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空載電流的檢測(cè)。(a) 直接測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開(kāi)路，把萬(wàn)用表置于交流電流擋500mA，串入初級(jí)繞組。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí)，萬(wàn)用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見(jiàn)電子設(shè)備電源變壓器的正?？蛰d電...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相關(guān)。公司專...

有機(jī)合成物半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機(jī)化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導(dǎo)帶，通過(guò)化學(xué)的添加，能夠讓其進(jìn)入到能帶，這樣可以發(fā)生電導(dǎo)率，從而形成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。這一半導(dǎo)體和以往的半導(dǎo)體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H 檢測(cè)判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時(shí)，有時(shí)為了得到所需的次級(jí)電壓，可將兩個(gè)或多個(gè)次級(jí)繞組串聯(lián)起來(lái)使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時(shí)，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

光在大氣中的傳播速度會(huì)隨大氣的溫度和氣壓而變化，15℃和760mmHg是儀器設(shè)置的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值，此時(shí)的大氣改正為0ppm。實(shí)測(cè)時(shí)，可輸入溫度和氣壓值，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算大氣改正值（也可直接輸入大氣改正值），并對(duì)測(cè)距結(jié)果進(jìn)行改正。（3）量?jī)x器高、棱鏡高并輸入全站儀。...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以內(nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。兩種型號(hào)的表示符號(hào)：3、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 T...

華為和合作伙伴正在朝這個(gè)方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM，業(yè)內(nèi)人士對(duì)投中網(wǎng)表示。 IDM，是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式，從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測(cè)試，覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面，華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證，美國(guó)的UL認(rèn)證，德國(guó)的VDE和TUV認(rèn)證以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證，來(lái)保證元器件的合格。 電子元器件的發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新...

晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見(jiàn)電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下，名稱共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐)輸出阻抗中(幾千歐～幾十...

發(fā)展趨勢(shì)： 測(cè)試儀器和系統(tǒng)處于多總線和多接口并存的混亂時(shí)期:GPIB、VXI、MMS、PXI、PCI、CPCI、1394、ISA、USBSPI、SMB、I2C等多總線并存,自動(dòng)測(cè)試體系出現(xiàn)分布式結(jié)構(gòu)和多總線結(jié)構(gòu)。儀器吞并了計(jì)算機(jī)，同時(shí)又使自己成為龐大...

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材...

用電子測(cè)量?jī)x器是利用電子技術(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)量的儀器。電子測(cè)量?jī)x器是指以電子技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合電子測(cè)量、數(shù)字信號(hào)處理、微電子、射頻微波設(shè)計(jì)等多領(lǐng)域技術(shù)，組成單機(jī)或自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其具有檢測(cè)測(cè)量、信號(hào)傳遞和數(shù)據(jù)處理等功能，...

光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。手工組裝是限制光電子器件的成本進(jìn)一步下降的主要因素。自動(dòng)化組裝可以降低人力成本、提高產(chǎn)量和節(jié)約生產(chǎn)場(chǎng)地，因此光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)的研究將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。由于光電子器件自動(dòng)化組裝的精度在亞...

中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。 五個(gè)部分意義如下： ***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以內(nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的...

阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。電容電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔...

空間電荷區(qū)：擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)，稱為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)。空間電荷加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，其...

具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...

電位器的檢測(cè)。檢查電位器時(shí)，首先要轉(zhuǎn)動(dòng)旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動(dòng)是否平滑，開(kāi)關(guān)是否靈活，開(kāi)關(guān)通、斷時(shí)“喀噠”聲是否清脆，并聽(tīng)一聽(tīng)電位器內(nèi)部接觸點(diǎn)和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說(shuō)明質(zhì)量不好。用萬(wàn)用表測(cè)試時(shí)，先根據(jù)被測(cè)電位器阻值的大小，選擇好萬(wàn)用表的合適電阻擋位，然...

1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴。空穴導(dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見(jiàn)摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌...

無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 ...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開(kāi)發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ)，其研究開(kāi)發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中，藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材...

1985年，***塊64K DRAM 在無(wú)錫國(guó)營(yíng)724廠試制成功。1988年，上無(wú)十四廠建成了我國(guó)***條4英寸線。1989年，機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶...

全站儀幾乎可以用在所有的測(cè)量領(lǐng)域。電子全站儀由電源部分、測(cè)角系統(tǒng)、測(cè)距系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理部分、通訊接口、及顯示屏、鍵盤等組成。同電子經(jīng)緯儀、光學(xué)經(jīng)緯儀相比，全站儀增加了許多特殊部件，因此而使得全站儀具有比其它測(cè)角、測(cè)距儀器更多的功能，使用也更方便。這些特殊部件構(gòu)成...

空載電流的檢測(cè)。(a) 直接測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開(kāi)路，把萬(wàn)用表置于交流電流擋500mA，串入初級(jí)繞組。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí)，萬(wàn)用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見(jiàn)電子設(shè)備電源變壓器的正?？蛰d電...