磁控濺射離子鍍   (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負偏壓，利用負偏壓對離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類型的一個主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時基體和工件上加有負偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時基體和工件上加有負偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時基體和工件上加有負偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術的一個重要特點。   (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結合起來的技術。在同一個真空腔體內既可實現氬離子對磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實現了高能靶材離子在基片負偏壓作用下到達基片進行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污物;使成膜過程中，膜層表面始終保持清潔狀態(tài)。   (3) 磁控濺射離子鍍可以在膜-基界面上形成明顯的混合過渡層(偽擴散層)，提高膜層附著強度;可以使膜層與工件形成金屬間化合物和固熔體，實現材料表面合金化，甚至出現新的晶相結構。   (4)磁控濺射離子鍍形成膜層的膜基結合力好、膜層的繞鍍性好、膜層組織可控參數多、膜層粒子總體能量高，容易進行反應沉積，可以在較低溫度下獲得化合物膜層。

所以如果是表面容易變質的靶材，如果不拋光去除表面變質部分，沉積到基材上的膜層性質就是表面變質的雜質。武漢高純金屬靶材作用

靶材拋光裝置100還包括：把手，所述把手設置于所述固定板200的外表面上。為便于操作人員雙手抓握，所述把手的數量為兩個，其中一個所述把手設置于所述固定板200的頂部，另一個所述把手設置于所述固定板200的側壁上，該設置方式有利于提高操作人員手持所述靶材拋光裝置100進行拋光作業(yè)的便捷性。本實施例中，兩個所述把手分別為把手510和第二把手520，所述把手510設置于所述頂板210上，所述第二把手520設置于所述側板220上。本實施例中，所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結構有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。

湖北鎂鋅鈣靶材在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高空間的導通能力，降低等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結構不均勻；反應氣體不足/不均勻；外層膜應力大等。     （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配；反應氣體不足/不均勻；基材受潮污染；真空室臟有水汽；環(huán)境溫差大。 2.發(fā)蒙主要表現：膜層表面粗糙無光。 原因分析及改善：設備漏氣；反應氣體故障；膜層過厚；偏壓故障；       3.色斑主要表現：局部膜色變異。 原因分析及改善：腐蝕，局部折射率改變；前道工程夾具加工方法痕跡（形狀規(guī)則、部位一致、界限分明）； 周轉運輸庫存過程留下痕跡；研磨拋光殘留；多層膜系中，部分膜層過薄；機組微量返油。 4.打火 5.碰擦傷主要表現：劃痕碰傷。 原因分析及改善：劃痕有膜層：鍍前碰擦傷；劃痕無膜層（漏基材）：鍍后碰擦傷。

高純金屬的概念： 任何金屬都不能達到純?！案呒儭焙汀俺儭本哂邢鄬Φ暮x，是指技術上達到的標準。由于技術的發(fā)展，也常使“超純”的標準升級。例如過去高純金屬的雜質為 ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導體材料的雜質達ppb級（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級（一萬億分之幾）表示。實際上純度以幾個“9”(N)來表示（如雜質總含量為百萬分之一，即稱為6個“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質計算，其純度相當于9 個“9”。 但如計入碳，則可能不到6個“9”?！俺儭钡南鄬γ~是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”，后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只當金屬純度達到很高的標準時(如純度 9N 以上的金屬)，物理雜質的概念才是有意義的， 因此目前工業(yè)生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。

壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當的距離，調整距離即可。

拋光片部分310的厚度均勻。所述拋光片第三部分330的厚度均勻。位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度不均，即所述拋光片第二部分320的厚度不均。拋光片部分310的厚度與所述拋光片第三部分330的厚度相等，均為2mm～3mm。拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為分體的。在其他實施例中，所述拋光片部分、拋光片第二部分及拋光片第三部分還可以為一體成型。靶材拋光裝置100還包括：防護層400，所述防護層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。所述防護層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導致靶材受損。本實施例中，所述防護層400的厚度為30mm～35mm。若所述防護層400的厚度過小，所述防護層400起到的緩沖效果差，難以有效的保護靶材。若所述防護層400的厚度過大，使得所述防護層400的體積過大，進而造成所述靶材拋光裝置100的體積過大，對操作者使用所述靶材拋光裝置100帶來不必要的困難。晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快。武漢高純金屬靶材作用

采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。武漢高純金屬靶材作用

靶材的雜質含量。在經過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。比如現在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶材的關鍵性能指標之一.在靶材的技術工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因為靶材主要特性密度對濺射速率有著很大的影響，并且影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。武漢高純金屬靶材作用

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發(fā)展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。