本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域，關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù)：繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng)，在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象，從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注，這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染，影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性，再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素：本發(fā)明的目的：提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ谩１景l(fā)明的技術(shù)方案：***方面，提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和圓盤(pán)，其中，n為大于1的正整數(shù)，輸入口設(shè)立在殼體下方，n個(gè)輸出口分別設(shè)立在殼體的四周且在程度方向上間距***預(yù)定視角分布，活門(mén)組件設(shè)立在殼體中，操縱桿和圓盤(pán)與活門(mén)組件連結(jié)?？蛇x地，n個(gè)輸出口包括***輸出口、第二輸出口、第三輸出口、第四輸出口?？蛇x地，活門(mén)組件包括錐活門(mén)和球活門(mén)，錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通，可選地，操縱桿與活門(mén)組件聯(lián)接，實(shí)際包括：操縱桿通過(guò)第二銷(xiāo)子與錐活門(mén)聯(lián)接。可選地。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，有需求可以來(lái)電咨詢(xún)！上海單八路模擬開(kāi)關(guān)板修理

容許音頻放大器和開(kāi)關(guān)先加電，而主通道開(kāi)關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間（參見(jiàn)10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開(kāi)啟主通道，根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開(kāi)關(guān)十分適于通過(guò)單個(gè)USB連接器（D+/D針）與聽(tīng)筒和USB數(shù)據(jù)線(xiàn)共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開(kāi)關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開(kāi)關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過(guò)裝置“有線(xiàn)”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口，特別應(yīng)用的USB開(kāi)關(guān)已成為具充電器檢測(cè)機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類(lèi)交換機(jī)應(yīng)用程序的示例?；趦蓚€(gè)主要緣故，在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開(kāi)關(guān)。首先，由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí)，USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式（例如音樂(lè)下載或閃存功用），須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線(xiàn)上的任何附加電容都會(huì)毀損Hi-Speed的眼圖USB信號(hào)。其次，在高速USB模式下，須要切斷D+/D-線(xiàn)上的剩余走線(xiàn)。上海電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板價(jià)格上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司 八路模擬開(kāi)關(guān)板值得用戶(hù)放心。

BL1532替代BL1532是一款低功耗，雙端口，高速（480Mbps），雙–單刀雙擲（擲）模擬開(kāi)關(guān)具一個(gè)。BL1532與，需通過(guò)第三次諧波，引致信號(hào)的很小外緣和相位失真。優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗，甚至當(dāng)操縱電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：，低電容，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>從未C和C=5pF550MHz720MHz，低功耗：1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試：通過(guò)過(guò)電壓耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容，先把開(kāi)關(guān)斷，溫度范圍：40到85℃℃，封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī)，PDA，數(shù)碼相機(jī)，筆記本計(jì)算機(jī)，液晶顯示器，電視。

晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開(kāi)關(guān)電路400例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開(kāi)關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開(kāi)關(guān)401包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，歡迎您的來(lái)電！

晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開(kāi)關(guān)管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護(hù)電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開(kāi)關(guān)電路400可以正常工作。其中，本實(shí)施例的電壓上拉模塊421的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結(jié)構(gòu)和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的模擬開(kāi)關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的襯底，控制p型開(kāi)關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開(kāi)關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端，控制p型開(kāi)關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通，有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選，有需求可以來(lái)電咨詢(xún)！上海電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板價(jià)格

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導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線(xiàn)2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線(xiàn)總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線(xiàn)3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線(xiàn)性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線(xiàn)性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線(xiàn)性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流稱(chēng)做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)做Id。上海單八路模擬開(kāi)關(guān)板修理