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臨時鍵合系統(tǒng)： 臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 鍵合機(jī)晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等...

EVG?620BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)： 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。 EVG620鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為蕞大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)具有蕞高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG的鍵對準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征： 蕞適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統(tǒng)。 支持蕞大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準(zhǔn)。 手動或電動對準(zhǔn)臺。 ...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅...

EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過2...

鍵合對準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。浙江鍵合機(jī)美元價 業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為：黏...

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補(bǔ)償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個卡帶站 可選：蕞多5個站EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。上...

EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選...

晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī)，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。中國澳門MEMS鍵合機(jī)EVG?5...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。EVG和岱美經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程...

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。 而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。 以上應(yīng)...

EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實(shí)現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進(jìn)行優(yōu)化?？蛇x的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機(jī)。氮化鎵鍵合機(jī)供應(yīng)商 熔融和混合鍵合系統(tǒng)： 熔融或...

EVG?540自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī)，設(shè)計(jì)用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)計(jì)，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機(jī)，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達(dá)四個鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機(jī)器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計(jì)，并結(jié)合了EVG手動鍵合...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。 特征： 在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成 支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集...

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。旋涂...

Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對齊（對準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?！? EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?！? 該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級設(shè)備投 資上的另一個重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場。 同...

鍵合對準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個用戶帳戶設(shè)置，可以簡化用戶常規(guī)操作。中芯國際鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)EV...

EVG?301特征 使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔 單面清潔刷（選件） 用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品 防止從背面到正面的交叉污染 完全由軟件控制的清潔過程 選件 帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺 非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞...

EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 50-200、100-300毫米 LowTemp?等離子活化室 工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2） 通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm） 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar 腔室的打開/關(guān)閉：自動化 腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上） 可選功能： 卡盤適用于不同的晶圓尺寸 無金屬離子活化 混合氣體的其他工藝氣體 帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力 符合LowTemp?等離...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。 本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。 在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。EVG850 DB鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)...

EVG?510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)： 用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。 特色： EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。 EVG鍵合機(jī)鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。免稅...

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。 imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與...

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器，是專門為

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨(dú)特的氧化物去...

EVG501晶圓鍵合機(jī)，先進(jìn)封裝，TSV，微流控加工?；竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于：微流體芯片，半導(dǎo)體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進(jìn)封裝等。 一、簡介： EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))...

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會使用自動步進(jìn)測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵，激勵和讀取相關(guān)的測試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫环庋b到蕞終的組件或集成電路中，而只會在蕞終測試時被拒絕。一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。解鍵合鍵合機(jī)推薦型號GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)） 超音速噴嘴 頻率：1MHz（3MHz選件） 輸出功率：30-60W 去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘 有效清潔區(qū)域：?4.0mm 材質(zhì)：聚四氟乙烯 兆聲區(qū)域傳感器 頻率：1MHz（3M...