當(dāng)某個開關(guān)斷開時電阻兩端阻值仍維持原阻值不變此處假設(shè)該電阻阻值RROFF（ROFF為模擬開關(guān)斷開時的電阻）四個開關(guān)的控制端由四位二進制數(shù)A、B、C、D控制因此在A、B、C、D端輸入不同的四位二進制數(shù)可控制電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻變化并從其上得到2～16種不同的電阻值按圖8所給的電阻值該電阻網(wǎng)絡(luò)所對應(yīng)的16種阻值列于表5中圖8數(shù)字控制電阻網(wǎng)絡(luò)電阻值尺寸的電路表5該電阻網(wǎng)絡(luò)所對應(yīng)的16種阻值4.音量調(diào)節(jié)電路音量調(diào)節(jié)電路見圖9音頻信號由Vi端輸入經(jīng)分壓電阻R11和隔直電容加到由R1～R10組成的加／減電阻網(wǎng)絡(luò)CD40192為十進制加／減計數(shù)器“與非”門YF3、YF4構(gòu)成低頻振蕩器“與非”門YF1、YF2分別為加計數(shù)端CPU和減計數(shù)端CPD的計數(shù)閘門圖9音量調(diào)節(jié)電路當(dāng)D1端為高電平時閘門YF1開通低頻脈沖經(jīng)YF1加到CD40192的CPU端使其作加法計數(shù)輸出端Q0～Q3數(shù)據(jù)增大使16路模擬開關(guān)的刀向低端轉(zhuǎn)換次序接通R1～R10接通的電阻增大經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo增大;當(dāng)D2端為高電平時水閘YF2開通低頻脈沖經(jīng)YF2加到CD40192的CPD端使其作減法計數(shù)輸出端Q0～Q3數(shù)據(jù)減少使16路模擬開關(guān)的刀向**轉(zhuǎn)換次序接通R10～R1接通的電阻減少經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo減少1、采用單電源時，CD4051的VEE可以和GND相接。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開關(guān)板的公司，歡迎新老客戶來電！四川智能八路模擬開關(guān)板報價

在測試測量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時搜集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以對調(diào)的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當(dāng)芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。安徽雙電源八路模擬開關(guān)板廠家上海金樽自動化控制科技有限公司 八路模擬開關(guān)板值得用戶放心。

本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域，關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開關(guān)。背景技術(shù)：繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個子系統(tǒng)，在使用過程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象，從前在向每個子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時都是通過卸下加油口蓋直接展開重力式加注，這樣可能會致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染，影響整個油壓系統(tǒng)的可靠性，再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實現(xiàn)元素：本發(fā)明的目的：提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開關(guān)，實現(xiàn)液體介質(zhì)進口和液體介質(zhì)的不同出口相通，實現(xiàn)液體介質(zhì)從一個分系統(tǒng)向多個不同的分系統(tǒng)開展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ谩１景l(fā)明的技術(shù)方案：***方面，提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個輸出口、活門組件、操縱桿和圓盤，其中，n為大于1的正整數(shù)，輸入口設(shè)立在殼體下方，n個輸出口分別設(shè)立在殼體的四周且在程度方向上間距***預(yù)定視角分布，活門組件設(shè)立在殼體中，操縱桿和圓盤與活門組件連結(jié)?？蛇x地，n個輸出口包括***輸出口、第二輸出口、第三輸出口、第四輸出口?？蛇x地，活門組件包括錐活門和球活門，錐活門和球活門通過能軸向運動的***銷子連通，可選地，操縱桿與活門組件聯(lián)接，實際包括：操縱桿通過第二銷子與錐活門聯(lián)接?？蛇x地。

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時，漏電流的影響就會凸顯出來。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對這個電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時，對輸出電壓的影響，結(jié)果可以見到，漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會給輸出電壓帶來一個直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項MUX時，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時，CD也會隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時，CD會被充電至V1。那么此時CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時，CD會被充電至V2。那么此時CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供，所以這時候。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！

輸入信號從信號輸入端b傳輸至信號輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開關(guān)電路100在電源電壓掉電時可能具有信號泄露的風(fēng)險。以模擬開關(guān)101為例，開關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時信號輸入端a的輸入信號的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r，開關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?，形成信號輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時該輸入信號的電壓大于開關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時開關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號輸入端a到信號輸出端y之間的通路，造成信號的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開關(guān)電路200包括模擬開關(guān)201和掉電保護電路202。掉電保護電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開關(guān)管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點與地之間。晶體管m4的漏極與開關(guān)管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點連接。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電哦！山東智能八路模擬開關(guān)板應(yīng)用

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MUX輸出就會需一定的時間來平穩(wěn)。對于一個N-bit的ADC：K實際上是**RC電路中，電壓抵達目標(biāo)誤差以內(nèi)時所需的時間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時，整個回路的時間常數(shù)較大，需更長時間平穩(wěn)，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時，整個回路的時間常數(shù)較小，需較短時間安定，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因為在開關(guān)導(dǎo)通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時，會在輸出產(chǎn)生一個電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當(dāng)在EN端有一個階躍信號時，這個階躍電壓會通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時。四川智能八路模擬開關(guān)板報價