導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱做Id。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！北京集成電路八路模擬開關(guān)板成本價(jià)

用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地，所述電壓上拉模塊包括：連接于所述多個(gè)***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻，所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓；以及第三晶體管，源極用于接收所述電源電壓，柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點(diǎn)連接，漏極和襯底與所述p型開關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動(dòng)電路的供電端連接。推薦地，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)電路都包括第四晶體管和第五晶體管。安徽單片機(jī)八路模擬開關(guān)板市場(chǎng)價(jià)格八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來(lái)電哦！

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供，所以這時(shí)候。

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開關(guān)板的公司，歡迎新老客戶來(lái)電！

所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓，漏極與所述第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的源極接地，所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號(hào)，所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節(jié)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的模擬開關(guān)的所述p型開關(guān)管的柵極連接。推薦地，每個(gè)所述模擬開關(guān)還包括連接于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的n型開關(guān)管，所述n型開關(guān)管和所述p型開關(guān)管并聯(lián)連接，所述n型開關(guān)管的柵極接收第二控制信號(hào)，所述n型開關(guān)管的襯底接地，其中，所述***控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)為同相信號(hào)。推薦地，所述多個(gè)***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地，所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地，所述第四晶體管選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第五晶體管選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明實(shí)施例的模擬開關(guān)電路具有以下有益效果。模擬開關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開關(guān)的p型開關(guān)管的襯底。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！蘇州雙電源八路模擬開關(guān)板價(jià)格咨詢

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晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開關(guān)管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護(hù)電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開關(guān)電路400可以正常工作。其中，本實(shí)施例的電壓上拉模塊421的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結(jié)構(gòu)和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的模擬開關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開關(guān)的p型開關(guān)管的襯底，控制p型開關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端，控制p型開關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通，有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。北京集成電路八路模擬開關(guān)板成本價(jià)