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EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開(kāi)/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的...

EVG?540自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動(dòng)化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī)，設(shè)計(jì)用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級(jí)封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)...

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上...

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500...

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺(jué)隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為...

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝...

GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)...

測(cè)量復(fù)雜的有機(jī)材料典型的有機(jī)發(fā)光顯示膜包括幾層： 空穴注入層，空穴傳輸層，以及重組/發(fā)光層。所有這些層都有不尋常有機(jī)分子（小分子和/或聚合物）。雖然有機(jī)分子高度反常色散，測(cè)量這些物質(zhì)的光譜反射充滿挑戰(zhàn)，但對(duì)Filmetrics卻不盡然。我們的材料數(shù)據(jù)庫(kù)覆蓋整個(gè)...

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺(tái)（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中...

EVG的光刻機(jī)技術(shù)：EVG在光刻技術(shù)上的關(guān)鍵能力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)器的高產(chǎn)能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關(guān)知識(shí)。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均支持300毫米的晶圓，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并配有用于從上到下的側(cè)面對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)...

白光干涉輪廓儀對(duì)比激光共聚焦輪廓儀白光干涉3D顯微鏡：干涉面成像，多層垂直掃描蕞好高度測(cè)量精度：<1nm高度精度不受物鏡影響性價(jià)比好。激光共聚焦3D顯微鏡：點(diǎn)掃描合成面成像，多層垂直掃描Keyence（日本）蕞好高度測(cè)量精度：～10nm高度精度由物...

EVG610特征：頂部和底部對(duì)準(zhǔn)能力高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)自動(dòng)楔形誤差補(bǔ)償機(jī)制電動(dòng)和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠(yuǎn)程技術(shù)支持多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）敏捷處理和光刻...

輪廓儀的性能測(cè)量模式：移相干涉（PSI），白光垂直掃描干涉（VSI），單色光垂直掃描干涉（CSI）樣品臺(tái)：150mm/200mm/300mm樣品臺(tái)（可選配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，傾斜：±5°可選手動(dòng)/電動(dòng)樣品臺(tái)CCD相機(jī)像素...

輪廓儀的性能測(cè)量模式：移相干涉（PSI），白光垂直掃描干涉（VSI），單色光垂直掃描干涉（CSI）樣品臺(tái)：150mm/200mm/300mm樣品臺(tái)（可選配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，傾斜：±5°可選手動(dòng)/電動(dòng)樣品臺(tái)CCD相機(jī)像素...

納米壓印應(yīng)用一：鏡片成型晶圓級(jí)光學(xué)（WLO）的制造得到EVG高達(dá)300mm的高精度聚合物透鏡成型和堆疊設(shè)備的支持。使用從晶片尺寸的主印模復(fù)制來(lái)的工作印模，通過(guò)軟UV壓印光刻將透鏡圖案轉(zhuǎn)移到光學(xué)聚合物材料中。EVGroup提供混合和單片微透鏡成型工藝，可以輕松地...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)...

輪廓儀能夠描繪工件表面波度與粗糙度，并給出其數(shù)值的儀器，采用精密氣浮導(dǎo)軌為直線基準(zhǔn)。輪廓測(cè)試儀是對(duì)物體的輪廓、二維尺寸、二維位移進(jìn)行測(cè)試與檢驗(yàn)的儀器，作為精密測(cè)量?jī)x器在汽車制造和鐵路行業(yè)的應(yīng)用十分廣范。（來(lái)自網(wǎng)絡(luò)）先進(jìn)的輪廓儀集成模塊60年世界水平半導(dǎo)體檢測(cè)技...

NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的蕞具成本效益的方法，因?yàn)樗皇芄鈱W(xué)光刻所需的復(fù)雜光學(xué)器件的限制，并且它可以為極小尺寸（小于100分）提供蕞佳圖案保真度nm）結(jié)構(gòu)。EVG的SmartNIL是基于紫外線曝光的全場(chǎng)壓印技術(shù)，可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù)，...

蕞大視場(chǎng)Thefilm3D以10倍物鏡優(yōu)異地提供更寛廣的2毫米視野，其數(shù)位變焦功能有助于緩解不同應(yīng)用時(shí)切換多個(gè)物鏡的需要，更進(jìn)一步減少總體成本。手動(dòng)式物鏡轉(zhuǎn)盤能一次搭載四組物鏡，能滿足需要多種倍率物鏡交替使用的測(cè)量應(yīng)用。索取技術(shù)資料索取報(bào)價(jià)性能規(guī)格厚度范圍,W...

filmOnline查film3D圖像並與其互動(dòng).請(qǐng)參考我們新型光學(xué)輪廓儀!film3D使得光學(xué)輪廓測(cè)量更易負(fù)擔(dān)蕞后，表面粗糙度和表面形貌測(cè)量可以用比探針式輪廓儀成本更低的儀器來(lái)進(jìn)行。film3D具有3倍於于其成本儀器的次納米級(jí)垂直分辨率,film3D同樣使用...

鍵合機(jī)特征高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用...

一旦將晶片粘合在一起，就必須測(cè)試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。EVGr...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)...

關(guān)于三坐標(biāo)測(cè)量輪廓度及粗糙度三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)是不能測(cè)量粗糙度的，至于測(cè)量零件的表面輪廓，要視三坐標(biāo)的測(cè)量精度及零件表面輪廓度的要求了，如果你的三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)精度比較高，但零件輪廓度要求不可，是可以用三坐標(biāo)來(lái)代替的。一般三坐標(biāo)精度都在2-3um左右，而輪廓儀都在2um...

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片...

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極，熱壓縮，玻...

GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ZUI高水平的自動(dòng)化和過(guò)程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺(tái)上執(zhí)行。...

EVG?805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng)，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過(guò)的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離?？梢詫⒈【A卸載到單個(gè)基板載體上，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。特征：開(kāi)放式膠粘...

輪廓儀的功能:廓測(cè)量?jī)x能夠?qū)Ω鞣N工件輪廓進(jìn)行長(zhǎng)度、高度、間距、水平距離、垂直距離、角度、圓弧半徑等幾何參數(shù)測(cè)量。測(cè)量效率高、操作簡(jiǎn)單、適用于車間檢測(cè)站或計(jì)量室使用。白光輪廓儀的典型應(yīng)用：對(duì)各種產(chǎn)品，不見(jiàn)和材料表面的平面度，粗糙度，波溫度，面型輪廓，表面缺陷，磨...

輪廓儀的物鏡知多少?白光干涉輪廓儀是基于白光干涉原理，以三維非接觸時(shí)方法測(cè)量分析樣片表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌（粗糙度，平面度，平行度，臺(tái)階高度，錐角等）幾何特征（關(guān)鍵孔徑尺寸，曲率半徑，特征區(qū)域的面積和集體，特征圖形的位置和數(shù)量等）白光...