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來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-18

模擬開關(guān)404包括開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2,開關(guān)管mp2為pmos管,開關(guān)管mn2為nmos管。開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b,二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y,開關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接,開關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動(dòng)電路403包括晶體管m6和m7,晶體管m6選自pmos管,晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402,晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接,晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1,晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp1的柵極。驅(qū)動(dòng)電路403用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路405包括晶體管m9和m10,晶體管m9選自pmos管,晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護(hù)電路402,晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接,晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp2,晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp2的柵極。驅(qū)動(dòng)電路405用于根據(jù)控制信號(hào)cp2控制開關(guān)管mp2的導(dǎo)通和關(guān)斷。八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,讓您滿意,期待您的光臨!北京編程八路模擬開關(guān)板廠家

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單,但是依然有很多細(xì)節(jié),需大家在用到的過程中留意。所以,在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開始介紹基石的參數(shù)之前,我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種,如圖1所示。1)NFET。2)NFET和PFET。3)含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色,詳實(shí)的介紹,可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真,但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外,需留意的是,此處的MOSFET構(gòu)造,S和D是對(duì)稱的,所以在功用上是可以對(duì)調(diào)的,也因此,開關(guān)是雙向的,為了便于討論,我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1)隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng):當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí),對(duì)于NMOS而言,S級(jí)的電壓越高。無錫單八路模擬開關(guān)板生產(chǎn)廠家八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,歡迎您的來電!

n個(gè)輸出口分別設(shè)立在殼體的四周且在水準(zhǔn)方向上間距***預(yù)定視角分布,活門組件設(shè)立在殼體中,操縱桿和圓盤與活門組件連結(jié)?;铋T組件包括錐活門和球活門,錐活門和球活門通過能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷子連通,操縱桿與活門組件連結(jié),實(shí)際包括:操縱桿通過第二銷子與錐活門連結(jié)。球活門球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通,形成一個(gè)通道。錐活門和球活門通過能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷子連結(jié),實(shí)際包括:錐活門穿越球活門的軸向通孔并通過能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷子與球活門連通。圓盤上設(shè)立限位孔,限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)。本發(fā)明的開關(guān)還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔,盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,彈性構(gòu)件的另一端與剛球連通。所述彈性構(gòu)件為彈簧。實(shí)施例該設(shè)備由一個(gè)進(jìn)口、四個(gè)出口構(gòu)成。進(jìn)口液體介質(zhì)通過錐活門27與球活門26內(nèi)孔線性密封,出口液體介質(zhì)通過出**門25與球活門26的球面線性密封。操縱桿17通過第二銷子18與錐活門27連通,按壓操縱桿,錐活門向下運(yùn)動(dòng),液體介質(zhì)進(jìn)**門敞開。球活門26球面上有一徑向孔和軸向孔相通,形成一個(gè)通道,球活門與錐活門通過***銷子20相聯(lián),*限制軸向旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)操縱桿,操縱桿帶動(dòng)錐活門和球活門轉(zhuǎn)動(dòng)。

容上的電壓可長(zhǎng)時(shí)間基本維持不變模擬開關(guān)S1為電容提供充電回路當(dāng)S1導(dǎo)通時(shí)電源通過S1給電容充電電容上電壓不停增高使VT1導(dǎo)通電阻更為小使響度也愈來愈小模擬開關(guān)S2為電容提供放電回路當(dāng)S2導(dǎo)通時(shí)電容通過S2放電電容上電壓不停下滑使響度越發(fā)大模擬開關(guān)S3起開機(jī)響度復(fù)位功用開機(jī)時(shí)電源在S3控制端產(chǎn)生一短暫的正脈沖使S3導(dǎo)通由于與S3聯(lián)接的電阻較小故使電容迅速充到一定的電壓使起始響度處于較小的狀態(tài)F1~F6及其**元件構(gòu)成高低脈沖識(shí)別電路靜態(tài)時(shí)F1、F2輸入為高電平當(dāng)較長(zhǎng)時(shí)間按壓按鈕開關(guān)AN時(shí)F4輸出變高經(jīng)100k電阻給μF電容充電當(dāng)充電電壓超過CMOS門轉(zhuǎn)換電壓時(shí)F5輸出由高變低F6輸出由低變高模擬開關(guān)S2導(dǎo)通100μF電容放電音量變大與此同時(shí)F1輸出也變高也給電容充電但F1輸出的一次正跳變不足以使電容上電壓超過轉(zhuǎn)換電壓故F2輸出仍為高電平F3輸出低電平模擬開關(guān)S1維持截止當(dāng)連續(xù)按動(dòng)按鈕開關(guān)AN時(shí)F4輸出也不停轉(zhuǎn)變輸出為高時(shí)給電容充電而輸出變低時(shí)電容又迅速通過二極管VD3放電故電容上電壓總是達(dá)不到轉(zhuǎn)換電壓因此F6輸出始終為低而此時(shí)F1輸出連續(xù)優(yōu)劣轉(zhuǎn)變經(jīng)二極管整流不停給電容充電使μF電容上電壓迅速達(dá)到轉(zhuǎn)換電壓F2輸出變低F3輸出變高模擬開關(guān)S1導(dǎo)通給電容充電音量變小由此運(yùn)用。八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選。

保證模擬開關(guān)電路可正常工作。應(yīng)當(dāng)說明的是,在本文中,諸如***和第二等之類的關(guān)系術(shù)語**用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不*包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個(gè)……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述,這些實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié),也不限制該發(fā)明*為所述的具體實(shí)施例。顯然,根據(jù)以上描述,可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例,是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用,從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明以及在本發(fā)明基礎(chǔ)上的修改使用。本發(fā)明*受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,讓您滿意,歡迎您的來電!無錫單八路模擬開關(guān)板生產(chǎn)廠家

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單片機(jī)開發(fā)中模擬開關(guān)在特別應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)2020-05-25隨著對(duì)機(jī)能豐沛的手機(jī)的需要逐漸增長(zhǎng),單片機(jī)開發(fā)中兼具特別應(yīng)用性能的模擬開關(guān)繼續(xù)受到***設(shè)計(jì)的青睞。這不僅會(huì)下降材質(zhì)成本(BOM),而且有助于提高設(shè)計(jì)性能并滿足上市時(shí)間要求。本文將指導(dǎo)單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員完成幾個(gè)具體使用案例,以減小爆音,檢測(cè)充電器。對(duì)于單片機(jī)開發(fā)設(shè)計(jì)人員而言,由涌入電流引起的沖擊噪音依然是繁重的挑戰(zhàn),特別是當(dāng)***用戶啟動(dòng)音樂和通話功用之間的切換時(shí)。只要***用戶開啟音樂機(jī)能,這種煩人的聲響就會(huì)給人不愉快的體驗(yàn)。如圖1所示,當(dāng)音頻放大器工作時(shí),通過交流耦合電容器的開/關(guān)浪涌電流是沖擊噪聲的本源,音頻共模電壓將急遽升高。當(dāng)今市場(chǎng)上有多種解決方案可用。其中之一是添加一個(gè)額外的放大器,以使音頻輸出具備“0V”偏移,從而很大程度地減少了緊接聽筒之前的交流耦合電容器的大小。因?yàn)榇蠖鄶?shù)聽筒放大器都集成在基帶處理器或電源管理單元(PMU)中,所以添加此放大器不僅會(huì)增加材質(zhì)成本,而且會(huì)增加功耗。圖1顯示了另一種方式,該方式將**自主的充電路徑添加到音頻信號(hào)路徑,以容許AC耦合電容器在切換到聽筒或主路徑之前被充滿電。這可以由基帶處理器的通用I/O控制。北京編程八路模擬開關(guān)板廠家