容許音頻放大器和開關(guān)先加電，而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間（參見10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開啟主通道，根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個(gè)USB連接器（D+/D針）與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口，特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測(cè)機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例。基于兩個(gè)主要緣故，在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開關(guān)。首先，由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí)，USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式（例如音樂下載或閃存功用），須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會(huì)毀損Hi-Speed的眼圖USB信號(hào)。其次，在高速USB模式下，須要切斷D+/D-線上的剩余走線。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關(guān)板，歡迎您的來電！安徽集成電路八路模擬開關(guān)板修理

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見到，漏電流通過傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開關(guān)在斷開時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來提供，所以這時(shí)候。安徽集成電路八路模擬開關(guān)板修理上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關(guān)板。

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個(gè)仿真實(shí)例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱做Id。

MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個(gè)仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn)，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間安定，所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_關(guān)導(dǎo)通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司于提供八路模擬開關(guān)板，歡迎您的來電哦！集成電路八路模擬開關(guān)板貨源

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所述防落罩的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊，所述l型限位塊與***流通閥和第二流通閥均固定連接，所述開關(guān)電磁閥閥體內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯，所述靜鐵芯的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置放槽，所述連接柱放到槽的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱，所述伸縮連接柱的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)，所述伸縮連接柱的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯，且動(dòng)鐵芯與伸縮連接柱固定連接，所述動(dòng)鐵芯的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊，所述活動(dòng)連接塊的兩端均設(shè)立有彈簧，所述彈簧的外部設(shè)置有線圈，所述活動(dòng)連接塊的下端設(shè)立有伸縮管，所述伸縮管的內(nèi)部設(shè)置有固定柱，且固定柱與活動(dòng)連接塊固定聯(lián)接，所述固定柱的外部設(shè)置有***堵氣塊，所述***堵氣塊的下方設(shè)立有***密封塊，所述***堵氣塊上方的兩側(cè)均設(shè)立有***堵氣限位塊，且***堵氣限位塊與***流通閥固定連接，所述***密封塊的下方設(shè)立有第二密封塊，所述第二密封塊的下方設(shè)立有第二堵氣塊，所述第二堵氣塊下方的兩側(cè)均設(shè)立有第二堵氣限位塊，且第二堵氣限位塊與第二流通閥固定聯(lián)接。推薦的，所述開關(guān)電磁閥閥體上方的一側(cè)設(shè)立有接線盒，且接線盒與開關(guān)電磁閥閥體固定連結(jié)。推薦的，所述接線盒的一端設(shè)立有盒蓋放到槽，所述盒蓋置于槽的內(nèi)部設(shè)置有接線盒盒蓋。安徽集成電路八路模擬開關(guān)板修理

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