柵極與晶體管m2和晶體管m3的中間節(jié)點(diǎn)連接。其中，晶體管m1、晶體管m2和晶體管m4為pmos管，晶體管m3為nmos管。在現(xiàn)有技術(shù)的模擬開(kāi)關(guān)電路200中，當(dāng)電源電壓vcc發(fā)生掉電時(shí)，晶體管m1導(dǎo)通并將開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接到信號(hào)輸入端a，可以避免當(dāng)信號(hào)輸入端a有輸入信號(hào)時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通。但是模擬開(kāi)關(guān)電路200的開(kāi)關(guān)管mp1仍然具有誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，例如當(dāng)信號(hào)輸出端y存在信號(hào)時(shí)仍然可以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管，形成從信號(hào)輸出端y至信號(hào)輸入端a的信號(hào)通路，從而產(chǎn)生信號(hào)泄露，尤其對(duì)于多通道的模擬開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)這種信號(hào)泄露情況更加明顯。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬開(kāi)關(guān)電路，解決了電源電壓掉電時(shí)模擬開(kāi)關(guān)誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種模擬開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端，其中，所述模擬開(kāi)關(guān)電路還包括：至少一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)都包括連接于對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端之間的p型開(kāi)關(guān)管；至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于控制對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷；以及掉電保護(hù)電路。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，歡迎您的來(lái)電！無(wú)錫單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板阻燃

    在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱(chēng)的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板怎么用上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待您的光臨！

    輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例，開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)ǎ纬尚盘?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路，造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開(kāi)關(guān)電路200包括模擬開(kāi)關(guān)201和掉電保護(hù)電路202。掉電保護(hù)電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號(hào)輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)與地之間。晶體管m4的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點(diǎn)連接。

    2).特征圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容致使的。有時(shí)，也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容，或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因?yàn)镾2是斷開(kāi)的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則，寄生電容CSS隨頻率的增加也會(huì)將一部分輸入信號(hào)直接耦合到斷開(kāi)的通道S2?？s減雜散電容的電路板布置技術(shù)也會(huì)有助于通道間的串?dāng)_疑問(wèn)。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當(dāng)在關(guān)閉通道的源極引腳上強(qiáng)加已知信號(hào)時(shí)在多路復(fù)用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特色圖25簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號(hào)頻率的變化像串?dāng)_一樣，關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象，由于模擬開(kāi)關(guān)或多路復(fù)用器的OFF狀況寄生電容CSD而時(shí)有發(fā)生。而開(kāi)關(guān)在截止?fàn)顩r的寄生電容又取決多個(gè)因素。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿(mǎn)意，歡迎您的來(lái)電哦！

    這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快，開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中后者正在提高邊遠(yuǎn)小村地區(qū)的產(chǎn)前保健水準(zhǔn)。與不久前推出的配套產(chǎn)品STHV160016通道脈沖發(fā)生器芯片一樣，這款高集成度的64通道模擬開(kāi)關(guān)芯片同樣使用了連貫的FCBGA封裝，讓系統(tǒng)制造商能夠提高通道密度，實(shí)現(xiàn)杰出的超聲圖像分辨率，而占用很小的電路板空間。STHV64SW業(yè)已上市，使用BGA-196封裝。STEVAL-IME015V1評(píng)估板也已上市。、74HCT4053是一款三路二選一模擬開(kāi)關(guān)電路，它的優(yōu)點(diǎn)是能夠通過(guò)交流信號(hào)，筆者一般用它切換不同的音頻通道或者直流控制電壓。如上圖，X0,X1,X為一組；Y0,Y1,Y為一組；Z0,Z1,Z為一組；這三組信號(hào)分別受A,B。 八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！無(wú)錫編程八路模擬開(kāi)關(guān)板批發(fā)價(jià)格

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    在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí)，在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率，如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析，我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò)，我們可以寫(xiě)出該電路的傳遞函數(shù)：其中，3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式，結(jié)合MUX和載荷的參數(shù)，我們就可以算出來(lái)在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí)，在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓。。無(wú)錫單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板阻燃

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