碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 碳化硅比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。靜安區(qū)碳化硅哪里有

目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等?；瘜W機械拋光（CMP）技術是目前半導體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應速率決定。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結果表明：旋轉速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應盡量提高轉速，雖然增加拋光壓力也可提高去除速率，但容易損壞拋光墊。碳化硅價格碳化硅在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。

開關頻率高于20KHz時，全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外，輸出功率對開關頻率的依賴也小。反過來，全SiC功率模塊可用于非常高的開關頻率，因為與10kHz時的輸出功率相比，40kHz時的輸出功率只低28%。當開關頻率低于5kHz時，IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關頻率而優(yōu)化的。針對較低開關頻率的優(yōu)化也是可能的。再次，通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積，來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中，輸出功率除以芯片面積得到功率密度。

2012年全年中國黑碳化硅產能沒有正常釋放，一方面是成交緩慢，庫存消耗慢,占壓資金量大，另一方面是下游玩業(yè)消費商回款時間長，欠款現(xiàn)象嚴重，導致某些企業(yè)資金鏈緊張。2012年中國黑碳化硅的主產地為寧夏和甘肅，青海和新疆的原有產能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶煉產能，共計76.9萬噸， 2012年總產量約為34萬噸，黑碳化硅冶煉企業(yè)的產能利用率約為44.5%。中國綠碳化硅冶煉的主產地是甘肅、青海、新疆和四川。四川主要靠水力發(fā)電站供電，受到枯水期電力短缺的影響，一年的生產時間只在4-10月份，較長能堅持6個月的生產，但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工，主要因為市場需求疲軟，庫存難以消耗。碳化硅可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。

碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅。嘉定區(qū)碳化硅批發(fā)多少錢

μ-碳化硅較為穩(wěn)定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至現(xiàn)在，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應用。靜安區(qū)碳化硅哪里有

利用良好的導熱和熱穩(wěn)定性，作熱交換器，燃耗減少20%，節(jié)約燃料35%，使生產率提高20-30%，特別是礦山選廠用排放輸送管道的內放，其耐磨程度是普通耐磨材料的6-7倍。磨料粒度及其組成按GB/T2477--83。磨料粒度組成測定方法按GB/T2481--83。合成碳化硅（Synthetic Moissanite）又名合成莫桑石、合成碳硅石（化學成分SiC），色散0.104，比鉆石（0.044）大，折射率2.65-2.69（鉆石2.42），具有與鉆石相同的金剛光澤，“火彩”更強，比以往任何仿制品更接近鉆石。靜安區(qū)碳化硅哪里有

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