括植入式醫(yī)療機構、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應用領域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號較多，也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設計中，近期的參考設計就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯的話，LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設計**率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移動電話基站、雷達，應用于 無線電廣播傳輸器以及微波雷達與導航系統(tǒng)。四川射頻功率放大器芯片

甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號周期內(nèi)始終存在工作電流，即導通角0為360度。上海EMC射頻功率放大器設計

    功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸出端rfout。自適應動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端rfin，自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器。其中，自適應動態(tài)偏置電路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干電容和電阻組成?？蛇x的，自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸入端。自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。通過自適應動態(tài)偏置電路動態(tài)調整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓，提高了射頻功率放大器的線性度。圖2示出了本申請一實施例提供的自適應動態(tài)偏置電路的電路原理圖。如圖2所示，在自適應動態(tài)偏置電路中，nmos管mn17的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。nmos管mn17的漏極連接pmos管mp04的源極。nmos管mn17的漏極和pmos管mp04之間hia連接有并聯(lián)的電容c17和電阻r12。nmos管mn17的漏極接電源電壓vdd，pmos管mp04的源極接電源電壓vdd。nmos管mn17的源極接地，pmos管mp04的漏極通過并聯(lián)的電容c18和電阻r16接地。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極連接。第二nmos管mn18的源極接地。具體地，第二nmos管mn18的源極通過電阻r14接地。第二pmos管mp01的源極接電源電壓vdd。上海EMC射頻功率放大器設計

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