導(dǎo)通電阻更為大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻越發(fā)小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱之為導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個(gè)仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在變動(dòng)，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從源極注入或流出的電流叫作Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱作Id。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開關(guān)板的公司，歡迎您的來電哦！安徽集成電路八路模擬開關(guān)板原理

在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開關(guān)開啟時(shí)，在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率，如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析，我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò)，我們可以寫出該電路的傳遞函數(shù)：其中，3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式，結(jié)合MUX和載荷的參數(shù)，我們就可以算出來在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí)，在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓。。無錫編程八路模擬開關(guān)板上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開關(guān)板的公司，有想法的可以來電咨詢！

容許音頻放大器和開關(guān)先加電，而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間（參見10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開啟主通道，根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個(gè)USB連接器（D+/D針）與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口，特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測(cè)機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例?；趦蓚€(gè)主要緣故，在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開關(guān)。首先，由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí)，USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式（例如音樂下載或閃存功用），須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會(huì)毀損Hi-Speed的眼圖USB信號(hào)。其次，在高速USB模式下，須要切斷D+/D-線上的剩余走線。

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見到，漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供，所以這時(shí)候。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，歡迎您的來電哦！

模擬開關(guān)404包括開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2，開關(guān)管mp2為pmos管，開關(guān)管mn2為nmos管。開關(guān)管mp2和開關(guān)管mn2并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接，開關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動(dòng)電路403包括晶體管m6和m7，晶體管m6選自pmos管，晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接，晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1，晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp1的柵極。驅(qū)動(dòng)電路403用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路405包括晶體管m9和m10，晶體管m9選自pmos管，晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接，晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp2，晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點(diǎn)連接至開關(guān)管mp2的柵極。驅(qū)動(dòng)電路405用于根據(jù)控制信號(hào)cp2控制開關(guān)管mp2的導(dǎo)通和關(guān)斷。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開關(guān)板，有想法的不要錯(cuò)過哦！北京電路板八路模擬開關(guān)板芯片

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5、接線安放通孔；6、盒蓋拉動(dòng)瓣；7、進(jìn)氣孔；8、出氣孔；9、l型限位塊；10、靜鐵芯；11、防落罩限位塊；12、動(dòng)鐵芯；13、伸縮連接柱；14、拉動(dòng)扣環(huán)；15、連接柱置于槽；16、線圈；17、活動(dòng)連接塊；18、彈簧；19、伸縮管；20、固定柱；21、***流通閥；22、第二流通閥；23、***密封塊；24、第二密封塊；25、***堵氣塊；26、***堵氣限位塊；27、第二堵氣塊；28、第二堵氣限位塊；29、防落罩；30、海綿圓套；31、橡膠圓套；32、氣管放到槽。實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案展開明了、完整地描述，顯然，所敘述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)行例，而不是全部的實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖1-3，本實(shí)用新型提供的一種實(shí)施例：一種多路開關(guān)電磁閥，包括開關(guān)電磁閥閥體1，開關(guān)電磁閥閥體1的下端設(shè)立有***流通閥21，***流通閥21的下方設(shè)立有第二流通閥22，且第二流通閥22與***流通閥21密封連接，***流通閥21的兩邊和第二流通閥22的兩邊分別設(shè)立有進(jìn)氣孔7和出氣孔8，進(jìn)氣孔7和出氣孔8的一側(cè)均設(shè)立有防落罩29，防落罩29的設(shè)可以有效性防范氣管與進(jìn)氣孔7和出氣孔8分開，防落罩29與進(jìn)氣孔7和出氣孔8通過l型限位塊9固定連結(jié)。安徽集成電路八路模擬開關(guān)板原理

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