單片機(jī)開(kāi)發(fā)中模擬開(kāi)關(guān)在特別應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)2020-05-25隨著對(duì)機(jī)能豐沛的手機(jī)的需要逐漸增長(zhǎng)，單片機(jī)開(kāi)發(fā)中兼具特別應(yīng)用性能的模擬開(kāi)關(guān)繼續(xù)受到***設(shè)計(jì)的青睞。這不僅會(huì)下降材質(zhì)成本（BOM），而且有助于提高設(shè)計(jì)性能并滿足上市時(shí)間要求。本文將指導(dǎo)單片機(jī)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員完成幾個(gè)具體使用案例，以減小爆音，檢測(cè)充電器。對(duì)于單片機(jī)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)人員而言，由涌入電流引起的沖擊噪音依然是繁重的挑戰(zhàn)，特別是當(dāng)***用戶(hù)啟動(dòng)音樂(lè)和通話功用之間的切換時(shí)。只要***用戶(hù)開(kāi)啟音樂(lè)機(jī)能，這種煩人的聲響就會(huì)給人不愉快的體驗(yàn)。如圖1所示，當(dāng)音頻放大器工作時(shí)，通過(guò)交流耦合電容器的開(kāi)/關(guān)浪涌電流是沖擊噪聲的本源，音頻共模電壓將急遽升高。當(dāng)今市場(chǎng)上有多種解決方案可用。其中之一是添加一個(gè)額外的放大器，以使音頻輸出具備“0V”偏移，從而很大程度地減少了緊接聽(tīng)筒之前的交流耦合電容器的大小。因?yàn)榇蠖鄶?shù)聽(tīng)筒放大器都集成在基帶處理器或電源管理單元（PMU）中，所以添加此放大器不僅會(huì)增加材質(zhì)成本，而且會(huì)增加功耗。圖1顯示了另一種方式，該方式將**自主的充電路徑添加到音頻信號(hào)路徑，以容許AC耦合電容器在切換到聽(tīng)筒或主路徑之前被充滿電。這可以由基帶處理器的通用I/O控制。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待您的光臨！南京雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板系列

    并將該參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1的襯底。因此在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷海_(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1中寄生二極管正向?qū)ㄔ斐傻男盘?hào)泄露的問(wèn)題。作為一種非限制性的例子，掉電保護(hù)電路302包括晶體管m1至m3，晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接，晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，晶體管m1至m3的源極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接。在本實(shí)施例中，晶體管m1至m3采用完全相同的晶體管，例如晶體管m1至m3分別采用nmos管。并且晶體管m1至m3的柵極、漏極和襯底彼此連接，分別連接成二極管結(jié)構(gòu)，所以本實(shí)施例的參考電壓vmax的電壓值為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn其中，va表示信號(hào)輸入端a的電壓，vy表示信號(hào)輸出端y的電壓，vcc為電路的電源端的電源電壓，max(va,vy,vcc)表示信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸出端y、以及電源端中的電位更高者的電壓，vtn表示晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值。在推薦的實(shí)施例中，晶體管m1至m3分別采用低閾值電壓的nmos管。舉例說(shuō)明，以當(dāng)電源端掉電時(shí)。浙江八路模擬開(kāi)關(guān)板耐老化上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待為您服務(wù)！

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及一種模擬開(kāi)關(guān)電路。背景技術(shù)：現(xiàn)今，各種模擬電路都需要用到模擬傳輸開(kāi)關(guān)，以用作對(duì)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行傳輸和選擇，例如各種音視頻電路都需要模擬傳輸開(kāi)關(guān)進(jìn)行音視頻信號(hào)的選擇導(dǎo)通，模擬控制電路需要模擬傳輸開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制信號(hào)的選擇控制。隨著技術(shù)的發(fā)展，各種高清的視頻、音頻信號(hào)的傳輸對(duì)模擬傳輸開(kāi)關(guān)的性能提出了越來(lái)越高的要求。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路為了傳輸接近電源(vcc)的電壓，通常會(huì)采用pmos管和nmos管并聯(lián)的傳輸門(mén)作為模擬傳輸開(kāi)關(guān)。pmos管的襯底接電源電壓，nmos管的襯底接地。在pmos管的柵極接電源電壓，nmos管的柵極接地時(shí)，傳輸門(mén)關(guān)斷；在pmos管的柵極接地，nmos管的柵極接電源時(shí)，傳輸門(mén)導(dǎo)通。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路具有一定的缺陷，當(dāng)電源掉電時(shí)，因?yàn)閜mos管的柵極電位等于地，此時(shí)如果輸入信號(hào)為正電平且該輸入信號(hào)大于pmos管的閾值電壓，會(huì)導(dǎo)致pmos開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通且寄生二極管處于正向?qū)顟B(tài)，發(fā)生信號(hào)泄露，而且將有很大的漏電流通過(guò)寄生二極管流到電源，可能導(dǎo)致芯片損壞。如圖1示出傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖1中的模擬開(kāi)關(guān)電路100例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)101和模擬開(kāi)關(guān)102。

    晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開(kāi)關(guān)電路400例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開(kāi)關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開(kāi)關(guān)401包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，歡迎您的來(lái)電哦！

    導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在轉(zhuǎn)變，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流稱(chēng)做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)做Id。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，有需求可以來(lái)電咨詢(xún)！江蘇單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板價(jià)格咨詢(xún)

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