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EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一...

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非常快速的開關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，...

對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。說(shuō)到EMC 的整改問(wèn)題，相信接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。武漢可視化EMI分析整改隔離在開關(guān)電源中...

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來(lái)大家分享，先不管理論對(duì)不對(duì)，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對(duì)輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對(duì)輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對(duì)二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對(duì)輻射30MHz-60MHz，有改善。信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能...

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過(guò)的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對(duì)這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無(wú)論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。說(shuō)到EMC的整改問(wèn)題，相信各位接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對(duì)EMC的認(rèn)識(shí)，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對(duì)這個(gè)電源過(guò)EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對(duì)電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。信號(hào)端...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的...

EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問(wèn)題：一次性很難通過(guò)昂貴的EMI一致性測(cè)試；難以捕獲偶發(fā)的EMI突發(fā)信號(hào)；需要擁有較長(zhǎng)儀器采集時(shí)間的實(shí)時(shí)頻譜分析儀才可能捕獲EMI突發(fā)信號(hào)；大多數(shù)頻譜分析儀不是實(shí)時(shí)頻譜分析儀；EMI調(diào)試中很難找到噪聲來(lái)源；截短PCB線路，然后重連，才有可能找到噪聲來(lái)源；很難找到導(dǎo)致EMI的模擬信號(hào)和/或數(shù)字信號(hào)。遇到傳導(dǎo)測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題，第一步要做的，通常是定位噪聲分量主要是差模還是共模，通常的測(cè)試設(shè)備可以用來(lái)區(qū)分差共模分量，但個(gè)人覺得太麻煩，并且測(cè)試出來(lái)的是相對(duì)值，并不一定可以具備指導(dǎo)意義。簡(jiǎn)單的辦法是，在輸入端口并聯(lián)一個(gè)X電容，幾十nF到幾百nF，如果所關(guān)心的頻段測(cè)試...

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖（過(guò)沖對(duì)輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長(zhǎng)的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對(duì)外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過(guò)強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號(hào)過(guò)沖，縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸...

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說(shuō)明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級(jí)輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。成都新能源汽車EMI分析整改示波器整改一個(gè)二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻...

分析信號(hào)回流對(duì)EMI的影響，可以看到：信號(hào)和回流外部區(qū)域，由于磁場(chǎng)的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對(duì)外輻射的主要來(lái)源。很明顯，我們只要縮短信號(hào)和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場(chǎng)，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導(dǎo)致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會(huì)有更多的回流通過(guò)其它途徑或者直接釋放到空中，這就會(huì)導(dǎo)致EMI的很大增加。變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。天津射頻EMI分析整改隔離若是用軍標(biāo)測(cè)試，相應(yīng)的會(huì)嚴(yán)格一些，所以EUT測(cè)試超標(biāo)很正常。對(duì)電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個(gè)因...

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片...

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅？焖俚拈_關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，...

電源適配器EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設(shè)計(jì)，但是通過(guò)研究我們還是能知道大概趨勢(shì)指導(dǎo)設(shè)計(jì)，一般來(lái)講，投放市場(chǎng)的電源適配器都是符合對(duì)應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)的，當(dāng)然這里指的是民用標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。終的整改方案為：1．將MOS管，雙向二極管的散熱片面接入電源的熱地。2．將X電容改為0.22uF。3．將共模電感改為50mH.4．在MOS管的D線電路的正面串入一個(gè)插件的磁珠。去消在D、S間并接的101電容。5．將變壓器的繞線方式改變了一下，取消內(nèi)部的屏蔽，而在外部加了一個(gè)屏蔽層。并接入熱地。其實(shí)EMC的整改主要是電源的整改因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來(lái)供電，此處沒有處理好...

在信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見的信號(hào)處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號(hào)端口濾波器件將是明智的選擇。信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問(wèn)題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)生衰減，阻抗過(guò)大甚至引起差分信號(hào)時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號(hào)不對(duì)稱。（共模濾波器可以使差分信號(hào)順利通過(guò)，而對(duì)共模的干擾信號(hào)呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號(hào)線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號(hào)是時(shí)鐘串?dāng)_到信號(hào)線上的信號(hào)，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不...

對(duì)高頻信號(hào)回流的理解不能有一個(gè)思維定勢(shì)，認(rèn)為回流必須完全存在于信號(hào)走線正下方的參考平面上。事實(shí)上，信號(hào)回流的途徑是多方面的：參考平面，相鄰的走線，介質(zhì)，甚至空氣都可能成為它選擇的通道，究竟哪個(gè)占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號(hào)走線的耦合程度，耦合強(qiáng)的將為信號(hào)提供主要的回流途徑。比如在多層PCB設(shè)計(jì)中，參考平面離信號(hào)層很近，耦合了絕大部分的電磁場(chǎng)，99%以上的信號(hào)能量將集中在近的參考平面回流，由于信號(hào)和地回流之間的環(huán)路面積很小，所以產(chǎn)生的EMI也很低。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。山東充電樁EMI分析整改元器件整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管...

industryTemplateEMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾。鄭州充電樁EMI分析整改接地整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅？焖俚拈_關(guān)時(shí)間變化。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有...

電源適配器EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設(shè)計(jì)，但是通過(guò)研究我們還是能知道大概趨勢(shì)指導(dǎo)設(shè)計(jì)，一般來(lái)講，投放市場(chǎng)的電源適配器都是符合對(duì)應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)的，當(dāng)然這里指的是民用標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。終的整改方案為：1．將MOS管，雙向二極管的散熱片面接入電源的熱地。2．將X電容改為0.22uF。3．將共模電感改為50mH.4．在MOS管的D線電路的正面串入一個(gè)插件的磁珠。去消在D、S間并接的101電容。5．將變壓器的繞線方式改變了一下，取消內(nèi)部的屏蔽，而在外部加了一個(gè)屏蔽層。并接入熱地。其實(shí)EMC的整改主要是電源的整改因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來(lái)供電，此處沒有處理好...

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。EMC包括EMI和EMS,也就是電磁干擾和電磁抗干擾。廣州充電樁EMI分析整改方式EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問(wèn)題：一次性很難通過(guò)昂貴的EMI一致性測(cè)...

在信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見的信號(hào)處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號(hào)端口濾波器件將是明智的選擇。信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問(wèn)題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)生衰減，阻抗過(guò)大甚至引起差分信號(hào)時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號(hào)不對(duì)稱。（共模濾波器可以使差分信號(hào)順利通過(guò)，而對(duì)共模的干擾信號(hào)呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號(hào)線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號(hào)是時(shí)鐘串?dāng)_到信號(hào)線上的信號(hào)，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)...

產(chǎn)品EMI問(wèn)題定位與整改：產(chǎn)品由于測(cè)試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過(guò)認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷售。在諸多的電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問(wèn)題。由于對(duì)電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目原理不清楚，對(duì)EMI問(wèn)題的定位思路、解決對(duì)策、以及診斷工具沒有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測(cè)試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問(wèn)題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過(guò)程中遇到問(wèn)題與困惑，培訓(xùn)通過(guò)對(duì)產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測(cè)試原理分析，定位思路分析，各種解決對(duì)策講解，同時(shí)結(jié)合各類產(chǎn)品實(shí)際問(wèn)題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間...

EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下藥，在這兒我們不妨先拋開讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法，1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1、增大X電容量；2、添加差模電感；率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ，差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，（整改建議）。有時(shí)候一個(gè)元件...

電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點(diǎn)：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對(duì)高速差動(dòng)傳輸線信號(hào)幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號(hào)輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號(hào)輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號(hào)類型...

剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對(duì)EMC問(wèn)題，很多時(shí)候應(yīng)該都會(huì)覺的無(wú)從下手，或者毫無(wú)頭緒。至此，為何不反過(guò)來(lái)從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測(cè)分析，下面就列舉幾個(gè)常見的EMI輻射問(wèn)題分析思路。有規(guī)律的單支信號(hào).有規(guī)律的單支信號(hào)，大部分都是時(shí)鐘信號(hào)。因?yàn)闀r(shí)鐘是一個(gè)穩(wěn)定的單一頻率信號(hào)，所以在頻率上呈現(xiàn)為一根根的單支，且DB也不會(huì)太低，大多數(shù)時(shí)鐘超標(biāo)的同時(shí)，它的倍頻也會(huì)呈現(xiàn)相應(yīng)的狀態(tài)。因此，在分析數(shù)據(jù)的時(shí)候，只要對(duì)比每個(gè)單支之間的差數(shù)，基本可以確定問(wèn)題點(diǎn)。例如：48.15MHZ的時(shí)鐘問(wèn)題！后6號(hào)點(diǎn)和5號(hào)點(diǎn)的頻率是337.05MHz與385.2MHz[385.2-337.05=48.15],且第11號(hào)點(diǎn)為963M...

遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問(wèn)題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)...

電磁發(fā)射（EMI）的檢驗(yàn)項(xiàng)目有：連續(xù)干擾電壓（150kHz～30MHz）;干擾功率（30MHz～300MHz）諧波電流（2～40次諧波）。EMC（ElectroMagneticCompatibility）直譯是“電磁兼容性”。是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。到目前為止，經(jīng)過(guò)整改的產(chǎn)品涉及的行業(yè)有IT信息類產(chǎn)品、AV音視頻類產(chǎn)品、通訊設(shè)備、汽車電子、家電電器、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備等。整改過(guò)的EMC項(xiàng)目有：CE.RE、RS、CS、ESD、EFT、SURGE等多個(gè)項(xiàng)目的EMC問(wèn)題整改，受到客戶的一致好評(píng)。電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線...

剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對(duì)EMC問(wèn)題，很多時(shí)候應(yīng)該都會(huì)覺的無(wú)從下手，或者毫無(wú)頭緒。至此，為何不反過(guò)來(lái)從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測(cè)分析，下面就列舉幾個(gè)常見的EMI輻射問(wèn)題分析思路。有規(guī)律的單支信號(hào).有規(guī)律的單支信號(hào)，大部分都是時(shí)鐘信號(hào)。因?yàn)闀r(shí)鐘是一個(gè)穩(wěn)定的單一頻率信號(hào)，所以在頻率上呈現(xiàn)為一根根的單支，且DB也不會(huì)太低，大多數(shù)時(shí)鐘超標(biāo)的同時(shí)，它的倍頻也會(huì)呈現(xiàn)相應(yīng)的狀態(tài)。因此，在分析數(shù)據(jù)的時(shí)候，只要對(duì)比每個(gè)單支之間的差數(shù)，基本可以確定問(wèn)題點(diǎn)。例如：48.15MHZ的時(shí)鐘問(wèn)題！后6號(hào)點(diǎn)和5號(hào)點(diǎn)的頻率是337.05MHz與385.2MHz[385.2-337.05=48.15],且第11號(hào)點(diǎn)為963M...

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說(shuō)明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級(jí)輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂。長(zhǎng)沙可視化EMI分析整改儀器在信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見的信號(hào)處理方式之一。...

對(duì)于電源產(chǎn)品主要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所以只要解決好這三個(gè)方面的協(xié)調(diào)問(wèn)題EMC就不難搞定。而解決EMC的方法概括來(lái)說(shuō)就是：消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1dB。顯然來(lái)能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過(guò)的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上...

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過(guò)的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對(duì)這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無(wú)論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。說(shuō)到EMC的整改問(wèn)題，相信各位接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對(duì)EMC的認(rèn)識(shí)，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對(duì)這個(gè)電源過(guò)EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對(duì)電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。許多國(guó)...