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當(dāng)某個開關(guān)斷開時電阻兩端阻值仍維持原阻值不變此處假設(shè)該電阻阻值RROFF(ROFF為模擬開關(guān)斷開時的電阻)四個開關(guān)的控制端由四位二進(jìn)制數(shù)A、B、C、D控制因此在A、B、C、D端輸入不同的四位二進(jìn)制數(shù)可控制電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻變化并從其上得到2~16種不同的電阻值按圖8所給的電阻值該電阻網(wǎng)絡(luò)所對應(yīng)的16種阻值列于表5中圖8數(shù)字控制電阻網(wǎng)絡(luò)電阻值尺寸的電路表5該電阻網(wǎng)絡(luò)所對應(yīng)的16種阻值4.音量調(diào)節(jié)電路音量調(diào)節(jié)電路見圖9音頻信號由Vi端輸入經(jīng)分壓電阻R11和隔直電容加到由R1~R10組成的加/減電阻網(wǎng)絡(luò)CD40192為十進(jìn)制加/減計數(shù)器“與非”門YF3、YF4構(gòu)成低頻振蕩器“與非”門YF1、YF2分別為加計數(shù)端CPU和減計數(shù)端CPD的計數(shù)閘門圖9音量調(diào)節(jié)電路當(dāng)D1端為高電平時閘門YF1開通低頻脈沖經(jīng)YF1加到CD40192的CPU端使其作加法計數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)增大使16路模擬開關(guān)的刀向低端轉(zhuǎn)換次序接通R1~R10接通的電阻增大經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo增大;當(dāng)D2端為高電平時水閘YF2開通低頻脈沖經(jīng)YF2加到CD40192的CPD端使其作減法計數(shù)輸出端Q0~Q3數(shù)據(jù)減少使16路模擬開關(guān)的刀向**轉(zhuǎn)換次序接通R10~R1接通的電阻減少經(jīng)與R11分壓后使輸出音頻信號Vo減少1、采用單電源時,CD4051的VEE可以和GND相接。八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,歡迎您的來電!江蘇控制八路模擬開關(guān)板生產(chǎn)廠家
所述防落罩的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊,所述l型限位塊與***流通閥和第二流通閥均固定連接,所述開關(guān)電磁閥閥體內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯,所述靜鐵芯的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置放槽,所述連接柱放到槽的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱,所述伸縮連接柱的頂端設(shè)立有拉動扣環(huán),所述伸縮連接柱的下方設(shè)立有動鐵芯,且動鐵芯與伸縮連接柱固定連接,所述動鐵芯的下端設(shè)立有活動連接塊,所述活動連接塊的兩端均設(shè)立有彈簧,所述彈簧的外部設(shè)置有線圈,所述活動連接塊的下端設(shè)立有伸縮管,所述伸縮管的內(nèi)部設(shè)置有固定柱,且固定柱與活動連接塊固定聯(lián)接,所述固定柱的外部設(shè)置有***堵氣塊,所述***堵氣塊的下方設(shè)立有***密封塊,所述***堵氣塊上方的兩側(cè)均設(shè)立有***堵氣限位塊,且***堵氣限位塊與***流通閥固定連接,所述***密封塊的下方設(shè)立有第二密封塊,所述第二密封塊的下方設(shè)立有第二堵氣塊,所述第二堵氣塊下方的兩側(cè)均設(shè)立有第二堵氣限位塊,且第二堵氣限位塊與第二流通閥固定聯(lián)接。推薦的,所述開關(guān)電磁閥閥體上方的一側(cè)設(shè)立有接線盒,且接線盒與開關(guān)電磁閥閥體固定連結(jié)。推薦的,所述接線盒的一端設(shè)立有盒蓋放到槽,所述盒蓋置于槽的內(nèi)部設(shè)置有接線盒盒蓋。浙江控制八路模擬開關(guān)板修理上海金樽自動化控制科技有限公司八路模擬開關(guān)板值得用戶放心。
在測試測量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用,例如運放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時收集多路傳感器信號等等。雖然它的機(jī)能很簡單,但是依然有很多細(xì)節(jié),需大家在采用的過程中留意。所以,在這里為大家介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開始介紹根基的參數(shù)之前,我們有必要介紹一下模擬開關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開關(guān)的架構(gòu)MOSFET開關(guān)常見的架構(gòu)有3種,如圖1所示。1)NFET。2)NFET和PFET。3)隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征,詳實的介紹,可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真,但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開關(guān)構(gòu)造另外,需留意的是,此處的MOSFET構(gòu)造,S和D是對稱的,所以在功用上是可以交換的,也因此,開關(guān)是雙向的,為了便于討論,我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1)隨輸入信號電壓而變動:當(dāng)芯片的供電電壓固定時,對于NMOS而言,S級的電壓越高。
本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域,關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開關(guān)。背景技術(shù):繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個子系統(tǒng),在使用過程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時都是通過卸下加油口蓋直接展開重力式加注,這樣可能會致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開關(guān),實現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實現(xiàn)液體介質(zhì)從一個分系統(tǒng)向多個不同的分系統(tǒng)開展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術(shù)方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開關(guān),包括:殼體、輸入口、n個輸出口、活門組件、操縱桿和圓盤,其中,n為大于1的正整數(shù),輸入口設(shè)立在殼體下方,n個輸出口分別設(shè)立在殼體的四周且在程度方向上間距***預(yù)定視角分布,活門組件設(shè)立在殼體中,操縱桿和圓盤與活門組件連結(jié)??蛇x地,n個輸出口包括***輸出口、第二輸出口、第三輸出口、第四輸出口??蛇x地,活門組件包括錐活門和球活門,錐活門和球活門通過能軸向運動的***銷子連通,可選地,操縱桿與活門組件聯(lián)接,實際包括:操縱桿通過第二銷子與錐活門聯(lián)接??蛇x地。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關(guān)板的公司,歡迎新老客戶來電!
導(dǎo)通電阻越發(fā)大,對于PMOS而言,S級的電壓越高,導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2)導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān):當(dāng)VDD和VSS固定不變時,隨著溫度的升高,導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動的曲線3)導(dǎo)通電阻的平坦度:On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi),導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度,這個值越大,解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里,我們通過一個仿真實例來觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響,如圖6。為了更容易地觀察到影響,我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出:1)輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果,這是因為有導(dǎo)通電阻的存在。2)輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系,這是因為Ron隨著Vin在轉(zhuǎn)變,會在輸出端引入非線性誤差。所以,Ron的平坦度越小,輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時,從源極注入或流出的電流稱做Is(off),如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關(guān)斷開時,從漏極注入或流出的電流稱做Id。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關(guān)板的公司,期待您的光臨!湖北單片機(jī)八路模擬開關(guān)板哪家好
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用于在電源電壓掉電時根據(jù)所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓,并將所述參考電壓提供至所述至少一個驅(qū)動電路的供電端和所述p型開關(guān)管的襯底,其中,所述掉電保護(hù)電路包括多個***晶體管,所述多個***晶體管的漏極分別與所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端連接,所述多個***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地,所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,用于在所述電源電壓正常時將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地,所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接,以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地,所述參考電壓等于所述至少一個信號輸入端、所述信號輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地,所述電壓上拉模塊包括:連接于所述多個***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻,所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓;以及第三晶體管,源極用于接收所述電源電壓,柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點連接,漏極和襯底與所述p型開關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動電路的供電端連接。推薦地,每個所述驅(qū)動電路都包括第四晶體管和第五晶體管。江蘇控制八路模擬開關(guān)板生產(chǎn)廠家
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