掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小于晶體管的導(dǎo)通閾值vtp，保證當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源端掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，掉電保護(hù)電路402包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3以及晶體管m8，晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接，晶體管m8的漏極與信號(hào)輸入端b連接，晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，并且晶體管m1至m3以及晶體管m8的柵極、漏極和襯底彼此連接，分別連接成二極管結(jié)構(gòu)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，有想法可以來(lái)我司咨詢！合肥單八路模擬開(kāi)關(guān)板耐老化

    MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以了解為增加了CD，也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間安定，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間平穩(wěn)，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓安定到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上，不夠損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板批發(fā)價(jià)格八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！

    off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見(jiàn)到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，CON相等源極的電容和漏極的電容之和，如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí)，CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如，當(dāng)S1閉合時(shí)，CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1：當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí)，CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2：那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供，所以這時(shí)候。

    B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號(hào)輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號(hào)輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操縱輸入電容pF圖1CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)繼電器應(yīng)用電路CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)，集成塊SCR1～SCR4為控制端，用以操縱四雙向模擬開(kāi)關(guān)的通斷。當(dāng)SCR1接高電平時(shí)，集成塊①、②腳導(dǎo)通，＋12V→K1→集成塊①、②腳→電源陰極使K1吸合；反之當(dāng)SCR1輸入低電平時(shí)，集成塊①、②腳開(kāi)路，K1失電獲釋，SCR2～SCR4輸入高電平或低電平時(shí)狀況與SCR1相同。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，有需求可以來(lái)電咨詢！

    這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快，開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中后者正在提高邊遠(yuǎn)小村地區(qū)的產(chǎn)前保健水準(zhǔn)。與不久前推出的配套產(chǎn)品STHV160016通道脈沖發(fā)生器芯片一樣，這款高集成度的64通道模擬開(kāi)關(guān)芯片同樣使用了連貫的FCBGA封裝，讓系統(tǒng)制造商能夠提高通道密度，實(shí)現(xiàn)杰出的超聲圖像分辨率，而占用很小的電路板空間。STHV64SW業(yè)已上市，使用BGA-196封裝。STEVAL-IME015V1評(píng)估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二選一模擬開(kāi)關(guān)電路，它的優(yōu)點(diǎn)是能夠通過(guò)交流信號(hào)，筆者一般用它切換不同的音頻通道或者直流控制電壓。如上圖，X0,X1,X為一組；Y0,Y1,Y為一組；Z0,Z1,Z為一組；這三組信號(hào)分別受A,B。 八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來(lái)電咨詢！南京智能八路模擬開(kāi)關(guān)板修理

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    模擬開(kāi)關(guān)404包括開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2，開(kāi)關(guān)管mp2為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn2為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接，開(kāi)關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動(dòng)電路403包括晶體管m6和m7，晶體管m6選自pmos管，晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接，晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1，晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp1的柵極。驅(qū)動(dòng)電路403用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路405包括晶體管m9和m10，晶體管m9選自pmos管，晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護(hù)電路402，晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接，晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp2，晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp2的柵極。驅(qū)動(dòng)電路405用于根據(jù)控制信號(hào)cp2控制開(kāi)關(guān)管mp2的導(dǎo)通和關(guān)斷。合肥單八路模擬開(kāi)關(guān)板耐老化

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